公开(公告)号：CN119480599A

公开(公告)日：2025-02-18

申请号：CN202410899166.5

申请日：2024-07-05

Applicant: 日本特殊陶业株式会社

Inventor： 稻吉辉 ,  辻正树 ,  乾靖彦

IPC: H01J37/32 ,  H01J37/20 ,  H01L21/683

Abstract: 本发明提供一种保持装置，具备以高纯度的陶瓷为主成分的板状部件和与配置于其内部的电极层的紧贴性优异的保持基板。本发明的保持装置具备保持基板，该保持基板具有：板状部件，包括保持对象物的第一表面及配置于第一表面的相反侧的第二表面，且含有陶瓷作为主成分；及电极层，配置于板状部件的内部，含有导电材料作为主成分且含有陶瓷作为副成分。板状部件包括：第一介电层，配置在电极层的第一表面侧，主成分的含有率为99质量％以上；及第二介电层，配置在电极层的第二表面侧，主成分的含有率为99质量％以上。电极层的第一表面侧的表面的分形维数D为1.18以上。

公开(公告)号：CN119054065A

公开(公告)日：2024-11-29

申请号：CN202380033069.1

申请日：2023-03-15

Applicant: 日本特殊陶业株式会社

Inventor： 南端友哉 ,  上松秀树 ,  山口贵司 ,  稻吉辉

IPC: H01L21/683

Abstract: 一种保持构件，其以陶瓷作为主要成分，用于保持对象物，其特征在于，保持构件具有作为保持对象物的那一侧的面的保持面，保持面中的至少一部分的表面由第1陶瓷晶体颗粒构成，比保持面靠内侧的部分由第2陶瓷晶体颗粒构成，作为第1陶瓷晶体颗粒的粒径的第1粒径比作为第2陶瓷晶体颗粒的粒径的第2粒径小。

公开(公告)号：CN119181670A

公开(公告)日：2024-12-24

申请号：CN202410789911.0

申请日：2024-06-19

Applicant: 日本特殊陶业株式会社

Inventor： 稻吉辉 ,  上松秀树

IPC: H01L21/683

Abstract: 提供能够降低接合层的热阻的技术。保持装置满足以下的条件(A)～(C)中的至少一个。条件(A)：包含与保持构件或基部构件接触的填料。条件(B)：将在接合层中从与保持构件之间的界面和与基部构件之间的界面算起为1μm以下的范围中、填料的截面积的总和所占的比例设为第1比例和第2比例，将在接合层中从接合层的厚度方向上的中央向保持构件侧和基部构件侧为接合层的厚度的30％以下的范围中、填料的截面积的总和所占的比例设为第3比例，此时，第1比例除以第3比例所得到的值和第2比例除以第3比例所得到的值中的至少一者为0.5以上。条件(C)：填料中的纵横比为1.4以上的填料比纵横比小于1.4的填料多。