公开(公告)号：CN114390733A

公开(公告)日：2022-04-22

申请号：CN202110742499.3

申请日：2021-07-01

Applicant: 日本碍子株式会社

Inventor： 竹林央史 ,  伊藤丈予 ,  井上大辅

IPC: H05B3/02 ,  H05B3/03 ,  H05B3/06 ,  H05B3/20

Abstract: 本发明提供一种能够容易地进行温度特异部周边的均热设计的陶瓷加热器。本发明的静电卡盘加热器(10)在陶瓷制的板(12)中埋设有加热器电极(16)。在静电卡盘加热器(10)中，加热器电极(16)中的包围板(12)的温度变低的温度特异部(T1、T2)的特异部周边部分(S1、S2)与加热器电极(16)中的通常部分(N)相比，厚度形成得薄。

公开(公告)号：CN114390733B

公开(公告)日：2024-11-19

申请号：CN202110742499.3

申请日：2021-07-01

Applicant: 日本碍子株式会社

Inventor： 竹林央史 ,  伊藤丈予 ,  井上大辅

IPC: H05B3/02 ,  H05B3/03 ,  H05B3/06 ,  H05B3/20

Abstract: 本发明提供一种能够容易地进行温度特异部周边的均热设计的陶瓷加热器。本发明的静电卡盘加热器(10)在陶瓷制的板(12)中埋设有加热器电极(16)。在静电卡盘加热器(10)中，加热器电极(16)中的包围板(12)的温度变低的温度特异部(T1、T2)的特异部周边部分(S1、S2)与加热器电极(16)中的通常部分(N)相比，厚度形成得薄。

公开(公告)号：CN111653514B

公开(公告)日：2023-10-31

申请号：CN202010143272.2

申请日：2020-03-04

Applicant: 日本碍子株式会社

Inventor： 伊藤丈予

IPC: H01L21/683

Abstract: 本发明提供晶圆载置装置。静电卡盘加热器(10)具备：在上表面具有晶圆载置面(20a)且内置有加热电极(22)及静电电极(25)的陶瓷板(20)；以及配置于陶瓷板(20)的与晶圆载置面(20a)相反的一侧的下表面(20b)，且冷却陶瓷板(20)的冷却板(40)，在冷却板(40)，遍及配置有陶瓷板(20)的整个区域设有制冷剂流路(50)，制冷剂流路(50)为上层流路(52)与下层流路(58)的两层构造。

公开(公告)号：CN113223991B

公开(公告)日：2025-02-25

申请号：CN202110138555.2

申请日：2021-02-01

Applicant: 日本碍子株式会社

Inventor： 伊藤丈予

IPC: H01L21/683 ,  H01L21/67

Abstract: 本发明提供一种静电卡盘加热器，静电卡盘加热器(20)具备陶瓷板(22)、静电电极(24)、第一区域加热器电极(31)和第二区域加热器电极(32)、以及第一区域气体槽(41)和第二区域气体槽(42)。陶瓷板(22)在表面具备晶片载置面(22a)。静电电极(24)埋设于陶瓷板(22)中。第一区域加热器电极(31)和第二区域加热器电极(32)与将晶片载置面(22a)分割成多个而得到的加热器区域分别对应地埋设于陶瓷板(22)中，能够单独地供给电力。区域气体槽(41、42)与加热器区域独立地且与将晶片载置面(22a)分割成多个而得到的气体供给区域分别对应地设置，能够单独地供给气体。

公开(公告)号：CN113223991A

公开(公告)日：2021-08-06

申请号：CN202110138555.2

申请日：2021-02-01

Applicant: 日本碍子株式会社

Inventor： 伊藤丈予

IPC: H01L21/683 ,  H01L21/67

Abstract: 本发明提供一种静电卡盘加热器，静电卡盘加热器(20)具备陶瓷板(22)、静电电极(24)、第一区域加热器电极(31)和第二区域加热器电极(32)、以及第一区域气体槽(41)和第二区域气体槽(42)。陶瓷板(22)在表面具备晶片载置面(22a)。静电电极(24)埋设于陶瓷板(22)中。第一区域加热器电极(31)和第二区域加热器电极(32)与将晶片载置面(22a)分割成多个而得到的加热器区域分别对应地埋设于陶瓷板(22)中，能够单独地供给电力。区域气体槽(41、42)与加热器区域独立地且与将晶片载置面(22a)分割成多个而得到的气体供给区域分别对应地设置，能够单独地供给气体。

