公开(公告)号：CN1169191C

公开(公告)日：2004-09-29

申请号：CN99110936.8

申请日：1999-06-26

Applicant: 日新电机株式会社

Inventor： 三宅浩二 ,  林司 ,  桑原创

IPC: H01L21/00 ,  H01L21/265 ,  C30B31/22 ,  H01J37/317 ,  H05H1/00

Abstract: 注入氢负离子的方法包括以下步骤。产生含氢等离子体。在等离子体中产生氢负离子。在等离子体和衬底间形成电场。利用该电场加速来自等离子体的氢负离子，从而将氢负离子注入到衬底的预定深度。

公开(公告)号：CN1242594A

公开(公告)日：2000-01-26

申请号：CN99110936.8

申请日：1999-06-26

Applicant: 日新电机株式会社

Inventor： 三宅浩二 ,  林司 ,  桑原创

IPC: H01L21/00 ,  H01L21/265 ,  C30B31/22 ,  H01J37/317 ,  H05H1/00

Abstract: 注入氢负离子的方法包括以下步骤。产生含氢等离子体。在等离子体中产生氢负离子。在等离子体和衬底间形成电场。利用该电场加速来自等离子体的氢负离子,从而将氢负离子注入到衬底的预定深度。