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公开(公告)号：CN1815753B
公开(公告)日：2010-12-08
申请号：CN200510022949.2
申请日：2005-12-19
Applicant: 日立环球储存科技荷兰有限公司
Inventor： 杰弗里·R·奇尔德雷斯 , 小罗伯特·E·方塔纳 , 杰弗里·S·利勒
CPC classification number: B82Y25/00 , G01R33/093 , G11B5/3903 , G11B5/3932 , H01L29/66984 , H01L43/08
Abstract: 本发明提供一种适合在磁头中使用的三端子磁传感器(TTM)，其具有基极区域、集电极区域和发射极区域。第一势垒层位于发射极区域与基极区域之间，第二势垒层位于集电极区域与基极区域之间。该TTM的气垫面(ABS)感测平面沿基极区域、集电极区域、以及发射极区域的侧面确定。基极区域包括自由层结构、被钉扎层结构、形成在自由层结构与被钉扎层结构之间的第一非磁间隔层、磁偏置自由层结构的堆叠内纵向偏置层结构、以及形成在自由层结构与堆叠内纵向偏置层结构之间的第二非磁间隔层。在该TTM的一个变型中，基极区域的层被颠倒。该TTM可包括自旋阀晶体管(SVT)、磁隧道晶体管(MTT)、或双结结构。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1677496A
公开(公告)日：2005-10-05
申请号：CN200410100355.4
申请日：2004-12-09
Applicant: 日立环球储存科技荷兰有限公司
Inventor： 阿普里尔·D·希克森-戈德史密斯 , 杰弗里·S·利勒
CPC classification number: G11B5/235 , G11B5/187 , G11B5/3116 , G11B5/313 , Y10T29/49046
Abstract: 本发明公开了一种磁头，包括第一和第二磁极，且写入间隙层置于二者之间。在第一实施例中，写入间隙层包括非磁性、不导电第一次层，该第一次层优选由Ta或Ti构成，其淀积在第一磁极上以作用为粘结层。写入间隙层还包括第二次层，该第二次层由非磁性、导电材料形成，该材料优选由Rh或Ru构成。P2极尖在第二次层上电镀，其中，导电的第二次层用于导通电镀电流。在另一实施例中，写入间隙层包括第三次层，该第三次层在活性离子蚀刻(RIE)过程中可蚀刻，并且形成在第一和第二次层之间。第三次层优选由Ta或Ti构成。
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公开(公告)号：CN100346393C
公开(公告)日：2007-10-31
申请号：CN200410100355.4
申请日：2004-12-09
Applicant: 日立环球储存科技荷兰有限公司
Inventor： 阿普里尔·D·希克森-戈德史密斯 , 杰弗里·S·利勒
CPC classification number: G11B5/235 , G11B5/187 , G11B5/3116 , G11B5/313 , Y10T29/49046
Abstract: 本发明公开了一种磁头，包括第一和第二磁极，且写入间隙层置于二者之间。在第一实施例中，写入间隙层包括非磁性、不导电第一次层，该第一次层优选由Ta或Ti构成，其淀积在第一磁极上以作用为粘结层。写入间隙层还包括第二次层，该第二次层由非磁性、导电材料形成，该材料优选由Rh或Ru构成。P2极尖在第二次层上电镀，其中，导电的第二次层用于导通电镀电流。在另一实施例中，写入间隙层包括第三次层，该第三次层在活性离子蚀刻(RIE)过程中可蚀刻，并且形成在第一和第二次层之间。第三次层优选由Ta或Ti构成。
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公开(公告)号：CN100424752C
公开(公告)日：2008-10-08
申请号：CN200610080307.2
申请日：2006-05-09
Applicant: 日立环球储存科技荷兰有限公司
Inventor： 杰弗里·S·利勒
IPC: G11B5/11
CPC classification number: G11B5/115 , G11B5/3146 , G11B5/3906 , G11B5/3912 , G11B5/398
Abstract: 本发明公开了一种磁记录头及其相应的制造方法。本发明的记录头包括读元件，该读元件在其两侧具有第一屏蔽件和第二屏蔽件。所述第一屏蔽件和所述第二屏蔽件每个包括在彼此上连接的多个屏蔽层从而形成面向所述读元件的多层面表面。每个屏蔽件的所述表面相关于所述读元件升高。因此，与所述读元件接近的所述第一和第二屏蔽件之间的间隔与远离所述读元件的间隔相比较更小。因为远离所述读元件的所述屏蔽件之间的更大间隔，所以所述两个屏蔽件之间的电容性耦合被有利地减小。
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公开(公告)号：CN1862662A
公开(公告)日：2006-11-15
申请号：CN200610080307.2
申请日：2006-05-09
Applicant: 日立环球储存科技荷兰有限公司
Inventor： 杰弗里·S·利勒
IPC: G11B5/11
CPC classification number: G11B5/115 , G11B5/3146 , G11B5/3906 , G11B5/3912 , G11B5/398
Abstract: 本发明公开了一种磁记录头及其相应的制造方法。本发明的记录头包括读元件，该读元件在其两侧具有第一屏蔽件和第二屏蔽件。所述第一屏蔽件和所述第二屏蔽件每个包括在彼此上连接的多个屏蔽层从而形成面向所述读元件的多层面表面。每个屏蔽件的所述表面相关于所述读元件升高。因此，与所述读元件接近的所述第一和第二屏蔽件之间的间隔与远离所述读元件的间隔相比较更小。因为远离所述读元件的所述屏蔽件之间的更大间隔，所以所述两个屏蔽件之间的电容性耦合被有利地减小。
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公开(公告)号：CN1815753A
公开(公告)日：2006-08-09
申请号：CN200510022949.2
申请日：2005-12-19
Applicant: 日立环球储存科技荷兰有限公司
Inventor： 杰弗里·R·奇尔德雷斯 , 小罗伯特·E·方塔纳 , 杰弗里·S·利勒
CPC classification number: B82Y25/00 , G01R33/093 , G11B5/3903 , G11B5/3932 , H01L29/66984 , H01L43/08
Abstract: 本发明提供一种适合在磁头中使用的三端子磁传感器(TTM)，其具有基极区域、集电极区域和发射极区域。第一势垒层位于发射极区域与基极区域之间，第二势垒层位于集电极区域与基极区域之间。该TTM的气垫面(ABS)感测平面沿基极区域、集电极区域、以及发射极区域的侧面确定。基极区域包括自由层结构、被钉扎层结构、形成在自由层结构与被钉扎层结构之间的第一非磁间隔层、磁偏置自由层结构的堆叠内纵向偏置层结构、以及形成在自由层结构与堆叠内纵向偏置层结构之间的第二非磁间隔层。在该TTM的一个变型中，基极区域的层被颠倒。该TTM可包括自旋阀晶体管(SVT)、磁隧道晶体管(MTT)、或双结结构。
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