公开(公告)号：CN104380848B

公开(公告)日：2019-07-23

申请号：CN201380027731.9

申请日：2013-06-27

申请人： 株式会社村田制作所

发明人： 野田悟

IPC分类号： H05K3/46

CPC分类号： H05K1/0271 ,  H01L23/49822 ,  H01L23/50 ,  H01L2224/16 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2924/3511 ,  H05K1/036 ,  H05K1/0373 ,  H05K1/186 ,  H05K3/284 ,  H05K3/3442 ,  H05K3/4069 ,  H05K3/4602 ,  H05K3/4623 ,  H05K3/4626 ,  H05K3/4652 ,  H05K3/4673 ,  H05K2201/0195 ,  H05K2201/0209 ,  H05K2201/0269 ,  H05K2201/0347 ,  H05K2201/09136 ,  H05K2201/10636 ,  H05K2203/0126 ,  H05K2203/0465 ,  H05K2203/085 ,  H05K2203/1316 ,  H05K2203/1322 ,  Y02P70/611

摘要： 部件内置基板(1)具备：基板部(2)、内置电子部件(3)、和树脂部(5)。基板部(2)具有设置在内侧主面(2A)的内部电极(2C)。内置电子部件(3)具有端子电极(3A)，通过附着于端子电极(3A)和内部电极(2C)的焊料圆角(4)安装在基板部(2)。树脂部(5)以将内置电子部件(3)嵌入的状态层叠在基板部(2)。树脂部(5)具备填料非添加层(5A)和填料添加层(5B)。将填料非添加层(5A)从内侧主面(2A)起设置到至少覆盖焊料圆角(4)的高度。填料添加层(5B)添加无机填料，从与填料非添加层(5A)的界面起设置到至少覆盖内置电子部件(3)的高度。

公开(公告)号：CN106688085B

公开(公告)日：2019-06-18

申请号：CN201480081816.X

申请日：2014-09-09

申请人： 千住金属工业株式会社

发明人： 川崎浩由 ,  六本木贵弘 ,  相马大辅 ,  佐藤勇 ,  川又勇司

IPC分类号： H01L21/60 ,  B22F1/00 ,  H01L21/3205 ,  H01L21/768 ,  H01L23/50 ,  H01L23/522 ,  H05K3/34

CPC分类号： H01L24/13 ,  B22F1/00 ,  B23K35/0227 ,  B23K35/26 ,  B23K35/262 ,  B23K35/30 ,  B23K35/302 ,  B23K35/3615 ,  B32B15/01 ,  B32B15/20 ,  B32B2255/06 ,  B32B2255/205 ,  C22C9/00 ,  C22C13/00 ,  C25D5/10 ,  C25D5/12 ,  C25D7/00 ,  H01B1/026 ,  H01L21/2885 ,  H01L21/76885 ,  H01L23/481 ,  H01L23/50 ,  H01L23/522 ,  H01L24/11 ,  H01L2224/11825 ,  H01L2224/13005 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/1357 ,  H01L2224/1358 ,  H01L2224/13582 ,  H01L2224/13655 ,  H01L2224/13657 ,  H01L2224/1366 ,  H01L2224/1369 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01016 ,  H01L2924/01026 ,  H01L2924/01027 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/0103 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01048 ,  H01L2924/01049 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01051 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/01083 ,  H01L2924/0109 ,  H01L2924/01092 ,  H01L2924/35 ,  H05K3/4015 ,  H05K2201/10242

摘要： 本发明提供维氏硬度低、且算术平均粗糙度小的Cu柱、Cu芯柱、钎焊接头及硅穿孔电极。本发明的Cu柱1的纯度为99.9％以上且99.995％以下，算术平均粗糙度为0.3μm以下，维氏硬度为20HV以上且60HV以下。Cu柱1在软钎焊温度下不熔融，能够确保一定的焊点高度(基板间的空间)，因此适用于三维安装、窄间距安装。

