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公开(公告)号:CN112322203A
公开(公告)日:2021-02-05
申请号:CN202010773172.8
申请日:2020-08-04
Applicant: 日东电工株式会社
IPC: C09J7/25 , C09J7/24 , C09J7/38 , C09J133/08
Abstract: 本发明提供可供于电子部件材料的固定的粘合片,该粘合片的伸缩性优异、并且即使进行反复的伸缩操作也能维持良好的伸缩性。本发明的粘合片具备:基材、和配置于该基材的至少单侧的粘合剂层,该基材包含选自由聚氨酯系树脂、苯乙烯系弹性体及丙烯系弹性体组成的组中的至少1种。
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公开(公告)号:CN103081070A
公开(公告)日:2013-05-01
申请号:CN201280002593.4
申请日:2012-07-02
Applicant: 日东电工株式会社
IPC: H01L21/301 , C09J7/02
CPC classification number: H01L21/78 , C08K5/005 , C09J7/38 , C09J11/06 , C09J2201/622 , C09J2203/326 , C09J2205/102 , H01L21/6836 , H01L2221/68336 , Y10T428/28 , Y10T428/2848
Abstract: 本发明的目的在于提供在对半导体晶圆进行激光划片时可防止吸附工作台损伤的切割用粘合片。本发明提供一种切割用粘合片,其为具有基材和设置在基材上的粘合剂层的切割用粘合片,在粘合剂层中,相对于100重量份树脂固体成分,含有0.02~5重量份的紫外线吸收剂,切割用粘合片在波长355nm下的透光率为30~80%。
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公开(公告)号:CN102093827A
公开(公告)日:2011-06-15
申请号:CN201010520031.1
申请日:2010-10-22
Applicant: 日东电工株式会社
IPC: C09J7/02 , C09J133/00 , C09J133/08 , H01L21/68
CPC classification number: B32B27/40 , B32B27/16 , B32B27/281 , B32B27/302 , B32B27/304 , B32B27/32 , B32B27/34 , B32B27/36 , B32B2307/308 , B32B2307/50 , B32B2307/51 , B32B2307/748 , B32B2405/00 , B32B2457/14 , C09J7/22 , C09J7/38 , C09J2203/326 , C09J2433/00 , Y10T428/265 , Y10T428/28 , Y10T428/2891
Abstract: 本发明的目的是提供一种再剥离性粘合片,其能够降低晶片的翘曲、破裂、边缘的缺口,并能够降低针对温度变化的粘合力的上升和/或再剥离时的被粘物的污染,可容易地剥离。该粘合片具备基材和层叠在该基材表面上的粘合剂层,是半导体晶片背面磨削用的再剥离性粘合片,该粘合片的弹性模量为103MPa以上,在60℃下加热10分钟后的加热收缩率为1%以下,并且粘合剂层设定为一定的厚度,使得在前述粘合片的三点弯曲试验中,在自该粘合剂层侧的30μm压入量下,最大点应力为200g/cm以下。
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公开(公告)号:CN101993667A
公开(公告)日:2011-03-30
申请号:CN201010249200.2
申请日:2010-08-05
Applicant: 日东电工株式会社
IPC: C09J7/02 , C09J133/08 , H01L21/68 , H01L21/302
CPC classification number: H01L21/6836 , B32B37/1284 , B32B38/164 , B32B2309/02 , B32B2309/105 , B32B2310/0806 , B32B2310/0831 , C09J7/29 , C09J2203/326 , C09J2433/00 , H01L2221/6834 , Y10T428/24959
Abstract: 本发明的目的在于,提供一种半导体晶圆保持保护用粘合片及半导体晶圆的背面磨削方法,该粘合片能够有效地防止因近年来半导体晶圆的电路图案等的形成面中的凹凸引起的残胶。一种半导体晶圆保持保护用粘合片,其是用于粘附在半导体晶圆表面来保持保护半导体晶圆的粘合片(40),中间层(20)及粘合剂层(30)以该顺序配置在基材层(10)的单面,粘合剂层(30)利用辐射线固化型粘合剂以厚度1~50μm而形成,且断裂应力为0.5~10MPa,中间层(20)以厚度10~500μm而形成,且弹性模量为0.01~5MPa。
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公开(公告)号:CN107418463B
公开(公告)日:2021-11-16
申请号:CN201710370357.2
申请日:2017-05-23
Applicant: 日东电工株式会社
Abstract: 本发明提供一种具有良好的柔软性且扩晶性优异的切割带。本发明的切割带具备基材层和配置在该基材层的至少单侧的粘合剂层,形成该粘合剂层的粘合剂包含(甲基)丙烯酸类聚合物和增塑剂,该基材层包含聚氯乙烯系树脂以及与该粘合剂中包含的增塑剂具有相同结构的增塑剂。在一个实施方式中,上述粘合剂中包含的增塑剂为对苯二甲酸双(2‑乙基己基)酯、邻苯二甲酸二异壬酯和/或己二酸聚酯系增塑剂。
