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公开(公告)号：CN106233466B
公开(公告)日：2020-08-07
申请号：CN201580021439.5
申请日：2015-04-22
申请人： 日本化药株式会社
IPC分类号： H01L27/146 , H01L31/10
摘要： 本发明提供一种用于摄像元件用光电转换元件的材料，其包含下述式(1)所示的化合物。使用了包含下述式(1)所示的化合物的用于摄像元件用光电转换元件的材料的光电转换元件在空穴或电子泄漏防止特性、对工艺温度的耐热性、可见光透明性等方面优异。式(1)中，R1和R2各自独立地表示取代或未取代的芳香族基团。
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公开(公告)号：CN109476681A
公开(公告)日：2019-03-15
申请号：CN201780046614.5
申请日：2017-10-26
申请人： 日本化药株式会社
摘要： 本发明的目的在于提供一种在近红外线区域具有吸收带的通过噻吩环具有B-O螯合物结构的新颖二苯并吡咯亚甲基硼螯合化合物、以及使用其的近红外线吸收材料、薄膜、及有机电子器件。即，本发明是下述式(1)所表示的化合物。[化1] (所述式(1)中的X1至X6分别独立，为硫原子、具有氢原子的碳原子或具有取代基R0的碳原子，取代基R0表示烷基、烷氧基、烷硫基、芳香族基、卤素原子、羟基、巯基、硝基、取代氨基、未经取代氨基、氰基、磺基、酰基、氨磺酰基、烷基氨磺酰基、氨甲酰基、或烷基氨甲酰基；另外，X1至X6之中邻接的基团可相互键合而形成环结构)。
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公开(公告)号：CN109476681B
公开(公告)日：2021-04-16
申请号：CN201780046614.5
申请日：2017-10-26
申请人： 日本化药株式会社
摘要： 本发明的目的在于提供一种在近红外线区域具有吸收带的通过噻吩环具有B‑O螯合物结构的新颖二苯并吡咯亚甲基硼螯合化合物、以及使用其的近红外线吸收材料、薄膜、及有机电子器件。即，本发明是下述式(1)所表示的化合物。[化1](所述式(1)中的X1至X6分别独立，为硫原子、具有氢原子的碳原子或具有取代基R0的碳原子，取代基R0表示烷基、烷氧基、烷硫基、芳香族基、卤素原子、羟基、巯基、硝基、取代氨基、未经取代氨基、氰基、磺基、酰基、氨磺酰基、烷基氨磺酰基、氨甲酰基、或烷基氨甲酰基；另外，X1至X6之中邻接的基团可相互键合而形成环结构)。
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公开(公告)号：CN110085742A
公开(公告)日：2019-08-02
申请号：CN201910125769.9
申请日：2015-04-22
申请人： 日本化药株式会社
IPC分类号： H01L51/42 , H01L51/46 , H01L27/146 , C07D495/04
摘要： 本发明涉及用于摄像元件用光电转换元件的材料和包含该材料的光电转换元件。本发明提供一种用于摄像元件用光电转换元件的材料，其包含下述式(1)所示的化合物。使用了包含下述式(1)所示的化合物的用于摄像元件用光电转换元件的材料的光电转换元件在空穴或电子泄漏防止特性、对工艺温度的耐热性、可见光透明性等方面优异。式(1)中，R1和R2各自独立地表示取代或未取代的芳香族基团。
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公开(公告)号：CN106233466A
公开(公告)日：2016-12-14
申请号：CN201580021439.5
申请日：2015-04-22
申请人： 日本化药株式会社
IPC分类号： H01L27/146 , H01L31/10
摘要： 本发明提供一种用于摄像元件用光电转换元件的材料，其包含下述式(1)所示的化合物。使用了包含下述式(1)所示的化合物的用于摄像元件用光电转换元件的材料的光电转换元件在空穴或电子泄漏防止特性、对工艺温度的耐热性、可见光透明性等方面优异。式(1)中，R1和R2各自独立地表示取代或未取代的芳香族基团。