公开(公告)号：CN107408513B

公开(公告)日：2019-06-14

申请号：CN201680008394.2

申请日：2016-02-03

申请人： 高通股份有限公司

发明人： D·W·小基德韦尔 ,  R·夏诺伊 ,  M·埃尔图克 ,  L·鲁哈纳

IPC分类号： H01L21/48 ,  H01L23/498 ,  H01L23/50

CPC分类号： H01L23/49838 ,  B23K26/0661 ,  H01F17/0033 ,  H01L21/4846 ,  H01L21/4857 ,  H01L23/49822 ,  H01L23/50 ,  H01L23/5226 ,  H01L23/5227 ,  H01L23/585 ,  H01L28/10 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2924/15311

摘要： 一种集成器件封装包括管芯和封装基板。该封装基板包括至少一个介电层(例如，芯层、预浸层)、介电层中的磁芯、配置成作为第一保护环来操作的第一多个互连、以及配置成作为第一电感器来操作的第二多个互连。该第二多个互连位于该封装基板中以至少部分地围绕该磁芯。该第二多个互连中的至少一个互连也是该第一多个互连的一部分。在一些实现中，第一保护环为非毗连保护环。在一些实现中，第一电感器为螺线管电感器。在一些实现中，该磁芯包括载体、第一磁层和第二磁层。

公开(公告)号：CN108702148A

公开(公告)日：2018-10-23

申请号：CN201780012223.1

申请日：2017-02-01

申请人： 英特尔IP公司

发明人： C·C·拉斯 ,  G·库雷罗 ,  T·别杰茨基 ,  F·库特纳 ,  L·F·贾尔斯 ,  B·斯坦

IPC分类号： H03K17/0812 ,  H03K19/003 ,  H01L27/02 ,  H02H9/04

CPC分类号： H01L27/0285 ,  H01L23/367 ,  H01L23/3677 ,  H01L23/50 ,  H01L23/5226 ,  H01L23/5228 ,  H01L27/0629 ,  H01L27/0924 ,  H01L28/00 ,  H02H9/046

摘要： 描述了一种装置，其包括：焊盘；第一晶体管，该第一晶体管与第二晶体管串联耦合并且被耦合至所述焊盘；以及自偏置电路，该自偏置电路用于偏置所述第一晶体管以使得所述第一晶体管在静电放电(ESD)事件期间将被弱偏置。还描述了一种装置，其包括：第一晶体管，第一局部镇流电阻器，该第一局部镇流电阻器由沟槽接触(TCN)层形成，该第一局部镇流电阻器具有耦合至所述第一晶体管的漏极端子或源极端子的第一端子。

公开(公告)号：CN108701684A

公开(公告)日：2018-10-23

申请号：CN201580085569.5

申请日：2015-12-26

申请人： 英特尔公司

发明人： 张宇 ,  G.S.雷加拉多 ,  钱治国 ,  K.艾贡

IPC分类号： H01L25/065 ,  H01L23/48

CPC分类号： H01L23/5286 ,  H01L21/4857 ,  H01L23/48 ,  H01L23/49822 ,  H01L23/49838 ,  H01L23/50 ,  H01L23/5383 ,  H01L23/66 ,  H01L24/17 ,  H01L2224/1412 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/81801 ,  H01L2924/1517 ,  H01L2924/15174 ,  H01L2924/15192 ,  H01L2924/15311 ,  H01R13/6471 ,  H05K1/0218 ,  H05K1/0219 ,  H05K1/0243

摘要： 接地隔离传输线路封装器件包括：水平地被导引通过封装器件的（1）水平数据信号传输线路（例如，金属信号迹线）之间的接地隔离平面，（2）环绕该水平数据信号传输线路的接地隔离线路，或（3）水平数据信号传输线路）之间的这样的接地平面和环绕水平数据信号传输线路的这样的接地隔离线路。（1）其间的接地隔离平面和/或（2）接地隔离线路对在信号线路中传输的数据信号进行电屏蔽，因而降低其间的信号串扰，且增强数据信号传输线路的电隔离。另外，可以使用眼图来对数据信号传输线路进行调谐，以选择提供最优数据传输性能的信号线路宽度和接地隔离线路宽度。该封装器件提供数据信号传输线路的不同水平方位之间（且因而同样地器件（诸如，附接到封装器件的集成电路（IC）芯片）之间）的更高频率且更准确的数据信号传送。

