公开(公告)号：CN101632180B

公开(公告)日：2012-03-28

申请号：CN200780051088.8

申请日：2007-02-08

申请人： 无锡尚德太阳能电力有限公司

发明人： 施正荣 ,  王体虎

IPC分类号： H01L31/0745 ,  H01L31/0224 ,  H01L31/074 ,  H01L31/18

CPC分类号： H01L31/0745 ,  H01L31/022433 ,  H01L31/074 ,  H01L31/1804 ,  Y02E10/547 ,  Y02P70/521

摘要： 本发明提供一种太阳电池，在该太阳电池中，非晶半导体层(15)位于晶体硅结构的背面上以形成异质结。第一接触结构与晶体层(14)接触，而第二接触结构与非晶层(15)接触。本发明还提供一种形成异质结太阳电池的方法，在该方法中，掺杂的非晶半导体层(15)形成在相反掺杂的晶体硅层(14)上，与该晶体硅层(14)形成背面异质结。随后形成背面接触(16)，与非晶半导体层(15)接触，并且在需要与晶体硅层(14)形成金属接触的位置处形成与晶体硅层(14)相同传导类型的重掺杂区(13)，以便于与随后形成的金属接触(10)接触。

公开(公告)号：CN101632180A

公开(公告)日：2010-01-20

申请号：CN200780051088.8

申请日：2007-02-08

申请人： 无锡尚德太阳能电力有限公司

发明人： 施正荣 ,  王体虎

IPC分类号： H01L31/042 ,  H01L31/072 ,  H01L31/18

CPC分类号： H01L31/0745 ,  H01L31/022433 ,  H01L31/074 ,  H01L31/1804 ,  Y02E10/547 ,  Y02P70/521

摘要： 本发明提供一种太阳电池，在该太阳电池中，非晶半导体层(15)位于晶体硅结构的背面上以形成异质结。第一接触结构与晶体层(14)接触，而第二接触结构与非晶半导体层(15)接触。本发明还提供一种形成异质结太阳电池的方法，在该方法中，掺杂的非晶半导体层(15)形成在相反掺杂的晶体硅层(14)上，与该晶体硅层(14)形成背面异质结。随后形成背面接触(16)，与非晶半导体层(15)接触，并且在需要与晶体硅层(14)形成金属接触的位置处形成与晶体硅层(14)相同传导类型的重掺杂区(13)，以便于与随后形成的金属接触(10)接触。

公开(公告)号：CN102569477A

公开(公告)日：2012-07-11

申请号：CN201210032611.5

申请日：2007-02-08

申请人： 无锡尚德太阳能电力有限公司

发明人： 施正荣 ,  王体虎

IPC分类号： H01L31/074 ,  H01L31/0224 ,  H01L31/036 ,  H01L31/18

CPC分类号： Y02E10/50 ,  Y02P70/521

摘要： 混合硅太阳电池及其制造方法。本发明提供一种太阳电池，在该太阳电池中，非晶半导体层(15)位于晶体硅结构的背面上以形成异质结。第一接触结构与晶体层(14)接触，而第二接触结构与非晶层(15)接触。本发明还提供一种形成异质结太阳电池的方法，在该方法中，掺杂的非晶半导体层(15)形成在相反掺杂的晶体硅层(14)上，与该晶体硅层(14)形成背面异质结。随后形成背面接触(16)，与非晶半导体层(15)接触，并且在需要与晶体硅层(14)形成金属接触的位置处形成与晶体硅层(14)相同传导类型的重掺杂区(13)，以便于与随后形成的金属接触(10)接触。