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公开(公告)号:CN118392453A
公开(公告)日:2024-07-26
申请号:CN202410480723.X
申请日:2024-04-22
Applicant: 无锡学院
IPC: G01M11/02
Abstract: 本发明公开了一种测量模式增益系数的实验装置及实验方法,属于光学的技术领域;该实验装置包括泵浦源、激光芯片、平凸透镜、偏光镜、光纤耦合器、光纤及光谱仪。首先泵浦源对激光芯片两端施加能量,泵浦区域等宽但长度分别为L和2L,芯片两侧辐射发光,通过平凸透镜发散、偏光镜选择、平凸透镜聚焦后将两侧光分别收集到光纤耦合器中,再通过光纤传输给光谱仪。通过分析所得到的两侧偏振光谱,获得相应的放大自发辐射强度,将其带入建立的公式,化简即可计算出激光芯片的模式增益系数。本发明提供一种测量模式增益系数的实验装置及实验方法,能够准确测量和分析包括纳米材料在内的各种材料的模式增益系数。
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公开(公告)号:CN115965553B
公开(公告)日:2023-12-19
申请号:CN202310003338.1
申请日:2023-01-03
Applicant: 无锡学院
IPC: G06T5/00 , G06T5/20 , G06T5/40 , G06V40/16 , G06V10/26 , G06V10/44 , G06V10/74 , G06V10/80 , G06V10/764 , G06T7/11 , G06T7/62 , G06T7/60
Abstract: 本发明公开了一种基于多特征融合的人脸图像局部增强方法,建立人脸图像训练集;对所述人脸图像训练集中的每张图像进行人脸检测、人脸对齐和人脸分割,获得每张分割后的图像;获得分割后的偏正脸图像集、并且确定分割后的偏正脸图像集中每张图像的面积比例相近度、分割后的偏正脸图像集中每张图像的长宽比相近度、分割后的偏正脸图像集中每张图像的方脸相近度;将三个特征加权融合,获得多特征融合模板系数;根据其确定平均人脸轮廓模板,并且结合待识别人脸的图像,获得局部图像增强后的人脸图像。本发明能够取代人脸图像增强中的人脸分割步骤,在不改变人脸图像增强准确性的前提下,提高了人脸图像增强的效率和质量,简化冗繁的操作过程。
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公开(公告)号:CN116184744A
公开(公告)日:2023-05-30
申请号:CN202310284198.X
申请日:2023-03-22
Applicant: 无锡学院
IPC: G03B15/02 , F21V5/04 , F21V17/10 , F21Y115/10
Abstract: 本发明公开了一种高均匀度超长光斑的条形光源,包括灯珠,准直透镜,镜筒和条纹透镜。本发明基于非成像光学理论,首先在每个灯珠前面加一个准直透镜系统,使用两片非球面透镜将LED的光进行准直。另外将每组准直透镜系统的外围都加上一个镜筒来过滤边缘的杂散光,准直之后用条纹透镜来进行扩束。条纹透镜与上述准直透镜机械结构水平放置呈上下层结构组成线性光源,最后将构造好的透镜结构导入到lighttools软件中进行模拟,并得到本发明透镜的测试效果图。该光源旨在得到一个高均匀度超长线性光斑,使长度方向尽量长,宽度方向尽量短,可以配合线阵相机使用,提高光源光能的利用率。
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公开(公告)号:CN115965553A
公开(公告)日:2023-04-14
申请号:CN202310003338.1
申请日:2023-01-03
Applicant: 无锡学院
IPC: G06T5/00 , G06T5/20 , G06T5/40 , G06V40/16 , G06V10/26 , G06V10/44 , G06V10/74 , G06V10/80 , G06V10/764 , G06T7/11 , G06T7/62 , G06T7/60
Abstract: 本发明公开了一种基于多特征融合的人脸图像局部增强方法,建立人脸图像训练集;对所述人脸图像训练集中的每张图像进行人脸检测、人脸对齐和人脸分割,获得每张分割后的图像;获得分割后的偏正脸图像集、并且确定分割后的偏正脸图像集中每张图像的面积比例相近度、分割后的偏正脸图像集中每张图像的长宽比相近度、分割后的偏正脸图像集中每张图像的方脸相近度;将三个特征加权融合,获得多特征融合模板系数;根据其确定平均人脸轮廓模板,并且结合待识别人脸的图像,获得局部图像增强后的人脸图像。本发明能够取代人脸图像增强中的人脸分割步骤,在不改变人脸图像增强准确性的前提下,提高了人脸图像增强的效率和质量,简化冗繁的操作过程。
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公开(公告)号:CN115663592B
公开(公告)日:2025-04-25
申请号:CN202211369341.7
申请日:2022-10-28
Applicant: 无锡学院
