公开(公告)号：CN101983417A

公开(公告)日：2011-03-02

申请号：CN200980112091.5

申请日：2009-03-27

Applicant: 日本瑞翁株式会社

Inventor： 铃木健文 ,  伊东安曇

IPC: H01L21/3065 ,  H01L21/768

CPC classification number: H01L21/31116

Abstract: 一种等离子体蚀刻方法，包括在等离子体条件下使用工艺气体对蚀刻目标进行蚀刻，该工艺气体含有式(1)：CxHyFz表示的饱和氟代烃，其中x是3、4或5，y和z分别为正整数，并且满足y＞z。当蚀刻覆盖形成在蚀刻目标上的氧化硅膜的氮化硅膜时，能够通过在等离子体条件下利用含有特定的氟代烃的工艺气体相对于氧化硅膜选择性地蚀刻氮化硅膜。

公开(公告)号：CN107851564A

公开(公告)日：2018-03-27

申请号：CN201680042427.5

申请日：2016-03-24

Applicant: 国际商业机器公司 ,  日本瑞翁株式会社

Inventor： R·L·布鲁斯 ,  E·A·乔瑟夫 ,  J·李 ,  铃木健文

IPC: H01L21/302 ,  H01L21/768 ,  H01L21/027 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/31 ,  H01L23/522

CPC classification number: H01L21/31116 ,  H01L21/76802 ,  H01L21/76816 ,  H01L21/76877 ,  H01L23/528 ,  H01L23/5329

Abstract: 在一个实施例中，一种用于互连制造的氢氟烃气体辅助的等离子体蚀刻方法包括提供介电材料层以及通过施加侵蚀性介质蚀刻气体和聚合蚀刻气体的混合物到介电材料层以在介电材料层中蚀刻沟槽。在另一个实施例中，集成电路包括多个半导体器件和连接该多个半导体器件的多条导线。多条导线的间距约为二十八纳米。

公开(公告)号：CN102026946B

公开(公告)日：2014-03-12

申请号：CN200980111856.3

申请日：2009-07-13

Applicant: 日本瑞翁株式会社

Inventor： 杉本达也 ,  铃木健文 ,  小名川丈

IPC: C07C17/23 ,  B01J23/644 ,  C07C23/06 ,  C07C23/08 ,  C07B61/00

CPC classification number: C07C17/23 ,  C07C23/06 ,  C07C23/08

Abstract: 在钯负载量为0.1～2.5重量％的负载型钯催化剂存在的情况下，将通式(I)所示的含氟卤化物通过与氢以气相进行接触，得到通式(II)所示的含氢氟烯烃化合物，其中，相对于所述含氟卤化物，氢为0.1～3摩尔当量。式中，n为0～3整数，X为氯原子、溴原子或者碘原子。

公开(公告)号：CN101983417B

公开(公告)日：2013-04-24

申请号：CN200980112091.5

申请日：2009-03-27

Applicant: 日本瑞翁株式会社

Inventor： 铃木健文 ,  伊东安曇

IPC: H01L21/3065 ,  H01L21/768

CPC classification number: H01L21/31116

Abstract: 一种等离子体蚀刻方法，包括在等离子体条件下使用工艺气体对蚀刻目标进行蚀刻，该工艺气体含有式(1)：CxHyFz表示的饱和氟代烃，其中x是3、4或5，y和z分别为正整数，并且满足y＞z。当蚀刻覆盖形成在蚀刻目标上的氧化硅膜的氮化硅膜时，能够通过在等离子体条件下利用含有特定的氟代烃的工艺气体相对于氧化硅膜选择性地蚀刻氮化硅膜。

公开(公告)号：CN102026946A

公开(公告)日：2011-04-20

申请号：CN200980111856.3

申请日：2009-07-13

Applicant: 日本瑞翁株式会社

Inventor： 杉本达也 ,  铃木健文 ,  小名川丈

IPC: C07C17/23 ,  B01J23/644 ,  C07C23/06 ,  C07C23/08 ,  C07B61/00

CPC classification number: C07C17/23 ,  C07C23/06 ,  C07C23/08

Abstract: 在钯负载量为0.1～2.5重量％的负载型钯催化剂存在的情况下，将通式(I)所示的含氟卤化物通过与氢以气相进行接触，得到通式(II)所示的含氢氟烯烃化合物，其中，相对于所述含氟卤化物，氢为0.1～3摩尔当量。式中，n为0～3整数，X为氯原子、溴原子或者碘原子。