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公开(公告)号：CN1513222A
公开(公告)日：2004-07-14
申请号：CN02810758.6
申请日：2002-05-31
Applicant: 日亚化学工业株式会社
IPC: H01S5/22
CPC classification number: H01S5/22 , B82Y20/00 , H01S5/028 , H01S5/0282 , H01S5/0286 , H01S5/1082 , H01S5/2231 , H01S5/32341 , H01S5/34333 , H01S2301/18
Abstract: 本发明提供一种半导体激光元件。包含依次叠层第一导电型半导体层、活性层及与第一导电型不同的第二导电型半导体层的结构体，该叠层结构体具有使光向一方向传播的波导路区域和位于两端的激光振荡用谐振器面，所述叠层结构体在一端侧具有区别于所述谐振器面的且包含活性层截面而形成的非谐振器面，该非谐振器面的活性层截面由遮光层所覆盖。由此，可实现在高输出动作时，可获得不存在波纹、并接近高斯分布的良好的FFP的半导体激光元件。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1254893C
公开(公告)日：2006-05-03
申请号：CN02810240.1
申请日：2002-06-12
Applicant: 日亚化学工业株式会社
IPC: H01S5/02
CPC classification number: H01S5/028 , H01S5/0203 , H01S5/0282 , H01S5/0286 , H01S5/1082 , H01S2301/18
Abstract: 本发明的半导体激光器元件，在基板上设置具有被n型层和p型夹着的活性层的半导体层，半导体层具有蚀刻形成的谐振器面和从谐振器面出射方向突出的突出部，其特征在于，从谐振器面到突出部的端面设置保护膜，从谐振器面出射的激光的垂直方向的光放射分布的放射半角比放射临界角大。
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公开(公告)号：CN1509508A
公开(公告)日：2004-06-30
申请号：CN02810240.1
申请日：2002-06-12
Applicant: 日亚化学工业株式会社
IPC: H01S5/02
CPC classification number: H01S5/028 , H01S5/0203 , H01S5/0282 , H01S5/0286 , H01S5/1082 , H01S2301/18
Abstract: 本发明的半导体激光器元件，在基板上设置具有被n型层和p型夹着的活性层的半导体层，半导体层具有蚀刻形成的谐振器面和从谐振器面出射方向突出的突出部，其特征在于，从谐振器面到突出部的端面设置保护膜，从谐振器面出射的激光的垂直方向的光放射分布的放射半角比放射临界角大。
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公开(公告)号：CN100449888C
公开(公告)日：2009-01-07
申请号：CN200610107798.5
申请日：2006-07-21
Applicant: 日亚化学工业株式会社
CPC classification number: H01S5/028 , B82Y20/00 , H01S5/0282 , H01S5/0287 , H01S5/16 , H01S5/34333
Abstract: 本发明提供一种可以适应高输出化或短波长化的具有端面保护膜的半导体激光元件。本发明是在光谐振器端面的至少一方上具有电介质膜的半导体激光元件，所述电介质膜是从所述半导体的端面侧开始依次形成由相同元素构成的第一电介质膜和第二电介质膜而成的，所述第一电介质膜含有由单晶构成的膜，所述第二电介质膜含有由非晶质构成的膜。
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公开(公告)号：CN1929218A
公开(公告)日：2007-03-14
申请号：CN200610107798.5
申请日：2006-07-21
Applicant: 日亚化学工业株式会社
CPC classification number: H01S5/028 , B82Y20/00 , H01S5/0282 , H01S5/0287 , H01S5/16 , H01S5/34333
Abstract: 本发明提供一种可以适应高输出化或短波长化的具有端面保护膜的半导体激光元件。本发明是在光谐振器端面的至少一方上具有电介质膜的半导体激光元件，所述电介质膜是从所述半导体的端面侧开始依次形成由相同元素构成的第一电介质膜和第二电介质膜而成的，所述第一电介质膜含有由单晶构成的膜，所述第二电介质膜含有由非晶质构成的膜。
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公开(公告)号：CN1233077C
公开(公告)日：2005-12-21
申请号：CN02810758.6
申请日：2002-05-31
Applicant: 日亚化学工业株式会社
IPC: H01S5/22
CPC classification number: H01S5/22 , B82Y20/00 , H01S5/028 , H01S5/0282 , H01S5/0286 , H01S5/1082 , H01S5/2231 , H01S5/32341 , H01S5/34333 , H01S2301/18
Abstract: 本发明提供一种半导体激光元件。包含依次叠层第一导电型半导体层、活性层及与第一导电型不同的第二导电型半导体层的结构体，该叠层结构体具有使光向一方向传播的波导路区域和位于两端的激光振荡用谐振器面，所述叠层结构体在一端侧具有区别于所述谐振器面的且包含活性层截面而形成的非谐振器面，该非谐振器面的活性层截面由遮光层所覆盖。由此，可实现在高输出动作时，可获得不存在波纹、并接近高斯分布的良好的FFP的半导体激光元件。
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