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    研磨用组合物
    2.
    发明公开
    研磨用组合物 失效

    公开(公告)号：CN1953842A

    公开(公告)日：2007-04-25

    申请号：CN200580015925.2

    申请日：2005-05-16

    Applicant: 日产化学工业株式会社

    Inventor： 太田勇夫 ,  谷本健二 ,  高熊纪之

    IPC: B24B37/00 ,  C09K3/14 ,  H01L21/304

    CPC classification number: C09K3/1463 ,  C09G1/02 ,  C09K3/1409

    Abstract: 本发明的目的是提供一种用于在半导体器件制造工序中的平坦化研磨、和半导体器件的元件隔离工序中的研磨剂。其解决方案是一种含有具备羧基或其盐的水溶性有机化合物(A)成分、和二氧化铈粒子的水性溶胶(B)成分的研磨用组合物，其中二氧化铈粒子的水性溶胶(B)成分是将铈化合物保持在至少2个不同的烧成温度区域内烧成得到的二氧化铈粉末湿式粉碎直至[用激光衍射法测定的水性溶胶中的粒子的平均粒径(b1)]/[通过气体吸附法从比表面积换算的粒子的粒径(b2)]的比显示在1～4、和15～40中的任一范围而得到的。其中(A)成分是丙烯酸铵、甲基丙烯酸铵、氨基酸、和氨基酸衍生物。(B)成分是将铈化合物经过具有200～350℃的范围、和400～550℃的范围或700～850℃的烧成温度区域的烧成过程而得到的二氧化铈粉末进行湿式粉碎得到的。

    研磨用组合物
    3.
    发明授权
    研磨用组合物 失效

    公开(公告)号：CN100503167C

    公开(公告)日：2009-06-24

    申请号：CN200580015925.2

    申请日：2005-05-16

    Applicant: 日产化学工业株式会社

    Inventor： 太田勇夫 ,  谷本健二 ,  高熊纪之

    IPC: B24B37/00 ,  C09K3/14 ,  H01L21/304

    CPC classification number: C09K3/1463 ,  C09G1/02 ,  C09K3/1409

    Abstract: 本发明的目的是提供一种用于在半导体器件制造工序中的平坦化研磨、和半导体器件的元件隔离工序中的研磨剂。其解决方案是一种含有具备羧基或其盐的水溶性有机化合物(A)成分、和二氧化铈粒子的水性溶胶(B)成分的研磨用组合物，其中二氧化铈粒子的水性溶胶(B)成分是将铈化合物保持在至少2个不同的烧成温度区域内烧成得到的二氧化铈粉末湿式粉碎直至[用激光衍射法测定的水性溶胶中的粒子的平均粒径(b1)]/[通过气体吸附法从比表面积换算的粒子的粒径(b2)]的比显示在1～4、和15～40中的任一范围而得到的。其中(A)成分是丙烯酸铵、甲基丙烯酸铵、氨基酸、和氨基酸衍生物。(B)成分是将铈化合物经过具有200～350℃的范围、和400～550℃的范围或700～850℃的烧成温度区域的烧成过程而得到的二氧化铈粉末进行湿式粉碎得到的。

    氧化铈粒子及其制造方法
    4.
    发明授权
    氧化铈粒子及其制造方法 失效

    公开(公告)号：CN100337926C

    公开(公告)日：2007-09-19

    申请号：CN200380102269.0

    申请日：2003-10-28

    Applicant: 日产化学工业株式会社

    Inventor： 太田勇夫 ,  谷本健二 ,  高熊纪之

    IPC: C01F17/00 ,  C09K3/14 ,  B24B37/00 ,  H01L21/304

    Abstract: 本发明的氧化铈粒子的制造方法，是将铈化合物从常温开始升温并加热至400℃～1200℃的温度范围来制造氧化铈粒子的方法，其至少包含由2℃/小时～60℃/小时的升温速度组成的升温阶段，或者在升温过程中，经过在供给加湿了的气体的同时进行加热的阶段。利用本发明的方法可以获得一次粒子径的粒子径分布窄的氧化铈粉末，从该粉末制造出的水性氧化铈浆料，如果作为研磨剂使用，则不会降低研磨速度且可以获得高品质的研磨面，因此可提高研磨工序的生产率并可降低成本。本发明的水性氧化铈浆料，作为以二氧化硅为主成分的基板的最终加工用研磨剂是特别有用的。

