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公开(公告)号：CN108697997B
公开(公告)日：2021-05-14
申请号：CN201780009160.4
申请日：2017-02-17
Abstract: 本发明提供一种不会因水分子的吸附而导致处理量降低的、分离二氧化碳等的全硅沸石分离膜及其制造方法。本发明之一为一种沸石分离膜，其为在多孔载体上形成的沸石晶体结构的骨架为全硅的沸石分离膜，其特征在于，多孔载体上形成的沸石晶体结构为无氟。另一个发明为一种沸石分离膜的制造方法，其为在多孔载体上具有沸石晶体结构的沸石分离膜的制造方法，其特征在于，包括：制造晶种的步骤；将晶种涂布在多孔载体上的步骤；制备膜合成原料组合物的步骤；以及，将涂布有晶种的多孔载体浸渍于膜合成原料组合物并进行水热合成的步骤，膜合成原料组合物包含硅源及有机模板剂，不包含氟化合物。
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公开(公告)号：CN109195693A
公开(公告)日：2019-01-11
申请号：CN201780032720.8
申请日：2017-06-13
Applicant: 日立造船株式会社
Abstract: 本发明提供一种未使用导致对装置设备及工序时间的成本高的NaOH等且具备纯硅沸石膜的分离膜的制造方法。该分离膜的制造方法为具备多孔支撑体、及在该支撑体上形成的具有MFI型沸石结晶结构的纯硅沸石膜的分离膜的制造方法，其特征在于，包括：制备晶种的步骤；使晶种附着于多孔支撑体上的步骤；制备包含SiO2、有机模板剂及H2O的膜合成原料组合物的步骤；以及将附着有晶种的多孔支撑体浸渍于上述膜合成原料组合物从而进行水热合成的步骤，膜合成原料组合物的组成比为SiO2:有机模板剂:H2O＝1:(0.05～0.15):(50～120)。
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公开(公告)号：CN108697997A
公开(公告)日：2018-10-23
申请号：CN201780009160.4
申请日：2017-02-17
CPC classification number: B01D71/028 , B01D53/228 , B01D67/0051 , B01D69/12 , B01D71/02 , C01B37/02
Abstract: 本发明提供一种不会因水分子的吸附而导致处理量降低的、分离二氧化碳等的全硅沸石分离膜及其制造方法。本发明之一为一种沸石分离膜，其为在多孔载体上形成的沸石晶体结构的骨架为全硅的沸石分离膜，其特征在于，多孔载体上形成的沸石晶体结构为无氟。另一个发明为一种沸石分离膜的制造方法，其为在多孔载体上具有沸石晶体结构的沸石分离膜的制造方法，其特征在于，包括：制造晶种的步骤；将晶种涂布在多孔载体上的步骤；制备膜合成原料组合物的步骤；以及，将涂布有晶种的多孔载体浸渍于膜合成原料组合物并进行水热合成的步骤，膜合成原料组合物包含硅源及有机模板剂，不包含氟化合物。
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公开(公告)号：CN106573204A
公开(公告)日：2017-04-19
申请号：CN201580035833.4
申请日：2015-07-06
Applicant: 日立造船株式会社
Abstract: 本发明的课题在于提供一种沸石膜，其在通过沸石分离膜进行的分离中，不仅兼具在实用上充分高的分离性能与处理量，还可保持长期间稳定的分离性能。CHA型沸石颗粒的Si/Al(摩尔比)为9.5～100.5，在对沸石膜表面照射X射线而得到的X射线衍射图中，2θ＝18°附近的峰强度小于2θ＝21°附近的峰强度的0.5倍，及/或2θ＝10°附近的峰强度小于2θ＝21°附近的峰强度的4倍。在使用含有Si元素源、Al元素源、碱源及有机模板的水性反应混合物，通过水热合成，在多孔支持体的中间层上形成具有CHA型晶体结构的沸石膜时，使用未经脱铝处理的FAU型沸石作为Si元素源及Al元素源。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113811381A
公开(公告)日：2021-12-17
