公开(公告)号：CN100449888C

公开(公告)日：2009-01-07

申请号：CN200610107798.5

申请日：2006-07-21

Applicant: 日亚化学工业株式会社

Inventor： 落合真尚 ,  汤浅功治

IPC: H01S5/00 ,  H01S5/10

CPC classification number: H01S5/028 ,  B82Y20/00 ,  H01S5/0282 ,  H01S5/0287 ,  H01S5/16 ,  H01S5/34333

Abstract: 本发明提供一种可以适应高输出化或短波长化的具有端面保护膜的半导体激光元件。本发明是在光谐振器端面的至少一方上具有电介质膜的半导体激光元件，所述电介质膜是从所述半导体的端面侧开始依次形成由相同元素构成的第一电介质膜和第二电介质膜而成的，所述第一电介质膜含有由单晶构成的膜，所述第二电介质膜含有由非晶质构成的膜。

公开(公告)号：CN1929218A

公开(公告)日：2007-03-14

申请号：CN200610107798.5

申请日：2006-07-21

Applicant: 日亚化学工业株式会社

Inventor： 落合真尚 ,  汤浅功治

IPC: H01S5/00 ,  H01S5/10

CPC classification number: H01S5/028 ,  B82Y20/00 ,  H01S5/0282 ,  H01S5/0287 ,  H01S5/16 ,  H01S5/34333

Abstract: 本发明提供一种可以适应高输出化或短波长化的具有端面保护膜的半导体激光元件。本发明是在光谐振器端面的至少一方上具有电介质膜的半导体激光元件，所述电介质膜是从所述半导体的端面侧开始依次形成由相同元素构成的第一电介质膜和第二电介质膜而成的，所述第一电介质膜含有由单晶构成的膜，所述第二电介质膜含有由非晶质构成的膜。

公开(公告)号：CN219643296U

公开(公告)日：2023-09-05

申请号：CN202223440175.3

申请日：2022-12-20

Applicant: 日亚化学工业株式会社

Inventor： 今井武史 ,  汤浅功治

IPC: H01S5/026 ,  H01S5/0239 ,  H01S5/02345 ,  H01S5/02253 ,  H01S5/02208 ,  H01S5/02326

Abstract: 本实用新型提供减少了斑点噪声的发光装置。具备多个半导体激光元件，包含分别具有第一波长的发光峰值波长的两个以上的第一半导体激光元件；分别具有比第一波长短的第二波长的发光峰值波长的两个以上的第二半导体激光元件；分别具有比第二波长短的第三波长的发光峰值波长的两个以上的第三半导体激光元件，排列为M行N列(M和N分别是M≥2，N≥3的自然数)的矩阵状，在M行N列的整体或者部分多个半导体激光元件在行方向在第一半导体激光元件旁边配置第一半导体激光元件以外的半导体激光元件，在第二半导体激光元件旁边配置第二半导体激光元件以外的半导体激光元件，在第三半导体激光元件旁边配置第三半导体激光元件以外的半导体激光元件。