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公开(公告)号：CN102931278A
公开(公告)日：2013-02-13
申请号：CN201210437455.0
申请日：2012-11-02
申请人： 无锡尚德太阳能电力有限公司
IPC分类号： H01L31/18 , H01L31/0224 , H01L31/068
CPC分类号： Y02E10/50 , Y02P70/521
摘要： 本发明提供一种太阳电池背面局部接触结构及其制造方法和对应的太阳电池及其制造方法。现有技术在制造背面局部结构时采用旋涂或喷涂硼聚合物存在着不利于工艺集成、利用效率低和存在毒害危险等问题。本发明的太阳电池背面局部接触结构制造方法和对应太阳电池制造方法，先将硅片清洗、正面扩散制PN结和边缘刻蚀，再在硅片背面沉积钝化层在钝化层上沉积与所述硅片掺杂类型相同的掺杂非晶介质层，之后通过激光辐射硅片背面局部区域以在硅片背面上所述局部区域形成局部重掺区，并在掺杂非晶介质层和钝化层的对应位置上形成开口，最后在硅片背面上形成经由开口与局部重掺区电性连接的背面电极。本发明可有效提高工艺的集成度、源的利用率和操作的安全无毒性。
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公开(公告)号：CN101257059B
公开(公告)日：2011-04-13
申请号：CN200710188267.8
申请日：2007-11-30
申请人： 无锡尚德太阳能电力有限公司
IPC分类号： H01L31/18
CPC分类号： H01L31/022425 , C25D5/006 , C25D7/126 , Y02E10/50
摘要： 一种电化学沉积太阳能电池金属电极的方法，其包括以下步骤：将太阳能电池的含有阴极的表面与电解质溶液接触；将太阳能电池的阳极和固体金属连接；对太阳能电池的主受光表面进行光照；所述电解质溶液中的金属离子接受所述太阳能电池阴极表面产生的电子后生成金属并沉积在所述太阳能电池的阴极表面，同时所述固体金属为所述太阳能电池的阳极提供电子后生成金属离子并溶入电解质溶液。该方法解决了由于金属沉积在阳极造成短路而引起的电池效率下降的问题，同时避免了使用任何电镀挂具损坏太阳能电池片以及造成沉积金属不均匀的可能，并且能有效控制电化学反应速率，保证所沉积的金属的均匀性，特别有利于制备具有选择性扩散结构的太阳能电池。
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公开(公告)号：CN101970168A
公开(公告)日：2011-02-09
申请号：CN200980000188.7
申请日：2009-03-17
申请人： 无锡尚德太阳能电力有限公司
IPC分类号： B23K26/08 , H01L21/428
CPC分类号： B23K26/0604 , B23K26/0006 , B23K2101/40 , B23K2103/56
摘要： 本发明所述的技术是关于使用多个共定位辐射源来照射板件。在许多情况下，多个共定位辐射源中的每一个仅负责照射板件的一个小区域。由此，板件的要被照射的子区域接受来自多个共定位辐射源的相对均匀、相对清晰的辐射。在很多应用之中，这些技术尤其能应用于激光掺杂和激光切割。
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公开(公告)号：CN102083717A
公开(公告)日：2011-06-01
申请号：CN200980000365.1
申请日：2009-05-26
申请人： 无锡尚德太阳能电力有限公司
CPC分类号： B65G39/02 , B65G39/06 , C25D7/0621 , C25D7/0657 , C25D17/005
摘要： 一种用于输送物品的输送辊轮，它包括主轴(3)以及位于该主轴(3)上的线圈(5)。该线圈(5)包括柔性中心部(17)以及在该柔性中心部(17)的两个相对侧处固定到主轴(3)的第一端部(13)和第二端部(15)。
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公开(公告)号：CN101150150B
公开(公告)日：2010-05-12
申请号：CN200610139717.X
申请日：2006-09-22
申请人： 无锡尚德太阳能电力有限公司
IPC分类号： H01L31/18
CPC分类号： Y02P70/521
摘要： 本发明公开了一种太阳电池导电电极的生成方法，该方法采用丝网印刷工艺通过网板将导电浆料分别印刷在太阳电池N型极和P型极上，其特征在于，所述丝网印刷工艺所使用的网板印刷导电浆料的面积上覆盖有感光胶膜。使用该网板进行丝网印刷后的导电电极的表面呈现出有规则或无规则高低不平的表面，能有效地阻止熔融金属向某一点聚集，即使是在背电极导电电极的厚度减少后，也不会在导电电极的表面上产生金属或金属合金的结珠和结苞问题，并能有效地释放掺杂玻璃造成的热应力，从而减少太阳电池的弯曲。
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公开(公告)号：CN101572281A
公开(公告)日：2009-11-04
申请号：CN200910146478.4
申请日：2009-06-08
申请人： 无锡尚德太阳能电力有限公司
IPC分类号： H01L31/18 , H01L31/0236 , H01L31/042
CPC分类号： Y02E10/50 , Y02P70/521
