公开(公告)号：CN117642475A

公开(公告)日：2024-03-01

申请号：CN202280049288.4

申请日：2022-06-30

Applicant: 日东电工株式会社

Inventor： 由藤拓三 ,  加藤和通 ,  中尾航大

IPC: C09J7/38 ,  C09J133/00 ,  C09J11/06

Abstract: 本发明提供一种粘合片，其对被粘物的表面形状的追随性良好，且可减少在粘合剂层上进行半导体芯片的树脂密封的使用方式中上述芯片与密封树脂的高低差。本发明提供一种粘合片，其具备基材、及配置于该基材的至少单侧的粘合剂层。上述粘合片的构成上述粘合剂层的表面的粘合剂的利用脉冲NMR所得的S成分的T2弛豫时间(T2sA)为45μsec以下，且在上述粘合片的截面中在自上述基材向上述粘合剂层的表面侧的距离为4μm的位置处所测得的压痕硬度H2为0.001MPa以上且0.090MPa以下。

公开(公告)号：CN116368199A

公开(公告)日：2023-06-30

申请号：CN202180069545.6

申请日：2021-10-22

Applicant: 日东电工株式会社

Inventor： 由藤拓三 ,  加藤和通 ,  中尾航大

IPC: C09J133/00

Abstract: 提供一种粘合片，其对用于将半导体芯片密封的密封树脂和半导体芯片具有适度的粘合性，能够从该密封树脂容易地剥离，难以产生剥离时的残胶，且将粘合片剥离后难以产生半导体芯片与密封树脂的高度差。本发明的粘合片具备基材和配置在该基材的至少单侧的粘合剂层，该粘合剂层包含丙烯酸系粘合剂，该粘合片的、使用TMA的23℃环境下的凹陷量为5μm以下，该粘合剂层的基于脉冲NMR的S成分的T2弛豫时间(T2s)为45μsec以下。

公开(公告)号：CN112639040A

公开(公告)日：2021-04-09

申请号：CN201980058071.8

申请日：2019-08-19

Applicant: 日东电工株式会社

Inventor： 上野周作 ,  由藤拓三 ,  平山高正

IPC: C09J7/38 ,  C09J11/06 ,  C09J11/08 ,  C09J125/08 ,  C09J201/00 ,  H01L21/304

Abstract: 提供一种粘合片，其可以在硬脆基板的背面磨削工序中用于硬脆基板的磨削，其磨削精度、低污染性、生产率、及固定性均优异。本发明的粘合片具备粘合剂层，该粘合剂层包含：含有基础聚合物的粘合剂；和发泡温度为90℃以上的发泡剂，将该粘合片的粘合面贴合于硅芯片时的剪切粘接强度在25℃的环境温度下为1.0MPa以上、且在80℃的环境温度下为0.2MPa以上。

公开(公告)号：CN103965797B

公开(公告)日：2018-05-01

申请号：CN201410042416.X

申请日：2014-01-28

Applicant: 日东电工株式会社

Inventor： 由藤拓三 ,  铃木俊隆 ,  西尾昭德 ,  矢田贝隆浩

IPC: C09J7/24

Abstract: 本发明提供一种粘合带，其为可用作切割带的粘合带，该粘合带的厚度不均匀的标准偏差σ小，对抗扩展、销顶起的应力在该带面内是均匀的。本发明的粘合带在基材的至少一个面上具备粘合剂层，该粘合带的厚度不均匀的标准偏差σ为2.0μm以下。

公开(公告)号：CN104080875A

公开(公告)日：2014-10-01

申请号：CN201380007835.3

申请日：2013-02-27

Applicant: 日东电工株式会社

Inventor： 铃木俊隆 ,  石黑繁树 ,  由藤拓三 ,  千田洋毅 ,  松本真理 ,  关口裕香 ,  长友绫 ,  浅井文辉 ,  杉村敏正 ,  白井稚人

IPC: C09J7/02 ,  C09J11/06 ,  C09J133/00 ,  C09J201/00

CPC classification number: H01L21/6836 ,  C08K5/20 ,  C09J7/22 ,  C09J7/30 ,  C09J2201/122 ,  C09J2203/326 ,  C09J2205/102 ,  C09J2205/106 ,  C09J2427/006 ,  C09J2433/00 ,  H01L2221/68327