申请号：CN202080034102.9
申请日：2020-04-28
Applicant: 日立造船株式会社
Abstract: 本发明提供一种沸石膜复合体，其为用于混合物的分离的沸石膜复合体，其维持可实用的渗透通量，同时分离系数高且制作容易。一种沸石膜复合体，其为多孔支撑体与形成在该多孔支撑体的表面上的骨架密度为10以上17以下的铝硅酸盐的沸石膜的沸石膜复合体，所述沸石膜表面的Si/Al摩尔比为5以上，所述沸石膜的考虑了表面的凹凸的展开膜面积Ae与未考虑表面的凹凸的表观膜面积A0的比(Ae/A0)为2以上且20以下。
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公开(公告)号：CN106573204B
公开(公告)日：2019-12-06
申请号：CN201580035833.4
申请日：2015-07-06
Applicant: 日立造船株式会社
Abstract: 本发明的课题在于提供一种沸石膜，其在通过沸石分离膜进行的分离中，不仅兼具在实用上充分高的分离性能与处理量，还可保持长期间稳定的分离性能。CHA型沸石颗粒的Si/Al(摩尔比)为9.5～100.5，在对沸石膜表面照射X射线而得到的X射线衍射图中，2θ＝18°附近的峰强度小于2θ＝21°附近的峰强度的0.5倍，及/或2θ＝10°附近的峰强度小于2θ＝21°附近的峰强度的4倍。在使用含有Si元素源、Al元素源、碱源及有机模板的水性反应混合物，通过水热合成，在多孔支持体的中间层上形成具有CHA型晶体结构的沸石膜时，使用未经脱铝处理的FAU型沸石作为Si元素源及Al元素源。
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公开(公告)号：CN105164049B
公开(公告)日：2018-04-20
申请号：CN201480022076.2
申请日：2014-05-30
Applicant: 日立造船株式会社
IPC: C01B32/168
CPC classification number: C01B32/168 , B32B9/007 , C01P2004/03 , C01P2004/13
Abstract: 本发明提供一种碳纳米管片材，该碳纳米管片材具有使无数的碳纳米管垂直取向而成的碳纳米管层(3)，以及保持所述碳纳米管的底端部的纤维状的碳化层(4)，所述碳纳米管层(3)形成在该碳纳米管的顶端部及底端部倾倒的同时、中间部相互缠绕的状态。
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公开(公告)号：CN113811381B
公开(公告)日：2023-07-11
申请号：CN202080034102.9
申请日：2020-04-28
Applicant: 日立造船株式会社
Abstract: 本发明提供一种沸石膜复合体，其为用于混合物的分离的沸石膜复合体，其维持可实用的渗透通量，同时分离系数高且制作容易。一种沸石膜复合体，其为多孔支撑体与形成在该多孔支撑体的表面上的骨架密度为10以上17以下的铝硅酸盐的沸石膜的沸石膜复合体，所述沸石膜表面的Si/Al摩尔比为5以上，所述沸石膜的考虑了表面的凹凸的展开膜面积Ae与未考虑表面的凹凸的表观膜面积A0的比(Ae/A0)为2以上且20以下。
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公开(公告)号：CN105164049A
公开(公告)日：2015-12-16
申请号：CN201480022076.2
申请日：2014-05-30
Applicant: 日立造船株式会社
IPC: C01B31/02
CPC classification number: C01B32/168 , B32B9/007 , C01P2004/03 , C01P2004/13
Abstract: 本发明提供一种碳纳米管片材，该碳纳米管片材具有使无数的碳纳米管垂直取向而成的碳纳米管层(3)，以及保持所述碳纳米管的底端部的纤维状的碳化层(4)，所述碳纳米管层(3)形成在该碳纳米管的顶端部及底端部倾倒的同时、中间部相互缠绕的状态。
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