公开(公告)号：CN113462219B

公开(公告)日：2024-03-12

申请号：CN202110342025.X

申请日：2021-03-30

Applicant: 日挥触媒化成株式会社

Inventor： 港康佑 ,  荒金宏忠 ,  熊泽光章 ,  村口良

IPC: C09D5/24 ,  C09D183/04 ,  C09D7/20

Abstract: [技术问题]提高含有导电粒子以及结合至该导电粒子的粘合剂成分的涂布液的保存稳定性。[技术手段]根据本发明的用于形成导电膜的涂布液含有链状导电粒子、高沸点溶剂、低沸点溶剂以及可结合至链状导电粒子的烷氧基硅烷低聚物。在该涂布液中，相对于链状导电粒子和烷氧基硅烷低聚物的总量，含有35质量％～75质量％的链状导电粒子；在用动态光散射式粒度分布计测定的涂布液的粒径分布中，平均粒径为100nm以上；以体积为基准，从粒径小的一侧累积到16％时的粒径D16与累积到84％时的粒径D84之间的差(D84‑D16)为200nm以上。

公开(公告)号：CN116829254A

公开(公告)日：2023-09-29

申请号：CN202280014219.X

申请日：2022-03-30

Applicant: 日挥触媒化成株式会社

Inventor： 港康佑 ,  荒金宏忠 ,  村口良

IPC: B01J13/00

Abstract: 本发明涉及含有锑掺杂氧化锡的导电粒子的分散液。导电粒子包含由初级粒子连接形成的链状粒子的簇，该分散液中包含1质量％～20质量％的导电粒子，并且，相对于导电粒子的含量包含0.05％～0.5％质量的簇形成剂。在用动态光散射式粒度分布计测定的该分散液的粒径分布中，体积平均粒径为10nm～50nm；以体积为基准，从粒径小的一侧累积到16％时的粒径D16与累积到84％时的粒径D84之差(D84‑D16)为3nm～50nm。根据这样的导电粒子能够实现导电膜的低电阻化。

公开(公告)号：CN113462219A

公开(公告)日：2021-10-01

申请号：CN202110342025.X

申请日：2021-03-30

Applicant: 日挥触媒化成株式会社

Inventor： 港康佑 ,  荒金宏忠 ,  熊泽光章 ,  村口良

IPC: C09D5/24 ,  C09D183/04 ,  C09D7/20

Abstract: [技术问题]提高含有导电粒子以及结合至该导电粒子的粘合剂成分的涂布液的保存稳定性。[技术手段]根据本发明的用于形成导电膜的涂布液含有链状导电粒子、高沸点溶剂、低沸点溶剂以及可结合至链状导电粒子的烷氧基硅烷低聚物。在该涂布液中，相对于链状导电粒子和烷氧基硅烷低聚物的总量，含有35质量％～75质量％的链状导电粒子；在用动态光散射式粒度分布计测定的涂布液的粒径分布中，平均粒径为100nm以上；以体积为基准，从粒径小的一侧累积到16％时的粒径D16与累积到84％时的粒径D84之间的差(D84‑D16)为200nm以上。