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公开(公告)号：CN101258416A
公开(公告)日：2008-09-03
申请号：CN200680032909.9
申请日：2006-07-19
Applicant: 日本电气株式会社
IPC: G01R31/312 , G01R1/067
CPC classification number: G01R31/2886 , G01R1/06711 , G01R3/00 , G01R31/3025
Abstract: 根据本发明的半导体器件测试装置具有测试LSI；供电单元；和用于连接测试LSI、供电单元和测试器的中间基板。测试LSI具有测试电路和波形整形电路；介电材料层，其被设置成面对待测试的半导体器件；电极，其被设置在属于介电材料层、并且面对待测试的半导体器件的平面上，与待测试半导体器件的外部端子电极的位置对应的位置中；和第一穿透电极，其穿过介电材料层，连接到电极，用于与外部之间发送和接收信号。供电单元具有独立的弹性探针，该弹性探针被设置在与待测试半导体器件的电源电极对应的位置中，并且在其末端处提供有金属突起；基板材料，其被电连接到探针且具有第一布线层；和穿过该基板的第二穿透电极。
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公开(公告)号：CN101258596A
公开(公告)日：2008-09-03
申请号：CN200680032639.1
申请日：2006-05-31
Applicant: 日本电气株式会社
IPC: H01L25/065 , H01L21/822 , H01L25/07 , H01L25/18 , H01L27/04
CPC classification number: H01L23/645 , H01F17/0013 , H01F41/046 , H01L21/6835 , H01L23/48 , H01L23/481 , H01L23/49816 , H01L23/49838 , H01L23/50 , H01L25/0652 , H01L25/0657 , H01L2221/68345 , H01L2221/68363 , H01L2224/16225 , H01L2225/06527 , H01L2924/10253 , H01L2924/15311 , H01L2924/1532 , H01L2924/30105 , H01L2924/3011 , H01L2924/00
Abstract: 多个LSI芯片(1)堆叠在内插器(2)上。用于信号传输的信号线圈(1b)形成在利用硅基板(1a)形成的LSI芯片(1)的电路形成表面上。该信号线圈(1b)连接到形成在LSI芯片(1)中的电路。通孔(1d)形成在硅基板(1a)的信号线圈(1b)的中心。借助直通导体(2d)连接到焊球(5)的信号线圈(2c)形成在内插器(2)上。由磁性材料制成的磁性引脚(3)被插入到该信号线圈(1b和2c)的中心。
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公开(公告)号：CN100568502C
公开(公告)日：2009-12-09
申请号：CN200680032639.1
申请日：2006-05-31
Applicant: 日本电气株式会社
IPC: H01L25/065 , H01L21/822 , H01L25/07 , H01L25/18 , H01L27/04
CPC classification number: H01L23/645 , H01F17/0013 , H01F41/046 , H01L21/6835 , H01L23/48 , H01L23/481 , H01L23/49816 , H01L23/49838 , H01L23/50 , H01L25/0652 , H01L25/0657 , H01L2221/68345 , H01L2221/68363 , H01L2224/16225 , H01L2225/06527 , H01L2924/10253 , H01L2924/15311 , H01L2924/1532 , H01L2924/30105 , H01L2924/3011 , H01L2924/00
Abstract: 多个LSI芯片(1)堆叠在内插器(2)上。用于信号传输的信号线圈(1b)形成在利用硅基板(1a)形成的LSI芯片(1)的电路形成表面上。该信号线圈(1b)连接到形成在LSI芯片(1)中的电路。通孔(1d)形成在硅基板(1a)的信号线圈(1b)的中心。借助直通导体(2d)连接到焊球(5)的信号线圈(2c)形成在内插器(2)上。由磁性材料制成的磁性引脚(3)被插入到该信号线圈(1b和2c)的中心。
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