公开(公告)号：CN101110376A

公开(公告)日：2008-01-23

申请号：CN200610099256.8

申请日：2006-07-21

申请人： 日月光半导体制造股份有限公司

发明人： 伍恩杰 ,  黄友发 ,  陈辉鸿 ,  蔡骐隆

IPC分类号： H01L21/60 ,  H01L21/28 ,  H01L23/485 ,  C09K13/04 ,  C23F1/16

CPC分类号： H01L2224/0361 ,  H01L2224/03912 ,  H01L2224/11 ,  H01L2224/1147 ,  H01L2924/00012

摘要： 本发明公开了一种形成焊接凸块的方法及其刻蚀剂，该方法首先提供一表面形成有一黏着层、一阻障层与一湿润层的基底。然后形成一图案化的光阻层，并且其至少包含一个暴露部分湿润层的开口。接着在开口中填入焊料，再除去光阻层。随后利用一包含硫酸、磷酸、氯化铁、过硫酸铵或过硫酸氢钾的刻蚀剂刻蚀部分湿润层与阻障层。接着用第二刻蚀剂刻蚀部分黏着层，最后再进行回焊制程。