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公开(公告)号：CN109791984A
公开(公告)日：2019-05-21
申请号：CN201780038284.5
申请日：2017-07-18
申请人： 日本化药株式会社
IPC分类号： H01L51/42 , H01L27/146 , H01L27/30 , H01L29/786
摘要： 本发明涉及一种包含下述式(1)表示的化合物的摄像元件用光电转换元件用材料(式(1)中，R1及R2独立表示取代或未取代的杂环缩合芳香族基团)。该材料可提供防止空穴或电子泄漏的特性、空穴或电子传输特性、对制程温度的耐热性及可见光透明性等优异的光电转换元件。
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公开(公告)号：CN115151552A
公开(公告)日：2022-10-04
申请号：CN202180016971.3
申请日：2021-02-19
申请人： 日本化药株式会社
IPC分类号： C07D519/00 , H01L29/786 , H01L51/05 , H01L51/30
摘要： 本发明的目的在于提供于实用制程温度范围下的耐热性优异的缩合多环芳香族化合物、含该化合物的有机薄膜及具有该有机薄膜的有机半导体器件(场效晶体管、有机光电转换元件)。本发明包含通式(1):所示的缩合多环芳香族化合物，(式(1)中，R1及R2的一者为通式(2)或通式(3)：所示的取代基，另一者表示氢原子，(式(2)及式(3)中，n表示0至2的整数。X表示氧原子、硫原子或硒原子。R3表示氢原子或取代或未取代的芳香族烃基))。
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公开(公告)号：CN114728981A
公开(公告)日：2022-07-08
申请号：CN202080080360.0
申请日：2020-12-04
申请人： 日本化药株式会社
IPC分类号： C07D495/04
摘要： 本发明的课题是提供用简便的合成方法而可导入各种取代基的缩合多环芳香族化合物、包含该化合物的有机薄膜及具有该有机薄膜的有机光电转换元件以及场效晶体管。所以，提供下述的解决手段；通式(1)表示的缩合多环芳香族化合物(式(1)中，R1及R2中的一者表示通式(2)所示的取代基，另一者表示氢原子(式(2)中，n表示0至2的整数，R3及R4分别独立地表示从芳香族烃化合物除去2个氢原子后的2价连结基或从包含氮原子、氧原子或硫原子的任一者的6元环以上的杂环化合物除去2个氢原子后的2价连结基，n为2时，存在多个的R4可互为相同或相异，R5表示从芳香族烃化合物除去1个氢原子后的残基或从包含氮原子、氧原子或硫原子的任一者的6元环以上的杂环化合物除去1个氢原子后的残基；但排除R3及R4全部为从芳香族烃化合物除去2个氢原子后的2价连结基且R5为从芳香族烃化合物除去1个氢原子后的残基的情况))。
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公开(公告)号：CN114269754A
公开(公告)日：2022-04-01
申请号：CN202080056768.4
申请日：2020-09-07
申请人： 日本化药株式会社
IPC分类号： C07D495/04 , H01L51/05 , H01L51/30
摘要： 本发明的目的为提供在实用的制程温度区域具有优异耐热性的稠合多环芳香族化合物、包含该化合物的有机薄膜及具有该有机薄膜的有机半导体装置(电场效应晶体管、有机光电转换元件)。本发明包含下述通式(1)表示的稠合多环芳香族化合物。稠合多环芳香族化合物为通式(1)表示的稠合多环芳香族化合物，(式(1)中，R1及R2中的一者如通式(2)表示，且表示包含3至5个环结构的取代基，另一者表示氢原子)，(式(2)中，n表示0至2的整数。R3表示自苯或萘去除2个氢原子后的二价连结基。R4表示自芳香族烃的芳香环去除2个氢原子后的二价连结基，在n为2的情况，多个存在的R4可彼此相同，也可不同。R5表示芳香族烃基)。
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