公开(公告)号：CN108701674A

公开(公告)日：2018-10-23

申请号：CN201780009395.3

申请日：2017-02-02

申请人： 高通股份有限公司

发明人： A·耶海兹凯利 ,  S·库普弗曼

IPC分类号： H01L23/50 ,  H01L23/522 ,  H01L23/66 ,  H01L27/06 ,  H03F1/56 ,  H03H7/01

CPC分类号： H03H7/0115 ,  C07K14/005 ,  C12N2760/16122 ,  C12N2760/16222 ,  H01L23/50 ,  H01L23/5223 ,  H01L23/5227 ,  H01L23/66 ,  H03F1/0222 ,  H03F1/565 ,  H03F3/193 ,  H03F3/195 ,  H03F2200/294 ,  H03F2200/408 ,  H03F2200/451 ,  H04B1/40

摘要： 本公开一般涉及可以在毫米波射频集成电路(RFIC)中使用的紧凑旁路和解耦结构。例如，根据各方面，纳入了紧凑旁路和解耦结构的RFIC可包括接地基板、中间金属接地平面、布置在接地基板与中间金属接地平面之间的旁路电容器、以及布置在中间金属接地平面之上的解耦电感器。旁路电容器可以使RFIC中的电流环路闭合，并且解耦电感器可以在与RFIC相关联的供电网络中提供阻尼。此外，解耦电感器可具有基本接近与RFIC相关联的操作频带的自谐振以增加串行隔离、引入促进供电网络中的阻尼的基板损耗、并且防止高Q谐振。

公开(公告)号：CN108695297A

公开(公告)日：2018-10-23

申请号：CN201810283513.6

申请日：2018-04-02

申请人： 富士电机株式会社 ,  株式会社宏仁

发明人： 堀元人 ,  稻叶祐树 ,  池田良成 ,  砂子哲也 ,  稻场道弘

IPC分类号： H01L23/538 ,  H01L25/07 ,  H01L23/492 ,  H01L21/603

CPC分类号： H01L23/5286 ,  H01L23/36 ,  H01L23/492 ,  H01L23/49575 ,  H01L23/50 ,  H01L25/10 ,  H01L25/105 ,  H01L23/5386 ,  H01L24/40 ,  H01L24/84 ,  H01L25/072 ,  H01L2224/40137 ,  H01L2224/84201

摘要： 一种半导体装置、半导体装置的制造方法以及接口单元，能够减轻将半导体装置与外部设备连接时的连接作业的负担。半导体装置具备：底板；多个半导体单元，分别具备半导体芯片及与半导体芯片连接且向与底板相反侧延伸的棒状的单元侧控制端子，半导体单元以成对个数并排在底板上；接口单元，具有与从多个半导体单元分别延伸的多个单元侧控制端子连接的第一发射极及第一栅极信号用内部布线、第二发射极及第二栅极信号用内部布线以及与这些信号用内部布线连接且向与半导体单元相反的一侧的外部延伸的棒状的第一发射极信号用端子、第一栅极信号用端子、第二发射极信号用端子及第二栅极信号用端子，接口单元具有设置于多个半导体单元之上的箱状的收纳部。

公开(公告)号：CN108538806A

公开(公告)日：2018-09-14

申请号：CN201810180876.7

申请日：2018-03-05

申请人： 半导体组件工业公司

发明人： 林承园 ,  郑万教 ,  李秉玉 ,  孙焌瑞 ,  全五燮

IPC分类号： H01L23/50

CPC分类号： H01L25/0657 ,  H01L23/3114 ,  H01L23/3735 ,  H01L23/4334 ,  H01L23/49537 ,  H01L23/498 ,  H01L23/49811 ,  H01L23/5385 ,  H01L23/645 ,  H01L24/27 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/33 ,  H01L24/73 ,  H01L24/83 ,  H01L24/92 ,  H01L25/072 ,  H01L25/074 ,  H01L29/7393 ,  H01L2224/2732 ,  H01L2224/29101 ,  H01L2224/33 ,  H01L2224/33181 ,  H01L2224/48095 ,  H01L2224/48484 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/83192 ,  H01L2224/83815 ,  H01L2224/92247 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/181 ,  H02M7/003 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/014 ,  H01L2224/45099 ,  H01L23/50

