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公开(公告)号：CN1139084C
公开(公告)日：2004-02-18
申请号：CN98124529.3
申请日：1998-09-26
Applicant: 日立金属株式会社 , 日立铁氧体电子株式会社
CPC classification number: H01F1/15308 , H01F27/24 , H01F2029/143
Abstract: 一种饱和电抗器的磁芯，由Fe基软磁合金制成，该合金的基本合金元素包括Fe、Cu和M，M选自Nb，W，Ta，Zr，Hf，Ti和Mo中的至少一种，合金的至少50%的面积比为平均粒径100nm以下的细晶粒。磁芯控制磁化特性为：0.12T以下剩余有效磁通密度ΔBb；2.0T以上总控制有效磁通密度ΔBr；和0.10-0.20T/(A/m)的总控制增益Gr，Gr＝0.8×(ΔBr-ΔBb)/HR，Hr是对应于0.8×(ΔBr-ΔBb)+ΔBb的总控制磁化力。
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公开(公告)号：CN113994441A
公开(公告)日：2022-01-28
申请号：CN202080040589.1
申请日：2020-06-24
Applicant: 日立金属株式会社
IPC: H01F1/153 , H01F3/04 , H01F27/245 , H01F27/25 , H01F30/10 , H01F30/12 , H01F41/02 , B23K26/362 , C22C45/02
Abstract: 本发明提供一种降低磁通密度1.45T条件下的铁损的Fe基非晶合金薄带。本公开的一方式是一种Fe基非晶合金薄带。Fe基非晶合金薄带在至少一个面具有多个连续的线状激光照射痕。线状激光照射痕沿与Fe基非晶合金薄带的铸造方向正交的方向设置。线状激光照射痕的表面具有凹凸，在以铸造方向评价凹凸时，Fe基非晶合金薄带的厚度方向上的最高点与最低点之差HL为0.25μm～2.0μm。
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公开(公告)号：CN1076854C
公开(公告)日：2001-12-26
申请号：CN94114912.9
申请日：1994-07-30
Applicant: 日立金属株式会社
CPC classification number: H01F3/04 , H01F1/15308 , H01F1/15333 , Y10S977/838
Abstract: 一种脉冲变压器用磁芯及其脉冲变压器，该磁芯由纳米晶软磁合金薄带制成，该合金中晶粒尺寸不大于50nm的细微纳米晶粒至少占结构的50体积%，其特征在于-20℃和50℃的交流相对初始磁导率不小于50000。该磁芯体积小，性能良好可靠，具有优异的温度特性。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113892154A
公开(公告)日：2022-01-04
申请号：CN202080040217.9
申请日：2020-06-24
Applicant: 日立金属株式会社
IPC: H01F1/153 , C22C45/02 , C21D10/00 , C22C33/04 , B22D11/06 , H01F27/245 , H01F30/10 , H01F30/12 , H01F41/02
Abstract: 本发明提供一种降低磁通密度1.45T条件下的铁损、变形小、生产率高的Fe基非晶合金薄带。本公开的一方式是一种具有第一面和第二面的Fe基非晶合金薄带。Fe基非晶合金薄带至少在第一面具有多个连续的线状激光照射痕。线状激光照射痕沿与Fe基非晶合金薄带的铸造方向正交的方向设置。线状激光照射痕的表面具有凹凸，在以铸造方向评价凹凸时，由Fe基非晶合金薄带的厚度方向上的最高点与最低点的高低差HL以及第一面中的线状激光照射痕的铸造方向上的长度即宽度WA算出的高低差HL×宽度WA为6.0～180μm2。
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公开(公告)号：CN1100838A
公开(公告)日：1995-03-29
申请号：CN94114912.9
申请日：1994-07-30
Applicant: 日立金属株式会社
CPC classification number: H01F3/04 , H01F1/15308 , H01F1/15333 , Y10S977/838
Abstract: 一种脉冲变压器用磁芯及其脉冲变压器，该磁芯由纳米晶软磁合金薄带制成，该合金中晶粒尺寸不大于50nm的细微纳米晶粒至少占结构的50体积％，其特征在于-20℃和50℃的交流相对初始磁导率不小于50000。该磁芯体积小，性能良好可靠，具有优异的温度特性。
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公开(公告)号：CN112582148A
公开(公告)日：2021-03-30
申请号：CN202010959323.9
申请日：2020-09-14
Applicant: 日立金属株式会社
Abstract: 本发明提供一种降低了空载损耗的变压器。变压器中，在Fe基非晶合金薄带的至少一面具有多个沿着与Fe基非晶合金薄带的浇铸方向正交的方向设置的点列状激光照射痕，将点列状激光照射痕间的行间隔设为d1(mm)，将点列状激光照射痕的孔间隔设为d2(mm)，孔间隔未0.10mm～0.50mm，激光照射痕的数密度D(D＝(1/d1)×(1/d2))为0.05个/mm2～0.50个/mm2，具备使用其单板中的频率50Hz、频率60Hz、磁通密度1.45T下的铁损为0.150W/kg以下的Fe基非晶合金薄带构成的铁芯和卷绕于铁芯的绕阻。
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公开(公告)号：CN1215901A
公开(公告)日：1999-05-05
申请号：CN98124529.3
申请日：1998-09-26
Applicant: 日立金属株式会社 , 日立铁氧体电子株式会社
CPC classification number: H01F1/15308 , H01F27/24 , H01F2029/143
Abstract: 一种饱和电抗器的磁芯,由Fe基软磁合金制成,该合金的基本合金元素包括Fe、Cu和M,M选自Nb,W,Ta,Zr,Hf,Ti和Mo中的至少一种,合金的至少50%的面积比为平均粒径100nm以下的细晶粒。磁芯控制磁化特性为:0.12T以下剩余有效磁通密度△Bb;2.0T以上总控制有效磁通密度△Br;和0.10—0.20T/(A/m)的总控制增益Gr,Gr=0.8×(△Br－△Bb)/Hr,Hr是对应于0.8×(△Br－△Bb)+△Bb的总控制磁化力。
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公开(公告)号：CN1119366A
公开(公告)日：1996-03-27
申请号：CN94118971.6
申请日：1994-11-26
Applicant: 日立金属株式会社
IPC: H02M7/00
CPC classification number: H02M1/4225 , H01F1/15308 , H01F1/15333 , H01F17/06 , H03H19/00 , Y02B70/126 , Y10S977/776 , Y10S977/777 , Y10S977/838
Abstract: 本发明涉及一种包括一个平滑滤波器的有源滤波电路，该平滑滤波器包括一个扼流线圈，所述扼流线圈包括一个由微晶合金构成的并至少在其一个部分上有一磁隙的磁芯及至少一根围绕该磁芯缠绕的导线。该微晶合金的组成为0.1～3％(原子)的至少一种选自Cu和Au中的元素，1～7％(原子)的至少一种选自Ti、Zr、Hf、V、Nb、Ta、Mo和W中的元素，10～17％(原子)的Si，4～10％(原子)的B，其余基本上是Fe和不可避免的杂质。
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