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公开(公告)号:CN110494958A
公开(公告)日:2019-11-22
申请号:CN201880024706.8
申请日:2018-03-20
Applicant: 日东电工株式会社
IPC: H01L21/301 , C09J7/20 , C09J11/06 , C09J201/00
Abstract: 本发明的晶圆加工用粘合片(10)具有层叠结构,所述层叠结构包含:作为含有增塑剂的聚烯烃系基材的基材(11)、以及含有增塑剂的粘合剂层(12)。相对于粘合剂层(12)中的粘合剂100质量份,粘合剂层(12)中的增塑剂的含量例如为1~100质量份。这种晶圆加工用粘合片适于抑制晶圆切割时所产生的粉尘向加工对象物的附着。
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公开(公告)号:CN102169849B
公开(公告)日:2014-05-28
申请号:CN201010623081.2
申请日:2010-12-27
Applicant: 日东电工株式会社
CPC classification number: H01L21/67132 , B32B7/12 , C09J7/22 , C09J7/38 , C09J2201/36 , C09J2203/326 , H01L24/45 , H01L2224/45124 , H01L2224/45144 , H01L2224/45147 , H01L2224/48091 , H01L2224/73265 , H01L2924/01015 , H01L2924/01047 , H01L2924/10253 , H01L2924/3025 , Y10T428/24331 , Y10T428/24777 , Y10T428/24802 , H01L2924/00014 , H01L2924/00
Abstract: 本发明涉及芯片保持用胶带、芯片状工件的保持方法、使用芯片保持用胶带的半导体装置制造方法及芯片保持用胶带的制造方法。本发明提供容易进行芯片状工件的粘贴剥离的芯片保持用胶带。一种芯片保持用胶带,具有在基材上形成有粘合剂层的构成,所述粘合剂层具有用于粘贴芯片状工件的芯片状工件粘贴区域和用于粘贴安装框架的框架粘贴区域,所述芯片保持用胶带通过将安装框架粘贴到所述框架粘贴区域上来使用,其中,所述粘合剂层中,在测定温度23±3℃、牵引速度300mm/分钟的条件下,所述框架粘贴区域中的对镜面硅晶片的180度剥离粘合力为所述芯片状工件粘贴区域中的对镜面硅晶片的180度剥离粘合力的5倍以上。
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公开(公告)号:CN113355033A
公开(公告)日:2021-09-07
申请号:CN202110245931.8
申请日:2021-03-05
Applicant: 日东电工株式会社
IPC: C09J7/25 , C09J7/50 , C09J7/38 , C09J133/08
Abstract: 本发明涉及压敏粘合带。提供一种压敏粘合带,其在紫外线照射前对被粘物具有优异的压敏粘合强度,并且在紫外线照射后具有优异的剥离性。所述压敏粘合带包括:包含紫外线固化型压敏粘合剂和光聚合引发剂的压敏粘合剂层;包含光聚合引发剂并且不含紫外线固化性组分的中间层;和基材。当所述中间层包含所述光聚合引发剂时,在紫外线照射后可以表现出优异的剥离性。
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公开(公告)号:CN103865416A
公开(公告)日:2014-06-18
申请号:CN201310670648.5
申请日:2013-12-10
Applicant: 日东电工株式会社
IPC: C09J7/02 , C09J9/02 , H01L21/683
Abstract: 本发明提供切割胶带一体型粘接片、使用切割胶带一体型粘接片的半导体装置的制造方法及半导体装置,所述切割胶带一体型粘接片可在半导体装置的制造工序中防止半导体芯片上的电路被破坏。一种切割胶带一体型粘接片,其为具有在基材上层叠有粘合剂层的切割胶带、和在粘合剂层上形成的粘接片的切割胶带一体型粘接片,其中,在剥离速度10m/分钟、剥离角度150°下的剥离试验中的、粘合剂层与粘接片的剥离力为0.02~0.5N/20mm,根据基于前述剥离试验的条件将粘合剂层与粘接片剥离时的剥离静电压的绝对值为0.5kV以下。
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公开(公告)号:CN103779371A
公开(公告)日:2014-05-07
申请号:CN201310499119.3
申请日:2013-10-22
Applicant: 日东电工株式会社
IPC: H01L27/146
CPC classification number: H01L24/94 , H01L2924/15788 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供一种半导体元件的制造方法,其能够以优异的生产效率制造具有贯通导电路径的半导体元件。本发明的制造方法包括:[工序A],准备半导体晶圆,所述半导体晶圆具有形成有多个半导体元件的有源面、在与该有源面相反侧的面上形成的规定的图案的导电层、以及连接该有源面和其相反侧的面的贯通导电路径;[工序B],在该导电层上形成焊料凸块;以及[工序C],切割该半导体晶圆,其中,该[工序A]包括在具有形成有多个半导体元件的有源面的半导体晶圆的该有源面侧贴附有保护带的状态下,对与该有源面相反侧的面进行磨削的步骤,从该磨削起至[工序C]的切割为止在贴附该保护带的状态下进行。
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