公开(公告)号：CN100459067C

公开(公告)日：2009-02-04

申请号：CN200580001196.5

申请日：2005-05-18

申请人： 日本电信电话株式会社

发明人： 赤毛勇一 ,  深野秀树 ,  山中孝之 ,  斋藤正

IPC分类号： H01L21/3205 ,  H01L21/60 ,  H01L27/14 ,  H01S5/042

摘要： 本发明提供一种减小电极焊盘部分的电容，同时对于实用性的电极焊盘尺寸能够进行特性阻抗的控制的半导体衬底上的电极焊盘。在n-InP衬底1上，形成将n-InP包层2、i层3、p-InP包层与p型接触层4叠层而成的台面条纹型的光波导，在n-InP衬底1上形成在光波导的附近具有台面状淀积部8c的绝缘性材料膜8，将向光波导供给电信号的电极金属11a和布线金属11b、11c分别配置在光波导和绝缘性材料膜8之上，同时将电极焊盘10配置在台面状淀积部8c的上面，使得n-InP衬底1与电极焊盘10具有规定的间隔t1(大约17～29μm)。

公开(公告)号：CN1288764C

公开(公告)日：2006-12-06

申请号：CN03158879.4

申请日：2003-09-16

申请人： 日本电信电话株式会社

发明人： 松冈隆志 ,  深野秀树

IPC分类号： H01L33/00 ,  H01S5/02

CPC分类号： B82Y20/00 ,  G02F1/01725 ,  G02F2001/01766 ,  G02F2202/101 ,  H01S5/0265

摘要： 在本发明的半导体光调制器中，用作光吸收层的量子阱结构的每个量子阱层和每个势垒层分别由In1-X-YGaXAlYN(0≤X，Y≤1，0≤X+Y≤1)和In1-X′-Y′GaX′AlY′N(0≤X′，Y′≤1，0≤X′+Y′≤1)构成。通过自发极化，在光吸收层中产生电场。

公开(公告)号：CN1860598A

公开(公告)日：2006-11-08

申请号：CN200580001196.5

申请日：2005-05-18

申请人： 日本电信电话株式会社

发明人： 赤毛勇一 ,  深野秀树 ,  山中孝之 ,  斋藤正

IPC分类号： H01L21/3205 ,  H01L21/60 ,  H01L27/14 ,  H01S5/042

摘要： 本发明提供一种减小电极焊盘部分的电容，同时对于实用性的电极焊盘尺寸能够进行特性阻抗的控制的半导体衬底上的电极焊盘。在n－InP衬底1上，形成将n－InP包层2、i层3、p－InP包层与p型接触层4叠层而成的台面条纹型的光波导，在n－InP衬底1上形成在光波导的附近具有台面状淀积部8c的绝缘性材料膜8，将向光波导供给电信号的电极金属11a和布线金属11b、11c分别配置在光波导和绝缘性材料膜8之上，同时将电极焊盘10配置在台面状淀积部8c的上面，使得n－InP衬底1与电极焊盘10具有规定的间隔t1(大约17～29μm)。

公开(公告)号：CN1764862A

公开(公告)日：2006-04-26

申请号：CN200580000068.9

申请日：2005-03-18

申请人： 日本电信电话株式会社

发明人： 中岛裕树 ,  山中孝之 ,  深野秀树 ,  赤毛勇一 ,  田村宗久 ,  斋藤正

IPC分类号： G02F1/01

CPC分类号： G02F1/01708 ,  B82Y20/00 ,  G02F1/0316 ,  G02F1/0356

摘要： 在具有电/光相互作用区域(11)的光调制器件(10)中，电信号线(3)与电信号输入端(2a)相连，另一电信号线(4a)与电信号输出端(2b)相连，以及反射控制电路(5)与所述另一电信号线(4a)相连。此反射控制电路(5)是必然反射来自光调制器件(10)的相互作用区域(11)的输出电信号的阻抗元件。这使其能够提高可以改善E/O(电/光)响应特性的上限频率，并改善E/O响应的频率特性的平坦度，而不会恶化E/O响应的绝对值。

公开(公告)号：CN100383610C

公开(公告)日：2008-04-23

申请号：CN200580000068.9

申请日：2005-03-18

申请人： 日本电信电话株式会社

发明人： 中岛裕树 ,  山中孝之 ,  深野秀树 ,  赤毛勇一 ,  田村宗久 ,  斋藤正

IPC分类号： G02F1/035 ,  H03B5/00

CPC分类号： G02F1/01708 ,  B82Y20/00 ,  G02F1/0316 ,  G02F1/0356

摘要： 在具有电/光相互作用区域(11)的光调制器件(10)中，电信号线(3)与电信号输入端(2a)相连，另一电信号线(4a)与电信号输出端(2b)相连，以及反射控制电路(5)与所述另一电信号线(4a)相连。此反射控制电路(5)是必然反射来自光调制器件(10)的相互作用区域(11)的输出电信号的阻抗元件。这使其能够提高可以改善E/O(电/光)响应特性的上限频率，并改善E/O响应的频率特性的平坦度，而不会恶化E/O响应的绝对值。

公开(公告)号：CN1490644A

公开(公告)日：2004-04-21

申请号：CN03158879.4

申请日：2003-09-16

申请人： 日本电信电话株式会社

发明人： 松冈隆志 ,  深野秀树

IPC分类号： G02F1/025 ,  G02B6/12 ,  G02B6/42 ,  H01S3/10 ,  H04B10/04

CPC分类号： B82Y20/00 ,  G02F1/01725 ,  G02F2001/01766 ,  G02F2202/101 ,  H01S5/0265

摘要： 在本发明的半导体光调制器中，用作光吸收层的量子阱结构的每个量子阱层和每个势垒层分别由In1－X－YGaXAlYN(0≤X，Y≤1，0≤X+Y≤1)和In1－X′－Y′GaX′AlY′N(0≤X′，Y′≤1，0≤X′+Y′≤1)构成。通过自发极化，在光吸收层中产生电场。