公开(公告)号：CN101563790B

公开(公告)日：2011-10-05

申请号：CN200780047116.9

申请日：2007-11-28

申请人： 日本电气株式会社

发明人： 藤方润一 ,  冈本大典 ,  牧田纪久夫 ,  西研一 ,  大桥启之

IPC分类号： H01L31/108 ,  H01L31/105 ,  H01L31/0224

CPC分类号： H01L31/1085 ,  B82Y20/00 ,  G02B6/1226 ,  H01L31/0224 ,  H01L31/105

摘要： 提供一种实现光电二极管的感光灵敏度和快速性的装置构造。一种在半导体层的表面设置有导电层的肖特基势垒型的光电二极管，所述光电二极管构成为光能够从所述半导体层的背面侧入射，在所述光电二极管的肖特基结的周围形成有周期构造，该周期构造使从所述半导体层的背面侧入射的光产生表面等离子体共振。

公开(公告)号：CN101563790A

公开(公告)日：2009-10-21

申请号：CN200780047116.9

申请日：2007-11-28

申请人： 日本电气株式会社

发明人： 藤方润一 ,  冈本大典 ,  牧田纪久夫 ,  西研一 ,  大桥启之

IPC分类号： H01L31/108 ,  H01L31/105 ,  H01L31/0224

CPC分类号： H01L31/1085 ,  B82Y20/00 ,  G02B6/1226 ,  H01L31/0224 ,  H01L31/105

摘要： 提供一种实现发光二极管的感光灵敏度和快速性的装置构造。一种在半导体层的表面设置有导电层的肖特基势垒型的发光二极管，所述发光二极管构成为光能够从所述半导体层的背面侧入射，在所述发光二极管的肖特基接合部的周围形成有周期构造，该周期构造使从所述半导体层的背面侧入射的光产生表面等离子体共振。