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公开(公告)号：CN100409314C
公开(公告)日：2008-08-06
申请号：CN200310119726.9
申请日：2003-12-03
申请人： 日立环球储存科技荷兰有限公司
发明人： 维托尔德·库拉 , 亚历山大·迈克尔·泽尔特瑟
CPC分类号： B82Y25/00 , B82Y10/00 , G01R33/093 , G11B5/3133 , G11B5/3903 , G11B5/3909 , G11B5/40 , G11B2005/3996
摘要： 一种磁阻传感器，通过使用包括沉积在下分层结构上的自由层的传感器结构并沉积覆盖在自由层上面的氧化物结构来制造。氧化物结构的沉积包括步骤：沉积覆盖在自由层上面的缓冲层，其中缓冲层是沉积的缓冲层金属，沉积覆盖并接触缓冲层的覆盖层，覆盖层是覆盖层金属的覆盖层金属氧化物，以及氧化缓冲层以形成缓冲层金属氧化物。
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公开(公告)号：CN1504997A
公开(公告)日：2004-06-16
申请号：CN200310119726.9
申请日：2003-12-03
申请人： 日立环球储存科技荷兰有限公司
发明人： 维托尔德·库拉 , 亚历山大·迈克尔·泽尔特瑟
CPC分类号： B82Y25/00 , B82Y10/00 , G01R33/093 , G11B5/3133 , G11B5/3903 , G11B5/3909 , G11B5/40 , G11B2005/3996
摘要： 一种磁阻传感器，通过使用包括沉积在下分层结构上的自由层的传感器结构并沉积覆盖在自由层上面的氧化物结构来制造。氧化物结构的沉积包括步骤：沉积覆盖在自由层上面的缓冲层，其中缓冲层是沉积的缓冲层金属，沉积覆盖并接触缓冲层的覆盖层，覆盖层是覆盖层金属的覆盖层金属氧化物，以及氧化缓冲层以形成缓冲层金属氧化物。
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公开(公告)号：CN1315111C
公开(公告)日：2007-05-09
申请号：CN200310114925.0
申请日：2003-11-13
申请人： 日立环球储存科技荷兰有限公司
发明人： 李文扬 , 林灿 , 丹尼尔·莫里 , 亚历山大·迈克尔·泽尔特瑟
IPC分类号： G11B5/39
CPC分类号： B82Y10/00 , G11B5/012 , G11B5/3143 , G11B5/3163 , G11B5/3903 , Y10T29/49021 , Y10T29/49032 , Y10T29/49034 , Y10T29/49041 , Y10T29/49043 , Y10T29/49044 , Y10T29/49048
摘要： 本申请涉及通过被钉扎磁性层的等离子体平滑增强的GMR磁头信号。具体地，一种具有含传感器叠层的自旋阀传感器的磁头，所述叠层包括被钉扎磁性层、形成在被钉扎磁性层上的隔离层以及形成在隔离层上的自由磁性层。在优选的实施例中，隔离层由CuOx组成。在淀积隔离层之前进行被钉扎磁性层上表面的等离子体平滑，优选的等离子体气体为氩气和氧气的混合物。
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公开(公告)号：CN1504994A
公开(公告)日：2004-06-16
申请号：CN200310114925.0
申请日：2003-11-13
申请人： 日立环球储存科技荷兰有限公司
发明人： 李文扬 , 林灿 , 丹尼尔·莫里 , 亚历山大·迈克尔·泽尔特瑟
IPC分类号： G11B5/39
CPC分类号： B82Y10/00 , G11B5/012 , G11B5/3143 , G11B5/3163 , G11B5/3903 , Y10T29/49021 , Y10T29/49032 , Y10T29/49034 , Y10T29/49041 , Y10T29/49043 , Y10T29/49044 , Y10T29/49048
摘要： 本申请涉及通过被钉扎磁性层的等离子体平滑增强的GMR磁头信号。具体地，一种具有含传感器叠层的自旋阀传感器的磁头，所述叠层包括被钉扎磁性层、形成在被钉扎磁性层上的隔离层以及形成在隔离层上的自由磁性层。在优选的实施例中，隔离层由CuOx组成。在淀积隔离层之前进行被钉扎磁性层上表面的等离子体平滑，优选的等离子体气体为氩气和氧气的混合物。
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