摘要： 本发明涉及光伏电池制造领域，具体涉及一种制备具有掺镓氧化锌绒面的衬底的方法、通过该方法制备的衬底以及包括该衬底的硅薄膜太阳电池。通过本发明提供的制备衬底的方法，可以获得具有掺镓氧化锌绒面的衬底，使硅薄膜太阳电池制造商摆脱绒面氧化锡玻璃供应商的限制，而进一步降低生产制造成本。可以将本发明提供的制备衬底的方法直接应用到硅薄膜太阳电池的生产制造中，并且通过该方法制备的衬底能够取代现有的昂贵的绒面氧化锡玻璃衬底，并表现出更加优异的性能。
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公开(公告)号：CN101257059A
公开(公告)日：2008-09-03
申请号：CN200710188267.8
申请日：2007-11-30
申请人： 无锡尚德太阳能电力有限公司
IPC分类号： H01L31/18
CPC分类号： H01L31/022425 , C25D5/006 , C25D7/126 , Y02E10/50
摘要： 一种电化学沉积太阳能电池金属电极的方法，其包括以下步骤：将太阳能电池的含有阴极的表面与电解质溶液接触；将太阳能电池的阳极和固体金属连接；对太阳能电池的主受光表面进行光照；所述电解质溶液中的金属离子接受所述太阳能电池阴极表面产生的电子后生成金属并沉积在所述太阳能电池的阴极表面，同时所述固体金属为所述太阳能电池的阳极提供电子后生成金属离子并溶入电解质溶液。该方法解决了由于金属沉积在阳极造成短路而引起的电池效率下降的问题，同时避免了使用任何电镀挂具损坏太阳能电池片以及造成沉积金属不均匀的可能，并且能有效控制电化学反应速率，保证所沉积的金属的均匀性，特别有利于制备具有选择性扩散结构的太阳能电池。
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公开(公告)号：CN1821446A
公开(公告)日：2006-08-23
申请号：CN200610065676.4
申请日：2006-03-21
申请人： 无锡尚德太阳能电力有限公司
IPC分类号： C23F1/24 , H01L21/461
CPC分类号： C09K13/08 , H01L31/02363 , Y02E10/50
摘要： 本发明公开了一种用于制备多晶硅绒面的酸腐蚀溶液及其使用方法，所述溶液为由氧化剂和氢氟酸溶液混合制成，所述氧化剂为硝酸盐或亚硝酸盐。所述使用方法具体为：将切割成的多晶硅片放入酸腐蚀溶液中进行腐蚀反应，反应时间为30秒－20分钟，酸腐蚀溶液的温度为－10℃－25℃，所述反应时间、酸腐蚀溶液的温度与酸腐蚀溶液中氧化剂和氢氟酸的浓度相协调，以达到去除由线切割多晶硅而产生的损伤层的目的。采用本发明酸腐蚀溶液进行多晶硅绒面的制备，既适用于间隙操作的大规模生产，也适用于连续操作的大规模生产，同时生产中产生的废酸很容易处理。
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公开(公告)号：CN102832261A
公开(公告)日：2012-12-19
申请号：CN201110157018.9
申请日：2011-06-13
申请人： 无锡尚德太阳能电力有限公司 , 尚德太阳能电力有限公司
IPC分类号： H01L31/0216 , H01L31/032 , H01L31/075 , H01L31/18 , C23C14/08 , C23C14/35
CPC分类号： C23C14/083 , H01L31/02168 , Y02E10/50
摘要： 本发明涉及薄膜太阳能电池，特别涉及具有增强的减反射性能的薄膜太阳能电池及其制造方法。按照本发明的薄膜太阳能电池包括：衬底；形成于所述衬底上的透明导电层；形成于所述透明导电层上的减反射层；以及形成于所述减反射层上的硅薄膜有源层，其中所述减反射层由氧化铌NbxOy构成。按照本发明的薄膜太阳能电池的制造方法包括下列步骤：在衬底上形成透明导电层；在所述透明导电层上形成减反射层；以及在所述减反射层上形成硅薄膜有源层，其中所述减反射层由氧化铌NbxOy构成。在本发明中，由于采用氧化铌NbxOy膜层替代TiO2-ZnO叠层作为减反射层，因此在实现良好的减反射效果的同时，还简化了制造工艺，降低了成本。
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公开(公告)号：CN101632180B
公开(公告)日：2012-03-28
申请号：CN200780051088.8
申请日：2007-02-08
申请人： 无锡尚德太阳能电力有限公司
IPC分类号： H01L31/0745 , H01L31/0224 , H01L31/074 , H01L31/18
CPC分类号： H01L31/0745 , H01L31/022433 , H01L31/074 , H01L31/1804 , Y02E10/547 , Y02P70/521
摘要： 本发明提供一种太阳电池，在该太阳电池中，非晶半导体层(15)位于晶体硅结构的背面上以形成异质结。第一接触结构与晶体层(14)接触，而第二接触结构与非晶层(15)接触。本发明还提供一种形成异质结太阳电池的方法，在该方法中，掺杂的非晶半导体层(15)形成在相反掺杂的晶体硅层(14)上，与该晶体硅层(14)形成背面异质结。随后形成背面接触(16)，与非晶半导体层(15)接触，并且在需要与晶体硅层(14)形成金属接触的位置处形成与晶体硅层(14)相同传导类型的重掺杂区(13)，以便于与随后形成的金属接触(10)接触。
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