IPC: H01S5/12 , H01S5/20 , C23C16/40 , C23C16/56 , C30B25/16 , C30B29/30 , C30B29/40 , C30B29/42 , C30B31/22 , C30B33/02 , H01S5/32 , H01S5/34 , H01S5/343
Abstract: 本发明公开了一种激光泵浦铌酸锂光波导多波长混合集成光子器件,包括DFB激光器阵列、绝缘体上铌酸锂光波导阵列和砷化镓衬底,DFB激光器阵列、绝缘体上铌酸锂光波导阵列分别置于砷化镓衬底上,利用晶圆键合技术将DFB激光器键合到砷化镓衬底上,确保DFB激光器的输出光高度与铌酸锂光波导匹配;每个铌酸锂光波导都有一个DFB激光器进行泵浦。本发明通过晶圆键合和离子注入技术实现在砷化镓衬底上集成多个DFB激光器和多个铌酸锂光波导,该光子器件通过稀土离子的能级跃迁输出不同波段的激光,实现多种波长的混合输出和多模动态的防伪效果。同时,该光子器件结构紧凑,集成度高,能够实现高效的光子器件集成。
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公开(公告)号:CN115588899B
公开(公告)日:2025-04-25
申请号:CN202211336257.5
申请日:2022-10-28
Applicant: 无锡学院
Abstract: 本发明属于光子集成与光波导技术领域,具体涉及一种激光泵浦铌酸锂波导光子集成器件及其制备与应用。本发明制备得到的光子集成器件中的边发射激光器泵浦LNOI光波导激光器中的铌酸锂波导能自发振荡激光输出,在铌酸锂波导两端刻蚀光栅形成谐振腔,能诱导光学波导内的稀土离子实现能级跃迁,输出对应波长的激光,从而达到耦合效率高的优点,且制备工艺简单,适合大规模生产。
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公开(公告)号:CN115908199B
公开(公告)日:2024-11-26
申请号:CN202211700123.7
申请日:2022-12-28
Applicant: 无锡学院
Abstract: 本发明公开了一种基于深度去噪器的压缩红外图像复原方法,首先原始红外图像经过编码测量后获得原始测量值,复原原始红外图像时在传统基于优化的算法中插入深度网络学习获得的深度去噪器,然后通过设计基于空间注意力和通道注意力的特征提取网络得到深度去噪器,最后迭代求解两个子过程得到复原的红外图像,从而同时具有基于模型的优化算法的可解释性和基于卷积神经网络的鲁棒性和快速性,提高了图像复原的质量。
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公开(公告)号:CN118572512A
公开(公告)日:2024-08-30
申请号:CN202410613303.4
申请日:2024-05-17
Applicant: 无锡学院
Abstract: 本发明公开了一种具有高散热性能的半导体光放大器及其制备方法,包括键合为一体的半导体光放大器芯片和石墨烯基板,其中,所述半导体光放大器芯片的键合面设有若干个均匀分布的凸起微结构,所述石墨烯基板的键合面设有若干个均匀分布的凹槽微结构,所述凸起微结构与所述凹槽微结构互相匹配,所述半导体光放大器芯片的凸起微结构能够嵌入所述石墨烯基板的凹槽微结构内。本发明通过石墨烯粘附能低、表面能高的特点,直接将经过微结构化处理后的石墨烯与半导体光放大器键合。相比于传统的半导体光放大器利用陶瓷基板进行导热,本发明将陶瓷基板替换为导热性更好的石墨烯,且无需其它胶类辅助粘黏,大大提高了散热性能,简化了工序流程。
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公开(公告)号:CN116709893A
公开(公告)日:2023-09-05
申请号:CN202310658733.3
申请日:2023-06-05
Applicant: 无锡学院
Abstract: 本发明公开了一种基于二维磁性材料的自旋霍尔纳米振荡器,所述自旋霍尔纳米振荡器包含衬底,以及依次形成于衬底之上的非磁性薄膜层和二维磁性材料薄膜层。本发明提供的一种基于二维磁性材料的自旋霍尔纳米振荡器,二维磁性材料与其他磁性材料相比具有可大面积制备,易加工,易堆叠等特点,二维磁性材料薄膜层具有较强的面外磁各向异性,基于二维磁性材料的自旋霍尔纳米振荡器在实现微波振荡的过程中所需的激发电流较低,能够实现更高的微波输出频率。
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公开(公告)号:CN116482057A
公开(公告)日:2023-07-25
申请号:CN202310462499.7
申请日:2023-04-26
Applicant: 无锡学院
Abstract: 本发明公开了一种测量电子空穴复合发光速率的实验方法,该实验方法的装置包括激光芯片(芯片水平两侧端面仅一端镀有增透膜)、平凸透镜、偏光镜、光纤耦合器、光纤及光谱仪。在芯片两侧的同一水平线上依次放置平凸透镜、偏光镜、平凸透镜、光纤耦合器,用光纤连接光纤耦合器与光谱仪。首先对激光芯片施加能量,芯片两侧会辐射发光,通过平凸透镜将两侧光谱分别聚焦到光纤耦合器,再通过光纤传输给光谱仪。通过转动偏光镜可选择不同的偏振光谱,获得横向电场/横向磁场模式下的特定光谱图像,最后将两端光谱数据带入建立的公式,即可计算出激光芯片电子和空穴的复合速率。
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