氧化铈粒子及其制造方法

    公开(公告)号:CN1708458A

    公开(公告)日:2005-12-14

    申请号:CN200380102269.0

    申请日:2003-10-28

    Abstract: 本发明的氧化铈粒子的制造方法,是将铈化合物从常温开始升温并加热至400℃~1200℃的温度范围来制造氧化铈粒子的方法,其至少包含由2℃/小时~60℃/小时的升温速度组成的升温阶段,或者在升温过程中,经过在供给加湿了的气体的同时进行加热的阶段。利用本发明的方法可以获得一次粒子径的粒子径分布窄的氧化铈粉末,从该粉末制造出的水性氧化铈浆料,如果作为研磨剂使用,则不会降低研磨速度且可以获得高品质的研磨面,因此可提高研磨工序的生产率并可降低成本。本发明的水性氧化铈浆料,作为以二氧化硅为主成分的基板的最终加工用研磨剂是特别有用的。

    被纯化了的活性硅酸液和硅溶胶的制造方法

    公开(公告)号:CN105800622A

    公开(公告)日:2016-07-27

    申请号:CN201610206120.6

    申请日:2012-09-14

    Abstract: 本发明的课题是提供减少了平板状微小粒子的异物的存在量的活性硅酸液的制造方法和减少了该异物的硅溶胶的制造方法。作为解决本发明课题的方法涉及一种满足以下条件的活性硅酸液的制造方法,其特征在于,通过阳离子交换从二氧化硅浓度调整至0.5质量%~10.0质量%的碱金属硅酸盐水溶液中除去碱金属成分而调制活性硅酸液,将该活性硅酸液用1次粒径1.0μm的粒子的除去率为50%以上的过滤器进行过滤,条件(1):按照测定方法A计测的一边的长度为0.2~4.0μm、厚度为1~100nm的平板状微小粒子的存在量为0%~30%。

    研磨用组合物
    8.
    发明授权

    公开(公告)号:CN100503167C

    公开(公告)日:2009-06-24

    申请号:CN200580015925.2

    申请日:2005-05-16

    CPC classification number: C09K3/1463 C09G1/02 C09K3/1409

    Abstract: 本发明的目的是提供一种用于在半导体器件制造工序中的平坦化研磨、和半导体器件的元件隔离工序中的研磨剂。其解决方案是一种含有具备羧基或其盐的水溶性有机化合物(A)成分、和二氧化铈粒子的水性溶胶(B)成分的研磨用组合物,其中二氧化铈粒子的水性溶胶(B)成分是将铈化合物保持在至少2个不同的烧成温度区域内烧成得到的二氧化铈粉末湿式粉碎直至[用激光衍射法测定的水性溶胶中的粒子的平均粒径(b1)]/[通过气体吸附法从比表面积换算的粒子的粒径(b2)]的比显示在1~4、和15~40中的任一范围而得到的。其中(A)成分是丙烯酸铵、甲基丙烯酸铵、氨基酸、和氨基酸衍生物。(B)成分是将铈化合物经过具有200~350℃的范围、和400~550℃的范围或700~850℃的烧成温度区域的烧成过程而得到的二氧化铈粉末进行湿式粉碎得到的。

    氧化铈粒子及其制造方法

    公开(公告)号:CN100337926C

    公开(公告)日:2007-09-19

    申请号:CN200380102269.0

    申请日:2003-10-28

    Abstract: 本发明的氧化铈粒子的制造方法,是将铈化合物从常温开始升温并加热至400℃~1200℃的温度范围来制造氧化铈粒子的方法,其至少包含由2℃/小时~60℃/小时的升温速度组成的升温阶段,或者在升温过程中,经过在供给加湿了的气体的同时进行加热的阶段。利用本发明的方法可以获得一次粒子径的粒子径分布窄的氧化铈粉末,从该粉末制造出的水性氧化铈浆料,如果作为研磨剂使用,则不会降低研磨速度且可以获得高品质的研磨面,因此可提高研磨工序的生产率并可降低成本。本发明的水性氧化铈浆料,作为以二氧化硅为主成分的基板的最终加工用研磨剂是特别有用的。

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