半导体装置及其制造方法

    公开(公告)号:CN111384021A

    公开(公告)日:2020-07-07

    申请号:CN201911367935.2

    申请日:2019-12-26

    Abstract: 本发明的目的在于提供再布线层中的层间绝缘膜与封装材料的密合性优异且电特性优异的半导体装置及其制造方法。本发明的半导体装置(1)的特征在于,具备半导体芯片(2)、覆盖半导体芯片的封装材料(3)、以及在俯视时面积大于前述半导体芯片的再布线层(4),再布线层的层间绝缘膜(6)在空气气氛下、以10℃/分钟温至700℃后的失重率为5~95重量%。根据本发明,能够提供再布线层中的层间绝缘膜与封装材料的密合性优异且电特性优异的半导体装置及其制造方法。

    半导体装置及其制造方法
    4.
    发明公开

    公开(公告)号:CN118448386A

    公开(公告)日:2024-08-06

    申请号:CN202410525923.2

    申请日:2019-12-26

    Abstract: 本发明的目的在于提供再布线层中的层间绝缘膜与封装材料的密合性优异且电特性优异的半导体装置及其制造方法。本发明的半导体装置(1)的特征在于,具备半导体芯片(2)、覆盖半导体芯片的封装材料(3)、以及在俯视时面积大于前述半导体芯片的再布线层(4),再布线层的层间绝缘膜(6)在空气气氛下、以10℃/分钟温至700℃后的失重率为5~95重量%。根据本发明,能够提供再布线层中的层间绝缘膜与封装材料的密合性优异且电特性优异的半导体装置及其制造方法。

    半导体装置及其制造方法
    6.
    发明公开

    公开(公告)号:CN118448385A

    公开(公告)日:2024-08-06

    申请号:CN202410525922.8

    申请日:2019-12-26

    Abstract: 本发明的目的在于提供再布线层中的层间绝缘膜与封装材料的密合性优异且电特性优异的半导体装置及其制造方法。本发明的半导体装置(1)的特征在于,具备半导体芯片(2)、覆盖半导体芯片的封装材料(3)、以及在俯视时面积大于前述半导体芯片的再布线层(4),再布线层的层间绝缘膜(6)在空气气氛下、以10℃/分钟温至700℃后的失重率为5~95重量%。根据本发明,能够提供再布线层中的层间绝缘膜与封装材料的密合性优异且电特性优异的半导体装置及其制造方法。

    半导体装置及其制造方法

    公开(公告)号:CN111384021B

    公开(公告)日:2024-04-16

    申请号:CN201911367935.2

    申请日:2019-12-26

    Abstract: 本发明的目的在于提供再布线层中的层间绝缘膜与封装材料的密合性优异且电特性优异的半导体装置及其制造方法。本发明的半导体装置(1)的特征在于,具备半导体芯片(2)、覆盖半导体芯片的封装材料(3)、以及在俯视时面积大于前述半导体芯片的再布线层(4),再布线层的层间绝缘膜(6)在空气气氛下、以10℃/分钟温至700℃后的失重率为5~95重量%。根据本发明,能够提供再布线层中的层间绝缘膜与封装材料的密合性优异且电特性优异的半导体装置及其制造方法。

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