公开(公告)号：CN102307811A

公开(公告)日：2012-01-04

申请号：CN201080006691.6

申请日：2010-01-07

Applicant: 日本碍子株式会社

Inventor： 谷岛健二 ,  野中久义

IPC: C01B39/48 ,  C01B37/02

CPC classification number: C01B37/02 ,  B01J29/70 ,  C01B39/04 ,  C01B39/48 ,  Y10T428/2982

Abstract: 本发明提供一种由微细粒子构成、表现出大部分粒子的粒径收敛于平均粒径附近的粒度分布的DDR型沸石粉体及其制造方法。一种DDR型沸石粉体的制造方法，具有如下工序：将溶解有1-金刚烷胺的乙二胺、二氧化硅(SiO2)和水以1-金刚烷胺/SiO2摩尔比为0.002～0.5且水/SiO2摩尔比为10～500进行混合，进一步分散平均粒径为10～300nm的DDR型沸石晶种使其质量比为0.001～1.0质量％，从而形成原料溶液，通过在100～180℃对该原料溶液进行加热处理，使前述DDR型沸石晶种作为核进行晶体生长，直至平均粒径达到0.1μm以上且小于2.5μm。

公开(公告)号：CN101687149A

公开(公告)日：2010-03-31

申请号：CN200880021720.9

申请日：2008-06-27

Applicant: 日本碍子株式会社

Inventor： 市川明昌 ,  野中久义 ,  富田俊弘

IPC: B01D69/12 ,  B01D69/10 ,  B01D71/02

CPC classification number: B01D69/12 ,  B01D63/066 ,  B01D67/0046 ,  B01D67/0067 ,  B01D69/02 ,  B01D71/021 ,  B01D71/025 ,  B01D71/027 ,  B01D71/028 ,  B01D2325/04

Abstract: 本发明提供一种分离膜复合体和分离膜复合体的制造方法。在多孔质体(61)(表面层(64))上直接形成碳膜(66)，且中间层(63)的厚度为10～100μm的分离膜复合体(1)，能够作为比以往提高了通量和选择性的过滤膜而利用。

公开(公告)号：CN102307811B

公开(公告)日：2014-07-09

申请号：CN201080006691.6

申请日：2010-01-07

Applicant: 日本碍子株式会社

Inventor： 谷岛健二 ,  野中久义

IPC: C01B39/48 ,  C01B37/02

CPC classification number: C01B37/02 ,  B01J29/70 ,  C01B39/04 ,  C01B39/48 ,  Y10T428/2982

Abstract: 本发明提供一种由微细粒子构成、表现出大部分粒子的粒径收敛于平均粒径附近的粒度分布的DDR型沸石粉体及其制造方法。一种DDR型沸石粉体的制造方法，具有如下工序：将溶解有1-金刚烷胺的乙二胺、二氧化硅(SiO2)和水以1-金刚烷胺/SiO2摩尔比为0.002～0.5且水/SiO2摩尔比为10～500进行混合，进一步分散平均粒径为10～300nm的DDR型沸石晶种使其质量比为0.001～1.0质量％，从而形成原料溶液，通过在100～180℃对该原料溶液进行加热处理，使前述DDR型沸石晶种作为核进行晶体生长，直至平均粒径达到0.1μm以上且小于2.5μm。

公开(公告)号：CN101687149B

公开(公告)日：2012-09-05

申请号：CN200880021720.9

申请日：2008-06-27

Applicant: 日本碍子株式会社

Inventor： 市川明昌 ,  野中久义 ,  富田俊弘

IPC: B01D69/12 ,  B01D69/10 ,  B01D71/02

CPC classification number: B01D69/12 ,  B01D63/066 ,  B01D67/0046 ,  B01D67/0067 ,  B01D69/02 ,  B01D71/021 ,  B01D71/025 ,  B01D71/027 ,  B01D71/028 ,  B01D2325/04

Abstract: 本发明提供一种分离膜复合体和分离膜复合体的制造方法。在多孔质体(61)(表面层(64))上直接形成碳膜(66)，且中间层(63)的厚度为10～100μm的分离膜复合体(1)，能够作为比以往提高了通量和选择性的过滤膜而利用。

公开(公告)号：CN101745319A

公开(公告)日：2010-06-23

申请号：CN200910253517.0

申请日：2009-12-08

Applicant: 日本碍子株式会社

Inventor： 内川哲哉 ,  谷岛健二 ,  野中久义 ,  富田俊弘

IPC: B01D71/02

CPC classification number: B01D67/0051 ,  B01D53/228 ,  B01D69/02 ,  B01D71/028 ,  B01D2253/108 ,  B01D2256/22 ,  B01D2256/24 ,  B01D2257/504 ,  B01D2257/7022 ,  B01D2323/24 ,  B01D2325/20 ,  Y02C10/10

Abstract: 本发明提供一种DDR型沸石膜结构体的制造方法，可减少DDR型沸石膜开裂的产生、减少DDR型沸石膜内1-金刚烷胺残存。该DDR型沸石膜结构体的制造方法，包括：在含有1-金刚烷胺、二氧化硅(SiO2)和水的原料溶液中，使在表面附着有DDR型沸石膜种晶的多孔质基体浸渍来进行DDR型沸石的水热合成，由该水热合成在多孔质基体表面形成含有1-金刚烷胺的DDR型沸石膜，来制作DDR型沸石膜结构体的母体的膜形成工序，和通过在400℃以上550℃以下加热母体，燃烧除去含在DDR型沸石膜内的1-金刚烷胺的燃烧工序。