-
公开(公告)号：CN101964249B
公开(公告)日：2013-01-23
申请号：CN201010297904.7
申请日：2010-09-27
Applicant: 日月光半导体制造股份有限公司
CPC classification number: H05K1/165 , H01F17/0033 , H01F27/2804 , H01F2027/2814 , H05K3/222 , H05K2201/086 , H05K2201/10416
Abstract: 本发明公开一种功率电感结构，其通过将磁性材料块设置于多条打线与多个焊接手指或焊接手指对之间，以得到多种功率电感结构。此功率电感结构可以提供高电感以及大电流，且同时符合小尺寸的需求。
-
公开(公告)号：CN105720016B
公开(公告)日：2019-08-02
申请号：CN201410718130.9
申请日：2014-12-02
Applicant: 日月光半导体制造股份有限公司
CPC classification number: H01L2224/16225 , H01L2224/97 , H01L2924/181 , H01L2924/19105 , H01L2924/00012
Abstract: 本发明涉及一种半导体衬底、半导体封装结构和其制造方法。所述半导体衬底包括第一表面、第二表面、第三表面、第一导电部以及第二导电部。所述第二表面相对于所述第一表面。所述第三表面自所述第一表面延伸到所述第二表面。所述第一导电部在所述第三表面上具有第一宽度，且在所述第一表面具有第一面积。所述第二导电部在所述第三表面具有第二宽度，且在所述第一表面具有第二面积，其中所述第二宽度不同于所述第一宽度且所述第二面积不同于所述第一面积。
-
公开(公告)号：CN105720016A
公开(公告)日：2016-06-29
申请号：CN201410718130.9
申请日：2014-12-02
Applicant: 日月光半导体制造股份有限公司
CPC classification number: H01L2224/16225 , H01L2224/97 , H01L2924/181 , H01L2924/19105 , H01L2924/00012
Abstract: 本发明涉及一种半导体衬底、半导体封装结构和其制造方法。所述半导体衬底包括第一表面、第二表面、第三表面、第一导电部以及第二导电部。所述第二表面相对于所述第一表面。所述第三表面自所述第一表面延伸到所述第二表面。所述第一导电部在所述第三表面上具有第一宽度，且在所述第一表面具有第一面积。所述第二导电部在所述第三表面具有第二宽度，且在所述第一表面具有第二面积，其中所述第二宽度不同于所述第一宽度且所述第二面积不同于所述第一面积。
-
公开(公告)号：CN101964249A
公开(公告)日：2011-02-02
申请号：CN201010297904.7
申请日：2010-09-27
Applicant: 日月光半导体制造股份有限公司
CPC classification number: H05K1/165 , H01F17/0033 , H01F27/2804 , H01F2027/2814 , H05K3/222 , H05K2201/086 , H05K2201/10416
Abstract: 本发明公开一种功率电感结构，其通过将磁性材料块设置于多条打线与多个焊接手指或焊接手指对之间，以得到多种功率电感结构。此功率电感结构可以提供高电感以及大电流，且同时符合小尺寸的需求。
-
-
-
Search Results
4
records
(took 0.026 seconds)
