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公开(公告)号：CN104050977A
公开(公告)日：2014-09-17
申请号：CN201410088312.2
申请日：2014-03-11
申请人： 希捷科技有限公司
IPC分类号： G11B5/23
CPC分类号： G11B5/235 , G11B5/1278 , G11B5/187 , G11B5/23 , G11B5/232 , G11B5/3116 , G11B5/3143 , G11B5/3163 , G11B5/332 , G11B5/6082 , Y10T428/115 , Y10T428/1193
摘要： 根据一个实施例，可配置一种装置，该装置包括：磁性材料的主极层；第二磁性材料层；设置在主极层和第二磁性材料层之间的第一非磁性材料间隙层；设置在主极层和第二磁性材料层之间的第二非磁性材料间隙层，其中第二非磁性材料间隙层直接毗邻第二磁性材料层设置。根据一个实施例，这允许该间隙充当第二磁性材料层的非磁性种子。根据一个实施例，这允许该间隙充当第二磁性材料层的非磁性种子。根据一个实施例，也可利用制造该设备的方法。
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公开(公告)号：CN1014560B
公开(公告)日：1991-10-30
申请号：CN88104678
申请日：1988-07-28
申请人： 计数设备公司
发明人： 米歇尔·马拉利
IPC分类号： G11B5/31
CPC分类号： G11B5/372 , G11B5/1278 , G11B5/245 , G11B5/312 , G11B5/3143 , G11B5/332 , G11B2005/0002
摘要： 记录头包括一个沉积在一对写入极之间间隙中的读出极。读出极把磁通传给远离间隙的磁通传感器。记录头可用于纵向和横向记录，利用感应线圈或磁通传感器(如霍尔传感器或MR传感器)可实现读出功能。该记录头可获得高读出分辨率和高写入场梯度，并且有写入宽-读出窄的特点。读出极和写入极为层叠结构。
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公开(公告)号：CN1045310A
公开(公告)日：1990-09-12
申请号：CN89109168.8
申请日：1989-12-05
申请人： 磁性外围设备有限公司
发明人： 马克·朱里什 , 斯科特·丹尼尔·多宾斯
IPC分类号： G11B5/31
CPC分类号： G11B5/112 , G11B5/3143
摘要： 一种读/写薄膜磁头(10)，包括一衬底(12)；一薄膜磁芯(14)，由所述衬底支撑着，包括一读/写间隙(24)，供读写信息之用；一隔离层(36)供隔离衬底(12)与磁芯(14)之用，和一线圈(32，34)，装在磁芯中，且通过磁芯延伸。有一个导电间柱(40)将衬底(12)电连接到磁芯(14)上。
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公开(公告)号：CN100474397C
公开(公告)日：2009-04-01
申请号：CN200610137162.5
申请日：2006-10-24
申请人： 国际商业机器公司
发明人： 彼得·V·凯佩
CPC分类号： G11B5/3912 , G11B5/0083 , G11B5/3143 , G11B5/3163 , G11B5/3977 , Y10T29/49041 , Y10T29/49043 , Y10T29/49044 , Y10T29/49046 , Y10T29/49048 , Y10T29/49052
摘要： 一种磁头包括多个一般横向安置的读出器，各读出器具有传感器、在传感器之下的下护罩、在传感器之上的上护罩和在护罩之间所定义的间隙。读出器中的至少一个比读出器中的另一个具有更厚的间隙。还提出了用于制造这样磁头的方法。
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公开(公告)号：CN100416657C
公开(公告)日：2008-09-03
申请号：CN200510092500.3
申请日：2005-08-22
申请人： 三星电子株式会社
IPC分类号： G11B5/31
CPC分类号： G11B5/3116 , G11B5/3143
摘要： 本发明提供一种磁头，其具有减少杂散场的影响并且高速产生磁化反转的磁薄膜结构。所述磁头包括第一磁极、与所述第一磁极间隔开的第二磁极以及在第一和第二磁极内感应磁场的感应线圈，其中所述第一和第二磁极包括其中产生用于记录的漏磁通的磁极尖、引导磁通在磁极内流通的头轭、以及用于控制磁畴的至少一植入物，所述植入物形成在所述第一和第二磁极的至少一个中。所述磁薄膜能够有效地减少从外部进入的杂散场的影响，并且能够控制畴壁运动，使得高速磁记录通过对应于感应线圈施加的磁场产生高速磁化反转而成为可能。