摘要： 本发明涉及具有减小的杂散电感的封装半导体器件和模块。在一般方面，本发明公开了一种装置，所述装置可包括与第二衬底操作地耦合的第一衬底。所述装置还可包括电源端子组件，所述电源端子组件包括沿着第一平面对准的第一电源端子，所述第一电源端子与所述第一衬底电耦合。所述电源端子组件还可包括沿着第二平面对准的第二电源端子，所述第二电源端子与所述第二衬底电耦合。所述电源端子组件还可包括电源端子框架，所述电源端子框架具有设置在所述第一电源端子和所述第二电源端子之间的隔离部分，以及设置在所述第一电源端子的一部分周围并且设置在所述第二电源端子的一部分周围的保持部分。

公开(公告)号：CN108461478A

公开(公告)日：2018-08-28

申请号：CN201810058578.0

申请日：2018-01-22

申请人： 英特尔公司

发明人： H·刘 ,  K·S·吴

IPC分类号： H01L23/538 ,  H01L21/48 ,  H01L25/18 ,  H01L21/60

CPC分类号： H01L25/0652 ,  H01L21/52 ,  H01L23/3142 ,  H01L23/49816 ,  H01L23/50 ,  H01L23/5383 ,  H01L23/5385 ,  H01L23/5386 ,  H01L24/13 ,  H01L24/16 ,  H01L24/17 ,  H01L25/0655 ,  H01L25/18 ,  H01L25/50 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2224/16235 ,  H01L2224/1703 ,  H01L2225/06541 ,  H01L2225/06548 ,  H01L2924/1431 ,  H01L2924/1432 ,  H01L2924/1433 ,  H01L2924/1434 ,  H01L2924/1451 ,  H01L2924/15192 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/3511 ,  H01L2924/37001 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/00014 ,  H01L23/5381 ,  H01L21/4846 ,  H01L24/83 ,  H01L2224/832

摘要： 提供了具有多个集成电路管芯的集成电路封装。多芯片封装可以包括使用所述多芯片封装的基底中的嵌入式多管芯互连桥(EMIB)进行通信的至少两个集成电路管芯。EMIB可以接收形成在所述EMIB的背面的耦合到在其上安装所述EMIB的背面导体的接触焊盘处的功率。所述背面导体可以被分成多个区域，所述多个区域彼此电隔离并且均接收来自印刷电路板的不同电源电压信号或数据信号。这些电源电压信号和数据信号可以通过形成在所述EMIB中的内部微过孔或穿硅过孔被提供到所述两个集成电路管芯。

公开(公告)号：CN103985689B

公开(公告)日：2018-08-28

申请号：CN201310063253.9

申请日：2013-02-28

申请人： 矽品精密工业股份有限公司

发明人： 江政育 ,  江文荣 ,  李信宏

IPC分类号： H01L23/495 ,  H01L23/31

CPC分类号： H01L23/495 ,  H01L23/49548 ,  H01L23/49589 ,  H01L23/49827 ,  H01L23/50 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/49109 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2924/00

摘要： 一种电子装置及其封装结构，该封装结构包括下侧具有凹槽的承载件、设于该承载件上侧的半导体组件、以及包覆该半导体组件的封装胶体，且该凹槽中具有介电材，而该介电材外露于该封装胶体，所以当该承载件置于电路板上时，该介电材位于该承载件下侧与该电路板之间，使该电路板与该承载件之间能产生去耦电容的效果，以改善电源完整性。