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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113355033A
公开(公告)日：2021-09-07
申请号：CN202110245931.8
申请日：2021-03-05
Applicant: 日东电工株式会社
IPC: C09J7/25 , C09J7/50 , C09J7/38 , C09J133/08
Abstract: 本发明涉及压敏粘合带。提供一种压敏粘合带，其在紫外线照射前对被粘物具有优异的压敏粘合强度，并且在紫外线照射后具有优异的剥离性。所述压敏粘合带包括：包含紫外线固化型压敏粘合剂和光聚合引发剂的压敏粘合剂层；包含光聚合引发剂并且不含紫外线固化性组分的中间层；和基材。当所述中间层包含所述光聚合引发剂时，在紫外线照射后可以表现出优异的剥离性。
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公开(公告)号：CN115572552A
公开(公告)日：2023-01-06
申请号：CN202210722864.9
申请日：2022-06-21
Applicant: 日东电工株式会社
IPC: C09J7/29 , C09J7/38 , H01L21/683
Abstract: 本发明涉及半导体晶片加工用压敏粘合片。提供一种半导体晶片加工用压敏粘合片，其与半导体晶片的密合性优异，并且其具有轻剥离性并且可以抑制残胶。根据本发明的至少一个实施方案的半导体晶片加工用压敏粘合片依次包括：基材；中间层；和紫外线固化型压敏粘合剂层，其中所述中间层的室温下的储能弹性模量G′1RT为300kPa～2,000kPa，并且80℃下的储能弹性模量G′180为10kPa～500kPa，其中所述紫外线固化型压敏粘合剂层的室温下的储能弹性模量G′2RT为100kPa～1,000kPa，并且80℃下的储能弹性模量G′280为10kPa～1,000kPa，并且其中G′1RT/G′2RT为1以上。
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公开(公告)号：CN115926655A
公开(公告)日：2023-04-07
申请号：CN202211210412.9
申请日：2022-09-30
Applicant: 日东电工株式会社
IPC: C09J7/29 , C09J7/38 , C09J4/02 , C09J4/06 , H01L21/683
Abstract: 本发明涉及背面研磨带。提供一种背面研磨带，其具有优异的凹凸嵌入性和优异的压敏粘合性，并且可以防止剥离时被粘物上的残胶。该背面研磨带包括：基材；和UV固化性压敏粘合剂层，其中未经UV照射的所述UV固化性压敏粘合剂层在25℃下的剪切储能弹性模量G′1为0.175MPa以上，并且对硅的压敏粘合力为1N/20mm以上，并且其中所述背面研磨带的经UV照射的UV固化性压敏粘合剂层在25℃下的拉伸储能弹性模量E′1为300MPa以下，并且对硅的压敏粘合力为0.15N/20mm以下。
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公开(公告)号：CN118813163A
公开(公告)日：2024-10-22
申请号：CN202410472524.4
申请日：2024-04-19
Applicant: 日东电工株式会社
Abstract: 提供能兼顾优异的凹凸的埋入性和切割性的背面研磨带。本发明的实施方式的背面研磨带具备基材、中间层和粘合剂层，该中间层的纳米压痕硬度(25℃)为0.001MPa～0.200MPa。该粘合剂层的纳米压痕硬度(25℃)为0.001MPa～0.080MPa，该中间层及该粘合剂层中的至少一者的厚度为50μm以上，该厚度为50μm以上的层的卸载曲线位移量为8000μm以下。
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公开(公告)号：CN115926633A
公开(公告)日：2023-04-07
申请号：CN202211210351.6
申请日：2022-09-30
Applicant: 日东电工株式会社
IPC: C09J4/06 , C09J4/02 , C09J7/38 , C09J7/50 , C08F220/18 , C08F220/14 , C08F220/20
Abstract: 本发明涉及用于半导体加工用压敏粘合带的压敏粘合剂组合物和使用该压敏粘合剂组合物的压敏粘合带。提供一种用于半导体加工用压敏粘合带的压敏粘合剂组合物，其具有优异的凹凸嵌入性和优异的压敏粘合性，并且可以防止剥离时在被粘物上的残胶。用于半导体加工用压敏粘合带的压敏粘合剂组合物包含：基础聚合物；和光聚合引发剂，其中，所述基础聚合物是通过使包含具有羟基的聚合物和由式(1)表示的单体的单体组合物聚合而获得的聚合物：其中"n"表示1以上的整数。
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