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    一种局域非晶硅/晶体硅异质结双面太阳电池结构
    1.
    发明公开
    一种局域非晶硅/晶体硅异质结双面太阳电池结构 无效

    公开(公告)号：CN108336164A

    公开(公告)日：2018-07-27

    申请号：CN201810198911.8

    申请日：2018-03-12

    申请人： 南昌大学

    发明人： 袁吉仁 ,  周浪 ,  黄海宾 ,  高超 ,  岳之浩

    IPC分类号： H01L31/0224 ,  H01L31/0352 ,  H01L31/074

    CPC分类号： Y02E10/50 ,  H01L31/022425 ,  H01L31/035272 ,  H01L31/074

    摘要： 一种局域非晶硅/晶体硅异质结双面太阳电池结构，以n型晶体硅片为基底，发射极面分为发射极-导电区域和钝化-进光区域：前者由本征非晶硅钝化层、重掺杂p型非晶硅层、金属栅线I构成，后者由基底向外依次由重掺杂p型晶体硅场钝化层I、钝化减反射层I构成；背电场面由本征非晶硅钝化层II、重掺杂n型非晶硅层、透明导电氧化物TCO层、金属栅线II，其中，金属栅线II部分覆盖透明导电氧化物TCO层。本发明保持了双面进光特性，同时获得高开路电压和高短路电流的特性，提高了晶体硅太阳电池的发电能力。相比于HIT和HAC-D结构完全避免贵重的透明导电氧化物的使用，同时减少了载流子在TCO上传输所造成的串联电阻损耗。

    太阳能电池的制造方法以及太阳能电池
    4.
    发明公开
    太阳能电池的制造方法以及太阳能电池 无效

    公开(公告)号：CN107210330A

    公开(公告)日：2017-09-26

    申请号：CN201580073978.3

    申请日：2015-01-22

    申请人： 三菱电机株式会社

    发明人： 杉村惠美

    IPC分类号： H01L31/068 ,  H01L31/074

    CPC分类号： H01L31/068 ,  H01L31/074 ,  Y02E10/50 ,  Y02P70/521

    摘要： 包括：在具有受光面(1A)以及背面(1B)的p型单晶硅基板(1)的侧面(1C)选择性地形成氧化膜(10)的工序；在形成有氧化膜(10)的p型单晶硅基板(1)的受光面(1A)形成n型扩散层(3)的工序；以及在形成有n型扩散层(3)的p型单晶硅基板(1)的背面(1B)形成浓度比n型扩散层(3)的浓度高的p型扩散层(8)的工序。通过上述结构，抑制受光面(1A)的损坏、抑制扩散层的切削量、实现光电变换效率的提高，并且防止向端面即侧面(1C)的扩散、抑制来自端部的扩散层的泄漏、实现太阳能电池的良品率提高。

    一种口段型聚光光伏电池芯片
    5.
    发明公开
    一种口段型聚光光伏电池芯片 无效

    公开(公告)号：CN106684165A

    公开(公告)日：2017-05-17

    申请号：CN201710125617.X

    申请日：2017-03-04

    申请人： 成都聚合追阳科技有限公司

    发明人： 李利平

    IPC分类号： H01L31/0224 ,  H01L31/0725 ,  H01L31/074 ,  H01L31/0352

    CPC分类号： Y02E10/50 ,  H01L31/022433 ,  H01L31/035281 ,  H01L31/0725 ,  H01L31/074

    摘要： 本发明涉及一种口段型聚光光伏电池芯片，属太阳能光伏发电技术领域，包括负电极段层，聚光光伏电池基材层，正电极层和有效面积，所述聚光光伏电池基材层一面覆上负电极段层，另一面覆上正电极层，所述负电极层之内的部分为有效面积，该种电池芯片能极大地减少聚光光伏电池基材材料的用量，这样就能减少聚光光伏电池芯片的制作成本；该电池芯片口字形形状负电极能迅速地将电流导出，减小电流对其他电池材料中离子的碰撞，能将电池芯片的转换效率整体提高，随着透镜聚光倍数的增高，增大电极段宽度的同时，通过调整电极为电极段，保持了受光面积的不变性，达到聚光光伏系统整体的发电效率不减少，通过增大负电极段的宽度，能保证在增大透镜的放大倍数之后，汇聚光转换为大电流电能能顺利通过负电极段导出来。

    太阳能电池及其生产方法
    7.
    发明授权
    太阳能电池及其生产方法 有权

    公开(公告)号：CN103765600B

    公开(公告)日：2017-03-01

    申请号：CN201280027134.1

    申请日：2012-05-25

    申请人： 瑞科斯太阳能源私人有限公司

    发明人： 马丁·柯肯吉恩 ,  埃里克·萨乌尔

    IPC分类号： H01L31/0224

    CPC分类号： H01L31/074 ,  H01L31/022441 ,  H01L31/0747 ,  H01L31/075 ,  H01L31/18 ,  Y02E10/50

    摘要： 提出一种后部接触异质结太阳能电池（1）和这种太阳能电池的制造方法。太阳能电池（1）包括硅衬底（3），硅衬底（3）具有位于其前表面的钝化层（5）和覆盖其后表面的本征非晶硅层（7）。在本征非晶硅层（7）的背侧设置有发射极层（13）和基极层（19），这些层中的每层覆盖背表面的相邻的部分区。包括电绝缘材料的隔离层（9）插在发射极层（13）和基极层（19）之间。可以通过气相沉积经由罩产生隔离层（9）以及基极层（19）和发射极层（13）。由于该工艺，发射极层（13）与隔离层9）的邻接区域以及基极层（19）与隔离层（9）的邻接域区以如下方式部分横向重叠：在重叠区23、25）中，隔离层（9）的至少一部分的位置比发射极层（13）和基极层（19）中对应一个的重叠部分更靠近衬底（3）。利用所提出的太阳能电池概念和制造方法，由于能做到高质量的表面钝化，所以可以以低制造成本获得高太阳能电池效率。

    硅基太阳能电池及其制备方法
    8.
    发明公开
    硅基太阳能电池及其制备方法 有权

    公开(公告)号：CN106024927A

    公开(公告)日：2016-10-12

    申请号：CN201610362000.5

    申请日：2016-05-26

    申请人： 中国科学院宁波材料技术与工程研究所

    发明人： 于静 ,  叶继春 ,  高平奇 ,  韩灿 ,  何坚

    IPC分类号： H01L31/032 ,  H01L31/074 ,  H01L31/18

    CPC分类号： Y02E10/50 ,  Y02P70/521 ,  H01L31/074 ,  H01L31/032 ,  H01L31/1868

    摘要： 本发明提出的一种硅基太阳能电池，包括依次层叠的空穴传输层、第一钝化层、n型硅片，其特征在于所述空穴传输层材料选自碘化亚铜、氯化亚铜、溴化亚铜、氧化镍、氧化钴、氧化钒、氧化钨、氧化钼中的一种。上述硅基太阳能电池，采用高功函数材料作为空穴传输层取代p型掺杂层，低功函数材料作为电子传输层取代n型掺杂层，制备的非掺杂异质结空穴传输层与钝化层或硅片直接接触，耗尽区界面会形成强反型层，通过能带平齐与能带弯曲实现光生载流子向对应方向流动，以实现其有效分离，降低接触电阻和复合速度，带间缺陷态也会受到强反型层的屏蔽作用，从而使电池的开路电压增大，相应地电池转换效率升高。