公开(公告)号：CN105190865A

公开(公告)日：2015-12-23

申请号：CN201480013840.X

申请日：2014-03-19

申请人： 旭化成微电子株式会社

发明人： 长仓浩太郎

IPC分类号： H01L21/822 ,  H01L21/768 ,  H01L27/04

CPC分类号： H01L23/5228 ,  H01L21/32135 ,  H01L21/32139 ,  H01L21/768 ,  H01L23/5222 ,  H01L23/5223 ,  H01L23/5226 ,  H01L23/528 ,  H01L23/53209 ,  H01L27/016 ,  H01L27/0802 ,  H01L28/20 ,  H01L28/24 ,  H01L28/60 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： 提供一种能够使在衬底上具备多个种类的电阻体的半导体装置的制造工序数与以往相比减少的半导体装置及其制造方法。半导体装置(1)具备：第一金属布线层(11)，其形成在衬底(10)上；层间绝缘膜(12)，其形成在第一金属布线层(11)上；第二金属布线层(23)，其形成在层间绝缘膜(12)上；第一电阻体，其具有形成在第一金属布线层(11)与第二金属布线层(23)之间的第一电阻金属膜(14a)、形成在第一电阻金属膜(14a)上的第一绝缘膜(15a)以及形成在第一绝缘膜(15a)上的第二电阻金属膜(16a)；以及第二电阻体，其具有形成在第一金属布线层(11)与第二金属布线层(23)之间的第一电阻金属膜(14b)、形成在第一电阻金属膜(14b)上的第一绝缘膜(15b)以及形成在第一绝缘膜(15b)上的第二电阻金属膜(16b)。

公开(公告)号：CN103403860B

公开(公告)日：2015-11-25

申请号：CN201280011799.3

申请日：2012-03-02

申请人： 旭化成微电子株式会社

发明人： 长仓浩太郎

IPC分类号： H01L21/822 ,  H01L27/04

CPC分类号： H01L28/60 ,  H01L21/31111 ,  H01L21/32105 ,  H01L27/0629 ,  H01L28/40

摘要： 本发明涉及制造可抑制容量值的施加电场依赖性上升及电介质膜的初始缺陷这两者的双层多晶硅电容元件。该双层多晶硅电容元件包含：注入有磷离子的下部电极；形成在下部电极上的电介质膜；以及形成在该电介质膜上的上部电极，电介质膜包含将用来形成下部电极的多晶硅膜的一部分氧化而形成的表层部被蚀刻掉的热氧化膜以及形成在热氧化膜上的沉积氧化膜。

公开(公告)号：CN105190865B

公开(公告)日：2017-12-19

申请号：CN201480013840.X

申请日：2014-03-19

申请人： 旭化成微电子株式会社

发明人： 长仓浩太郎

IPC分类号： H01L21/822 ,  H01L21/768 ,  H01L27/04

CPC分类号： H01L23/5228 ,  H01L21/32135 ,  H01L21/32139 ,  H01L21/768 ,  H01L23/5222 ,  H01L23/5223 ,  H01L23/5226 ,  H01L23/528 ,  H01L23/53209 ,  H01L27/016 ,  H01L27/0802 ,  H01L28/20 ,  H01L28/24 ,  H01L28/60 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： 提供一种能够使在衬底上具备多个种类的电阻体的半导体装置的制造工序数与以往相比减少的半导体装置及其制造方法。半导体装置(1)具备：第一金属布线层(11)，其形成在衬底(10)上；层间绝缘膜(12)，其形成在第一金属布线层(11)上；第二金属布线层(23)，其形成在层间绝缘膜(12)上；第一电阻体，其具有形成在第一金属布线层(11)与第二金属布线层(23)之间的第一电阻金属膜(14a)、形成在第一电阻金属膜(14a)上的第一绝缘膜(15a)以及形成在第一绝缘膜(15a)上的第二电阻金属膜(16a)；以及第二电阻体，其具有形成在第一金属布线层(11)与第二金属布线层(23)之间的第一电阻金属膜(14b)、形成在第一电阻金属膜(14b)上的第一绝缘膜(15b)以及形成在第一绝缘膜(15b)上的第二电阻金属膜(16b)。

公开(公告)号：CN103403860A

公开(公告)日：2013-11-20

申请号：CN201280011799.3

申请日：2012-03-02

申请人： 旭化成微电子株式会社

发明人： 长仓浩太郎

IPC分类号： H01L21/822 ,  H01L27/04

CPC分类号： H01L28/60 ,  H01L21/31111 ,  H01L21/32105 ,  H01L27/0629 ,  H01L28/40

摘要： 本发明涉及制造可抑制容量值的施加电场依赖性上升及电介质膜的初始缺陷这两者的双层多晶硅电容元件。该双层多晶硅电容元件包含：注入有磷离子的下部电极；形成在下部电极上的电介质膜；以及形成在该电介质膜上的上部电极，电介质膜包含将用来形成下部电极的多晶硅膜的一部分氧化而形成的表层部被蚀刻掉的热氧化膜以及形成在热氧化膜上的沉积氧化膜。