公开(公告)号：CN114864433A

公开(公告)日：2022-08-05

申请号：CN202210066855.9

申请日：2022-01-20

Applicant: 日本碍子株式会社

Inventor： 竹林央史 ,  伊藤丈予

IPC: H01L21/67 ,  H01L21/683 ,  H05B3/03 ,  H05B3/22

Abstract: 本发明提供一种将上部板、中间板和下部板金属接合而成的半导体制造装置用构件及其制法，该构件的接合性良好且不易破损。本发明的半导体制造装置用构件(10)具备：陶瓷制的上部板(20)，其具有晶片载置面(22)、且内置有相互平行的静电电极(24)及上部辅助电极(26)；中间板(30)，其经由第一金属接合层(31)接合于上部板(20)的与晶片载置面(22)相反一侧的面(23)；以及下部板(40)，其经由第二金属接合层(32)接合于中间板(30)的与接合于上部板(20)的面相反一侧的面、且内置有相互平行的加热电极(44)和下部辅助电极(46)。

公开(公告)号：CN111653514A

公开(公告)日：2020-09-11

申请号：CN202010143272.2

申请日：2020-03-04

Applicant: 日本碍子株式会社

Inventor： 伊藤丈予

IPC: H01L21/683

Abstract: 本发明提供晶圆载置装置。静电卡盘加热器(10)具备：在上表面具有晶圆载置面(20a)且内置有加热电极(22)及静电电极(25)的陶瓷板(20)；以及配置于陶瓷板(20)的与晶圆载置面(20a)相反的一侧的下表面(20b)，且冷却陶瓷板(20)的冷却板(40)，在冷却板(40)，遍及配置有陶瓷板(20)的整个区域设有制冷剂流路(50)，制冷剂流路(50)为上层流路(52)与下层流路(58)的两层构造。

公开(公告)号：CN115210860A

公开(公告)日：2022-10-18

申请号：CN202180006040.5

申请日：2021-10-07

Applicant: 日本碍子株式会社

Inventor： 竹林央史 ,  伊藤丈予

IPC: H01L21/683 ,  H02N13/00 ,  H01L21/3065

Abstract: 本发明提供半导体制造装置用构件(10)，其具备：陶瓷制的上部板(20)，其具有晶片载置面(22)，且未内置电极；导电材料制的中间板(30)，其设置于上部板(20)中的与晶片载置面(22)相反一侧的面，用作静电电极；以及陶瓷制的下部板(40)，其接合于中间板(30)中的与设置有上部板(20)的面相反一侧的面。

公开(公告)号：CN114628308A

公开(公告)日：2022-06-14

申请号：CN202111499114.1

申请日：2021-12-09

Applicant: 日本碍子株式会社

Inventor： 竹林央史 ,  伊藤丈予

IPC: H01L21/683 ,  H01L21/60

Abstract: 本发明提供一种具备尺寸精度高的凹形状或凸形状的晶片载置面的半导体制造装置用构件及其制法。半导体制造装置用构件(10)具备：具有凹形状的晶片载置面(22)且内置有静电电极(24)的陶瓷制的上部板(20)；经由第一金属接合层(31)接合于上部板(20)的与晶片载置面(22)相反侧的面上的中间板(30)；以及经由第二金属接合层(32)接合于中间板(30)的与接合上部板(20)的面相反侧的面上的下部板(40)。中间板(30)的热膨胀系数大于上部板(20)和下部板(40)的热膨胀系数。