Abstract: 本发明的目的在于提供在各种环境下都能够得到稳定的粘接特性和剥离特性的粘合带。一种粘合带，其为在热塑性树脂薄膜的单面形成有压敏性粘合剂层的粘合带，其中，至少在热塑性树脂薄膜和压敏性粘合剂层的任一者中含有包含碳数1～4的亚烷基和碳数12～18的饱和脂肪酸残基的亚烷基双饱和脂肪酸酰胺。

公开(公告)号：CN103965797A

公开(公告)日：2014-08-06

申请号：CN201410042416.X

申请日：2014-01-28

Applicant: 日东电工株式会社

Inventor： 由藤拓三 ,  铃木俊隆 ,  西尾昭德 ,  矢田贝隆浩

IPC: C09J7/02

Abstract: 本发明提供一种粘合带，其为可用作切割带的粘合带，该粘合带的厚度不均匀的标准偏差σ小，对抗扩展、销顶起的应力在该带面内是均匀的。本发明的粘合带在基材的至少一个面上具备粘合剂层，该粘合带的厚度不均匀的标准偏差σ为2.0μm以下。

公开(公告)号：CN103045115A

公开(公告)日：2013-04-17

申请号：CN201210393991.5

申请日：2012-10-17

Applicant: 日东电工株式会社

Inventor： 铃木俊隆 ,  由藤拓三 ,  白井稚人

IPC: C09J7/02 ,  B32B27/08 ,  B32B27/30 ,  B32B7/06 ,  H01L21/78

Abstract: 本发明涉及压敏胶粘带用膜和压敏胶粘带。所述压敏胶粘带用膜包含设置在基材膜上的非压敏胶粘层，在通过负压下的吸附进行固定的情况下可以抑制过度密合的发生，通过在所述基材膜上设置所述非压敏胶粘层而有效地抑制卷绕状形式的膜的粘连，且所述膜在从所述卷绕状形式退绕时没有撕裂或破损，在所述非压敏胶粘层与所述基材膜之间具有良好的相容性，且具有良好的对诸如拉伸的变形的追随性。还提供了一种包含这种压敏胶粘带用膜的压敏胶粘带。所述压敏胶粘带用膜包含在塑料膜的一个表面上的非压敏胶粘层，所述塑料膜根据JIS-K-7127测量具有100%以上的最大伸长率，其中所述非压敏胶粘层具有0.1μm以上的算术平均表面粗糙度Ra。

公开(公告)号：CN119463719A

公开(公告)日：2025-02-18

申请号：CN202411072726.6

申请日：2024-08-06

Applicant: 日东电工株式会社

Inventor： 由藤拓三 ,  寺峰主

IPC: C09J7/29 ,  C09J7/30 ,  C09J133/08 ,  C09D133/08

Abstract: 本发明涉及一种粘合片和切割－芯片接合膜。提供一种粘合片，该粘合片尽管包括包含热膨胀性微球的粘合剂层，也能形成平滑性优异的粘合剂层，并且不易阻碍被粘物的扩张性。本发明的实施方式的粘合片依次具备：基材、树脂层以及粘合剂层，该粘合剂层包含热膨胀性微球，该树脂层具有基础聚合物，该基础聚合物的玻璃化转变温度Tg为－35℃～20℃。

公开(公告)号：CN116745377A

公开(公告)日：2023-09-12

申请号：CN202180090650.8

申请日：2021-09-16

Applicant: 日东电工株式会社

Inventor： 中尾航大 ,  由藤拓三 ,  加藤和通

IPC: C09J7/38

Abstract: 本发明提供一种粘合片，该粘合片可以用作对半导体芯片进行树脂封装时的临时固定材料，能够防止粘合片剥离操作后的封装树脂的外观不良。本发明的粘合片具备基材以及配置在该基材的至少单侧的粘合剂层，该粘合剂层包含粘合剂，该粘合剂包含Sp值为19.5(J/cm3)1/2～25(J/cm3)1/2的基础聚合物。

公开(公告)号：CN113528033A

公开(公告)日：2021-10-22

申请号：CN202110428849.9

申请日：2021-04-21

Applicant: 日东电工株式会社

Inventor： 由藤拓三

IPC: C09J7/20 ,  C09J7/10 ,  C09J7/30 ,  C09J133/04

Abstract: 本发明提供兼顾高低差跟随性和剥离性的粘合片。本发明的粘合片具备粘合剂层，其中，在将该粘合片的粘合剂层粘贴于聚酰亚胺(PI)膜时，在23℃下的粘合力为2N/20mm以下，该粘合剂层在70℃下的压痕硬度为3MPa以下。