    结晶性二氧化铈溶胶及其制造方法
    5.
    发明授权
    结晶性二氧化铈溶胶及其制造方法 失效

    公开(公告)号：CN100337925C

    公开(公告)日：2007-09-19

    申请号：CN02105329.4

    申请日：2002-02-26

    Applicant: 日产化学工业株式会社

    Inventor： 太田勇夫 ,  西村透 ,  谷本健二

    IPC: C01F17/00

    CPC classification number: C09G1/02 ,  B82Y30/00 ,  C01F17/0043 ,  C01P2004/53 ,  C01P2004/64 ,  C01P2006/12 ,  C01P2006/40 ,  C09K3/1436 ,  C09K3/1463

    Abstract: 接近单分散的结晶性二氧化铈溶胶及其制造方法。含有结晶性二氧化铈粒子的溶胶，该结晶性二氧化铈粒子，从由气体吸附法测得的比表面积换算出的粒径是10～200nm，(用动态光散射法测得的粒径)/(从由气体吸附法测得的比表面积换算出的粒径)之比处于2～6的范围内。上述含有结晶性二氧化铈粒子的溶胶由溶胶生成工序及将得到的溶胶进行湿式粉碎的工序进行制造，该溶胶生成工序是，在惰性气体的环境下，在水性媒体中，使铈(III)和碱性物质进行反应，在生成氢氧化铈(III)的悬浊液之后，立即向该悬浊液吹入氧气或含氧的气体，生成含有结晶性二氧化铈粒子的溶胶。另外，在300～1100℃下焙烧碳酸铈，得到结晶性氧化铈粒子，再湿式粉碎上述粒子，由上述工序也可以制造含有结晶性二氧化铈粒子的溶胶。

    细长形状硅水溶胶制造方法
    8.
    发明授权
    细长形状硅水溶胶制造方法 失效

    公开(公告)号：CN1022099C

    公开(公告)日：1993-09-15

    申请号：CN89101368.7

    申请日：1989-03-15

    Applicant: 日产化学工业株式会社

    Inventor： 渡部淑 ,  安藤干夫 ,  谷本健二 ,  镜宫务 ,  川岛信

    IPC: C01B33/141

    CPC classification number: C01B33/148 ,  C01B33/145

    Abstract: 本发明提出稳定硅溶胶制造法，溶胶中SiO2高达40wt%，非晶形二氧化硅胶体粒子均匀厚5-20mμ并仅在一个平面内伸长达厚度的5-30倍，方法中(a)强酸Ca或Mg盐水溶液与SiO2浓度1-6wt%且pH2-5的活性硅酸含水胶体液混合，CaO或MgO与SiO2重量比例1500-8500ppm，(b)碱金属氢氧化物或其水溶有机碱或水溶硅酸盐与(a)的混合物混合，硅酸及其盐中SiO2/碱金属总量氧化物M2O的mol比20-200和(c)将(b)所得混合物0.5-40小时内加热到60-250℃。

    稳定性硅溶胶及其制造方法
    9.
    发明公开
    稳定性硅溶胶及其制造方法 失效

    公开(公告)号：CN1036547A

    公开(公告)日：1989-10-25

    申请号：CN89101368.7

    申请日：1989-03-15

    Applicant: 日产化学工业株式会社

    Inventor： 渡部淑 ,  安藤幹夫 ,  谷本健二 ,  镜宫 ,  川岛信

    IPC: C01B33/141

    CPC classification number: C01B33/148 ,  C01B33/145

    Abstract: 提供了一种稳定的硅溶胶及其制造法。该溶胶由这样一种细长形非晶体胶体SiO2粒子在一条介质中分散而成，SiO2浓度0.5～30重量％，即动态光散射法粒径(D1mμ)和氮气吸附法粒径(D2mμ)之比(D1/D2)大于5，D1为40～500mμ，经电子显微镜观察到以5～40mμ范围内同样粗细地仅在一个平面内伸长；它是由(a)向活性硅酸胶体溶液中加入水溶性Ca和/或Mg盐后混合工序、(b)再加一定碱后的混合工序和(c)进一步加热处理工序组成的方法制成的。

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