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公开(公告)号：CN1282158C
公开(公告)日：2006-10-25
申请号：CN200410058821.7
申请日：2004-07-30
申请人： 日立环球储存科技荷兰有限公司
IPC分类号： G11B5/127
CPC分类号： G11B5/3143 , G11B5/1278
摘要： 一种数据存储装置包括具有用于垂直记录磁性数据的硬磁材料的顶部记录层和软磁材料的底部底层，用于从记录层的记录部分中读出磁性数据的读磁头，用于当读磁头正在从记录部分中读出磁性数据时磁性稳定直接位于记录部分下面的底层的部分的稳定器，以及读磁头和稳定器是单独的结构。
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公开(公告)号：CN1534605A
公开(公告)日：2004-10-06
申请号：CN200310124302.1
申请日：2003-12-26
申请人： 株式会社东芝
CPC分类号： H01L43/08 , B82Y10/00 , B82Y25/00 , G11B5/00 , G11B5/313 , G11B5/3143 , G11B5/3903 , G11B2005/3996 , H01F10/30 , H01F10/3254 , H01F10/3268
摘要： 一种磁电阻元件，包括磁电阻薄膜，所述磁电阻薄膜具有磁化方向基本上被钉扎在一个方向的磁化被钉扎层；磁化自由层，所述磁化自由层的磁化方向可以根据外磁场自由改变；以及非磁性中间层，所述非磁性中间层形成在磁化被钉扎层和磁化自由层之间并具有第一非金属中间层/金属中间层/第二非金属中间层的叠置结构。所述磁电阻元件还包括一对电极薄膜，所述电极薄膜设置成允许电流沿基本上垂直于磁电阻薄膜表面的方向流动并电连接到磁电阻薄膜上。
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公开(公告)号：CN1276592A
公开(公告)日：2000-12-13
申请号：CN00108593.X
申请日：2000-05-18
申请人： 国际商业机器公司
IPC分类号： G11B5/115
CPC分类号： G11B5/3103 , G11B5/11 , G11B5/3143 , G11B5/3967
摘要： 本发明是用于向磁性媒体写入信息并从磁性媒体读出信息的读出/写入磁头。它包括用于向磁性媒体写入信息的写入磁头元件、从磁性媒体读出信息的读出磁头元件和设置在写入磁头元件与读出磁头元件之间的电磁场屏蔽元件。屏蔽用来使读出磁头屏蔽掉写入磁头元件产生的电磁场能量。改进的第二实施例包括靠近读出磁头元件设置的电路元件,用来在读出磁头元件处产生电磁场,该电磁场与写入磁头元件产生的电磁场相反地取向。
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公开(公告)号：CN104050986B
公开(公告)日：2018-06-19
申请号：CN201410086587.2
申请日：2014-03-11
申请人： 希捷科技有限公司
IPC分类号： G11B5/60
CPC分类号： G11B5/3176 , B81C1/00611 , B81C2201/0109 , C09K13/00 , C23F4/00 , G03F7/0041 , G11B5/1278 , G11B5/187 , G11B5/232 , G11B5/235 , G11B5/3109 , G11B5/3116 , G11B5/3143 , G11B5/3163
摘要： 本申请公开了磁性材料之间的间隙。根据一个实施例，一种方法可通过如下实施：在磁性材料的主磁极层上沉积材料的非磁性间隙层；在材料的非磁性间隙层上沉积材料的牺牲层；蚀刻所述材料的牺牲层的部分，并不完全去除所述材料的牺牲层；并将其他的牺牲材料沉积到所蚀刻的牺牲层。
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公开(公告)号：CN104252877B
公开(公告)日：2017-12-08
申请号：CN201410294336.3
申请日：2014-06-26
申请人： 希捷科技有限公司
IPC分类号： G11C11/02
CPC分类号： G11B5/11 , G11B5/112 , G11B5/1278 , G11B5/235 , G11B5/3116 , G11B5/3143 , G11B5/315
摘要： 一种数据写入器可总体上被至少配置有邻接侧部护罩和尾部护罩并与之隔开的写柱体。侧部护罩可由第一材料形成并配置有至少部分地利用由与第一材料不同的第二材料形成的通量密度插入件填充的尾部盒子区域。
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