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公开(公告)号：CN1677496A
公开(公告)日：2005-10-05
申请号：CN200410100355.4
申请日：2004-12-09
Applicant: 日立环球储存科技荷兰有限公司
Inventor： 阿普里尔·D·希克森-戈德史密斯 , 杰弗里·S·利勒
CPC classification number: G11B5/235 , G11B5/187 , G11B5/3116 , G11B5/313 , Y10T29/49046
Abstract: 本发明公开了一种磁头，包括第一和第二磁极，且写入间隙层置于二者之间。在第一实施例中，写入间隙层包括非磁性、不导电第一次层，该第一次层优选由Ta或Ti构成，其淀积在第一磁极上以作用为粘结层。写入间隙层还包括第二次层，该第二次层由非磁性、导电材料形成，该材料优选由Rh或Ru构成。P2极尖在第二次层上电镀，其中，导电的第二次层用于导通电镀电流。在另一实施例中，写入间隙层包括第三次层，该第三次层在活性离子蚀刻(RIE)过程中可蚀刻，并且形成在第一和第二次层之间。第三次层优选由Ta或Ti构成。
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公开(公告)号：CN100346393C
公开(公告)日：2007-10-31
申请号：CN200410100355.4
申请日：2004-12-09
Applicant: 日立环球储存科技荷兰有限公司
Inventor： 阿普里尔·D·希克森-戈德史密斯 , 杰弗里·S·利勒
CPC classification number: G11B5/235 , G11B5/187 , G11B5/3116 , G11B5/313 , Y10T29/49046
Abstract: 本发明公开了一种磁头，包括第一和第二磁极，且写入间隙层置于二者之间。在第一实施例中，写入间隙层包括非磁性、不导电第一次层，该第一次层优选由Ta或Ti构成，其淀积在第一磁极上以作用为粘结层。写入间隙层还包括第二次层，该第二次层由非磁性、导电材料形成，该材料优选由Rh或Ru构成。P2极尖在第二次层上电镀，其中，导电的第二次层用于导通电镀电流。在另一实施例中，写入间隙层包括第三次层，该第三次层在活性离子蚀刻(RIE)过程中可蚀刻，并且形成在第一和第二次层之间。第三次层优选由Ta或Ti构成。
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