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公开(公告)号：CN114342194B
公开(公告)日：2024-03-19
申请号：CN202080059053.4
申请日：2020-09-25
Applicant: 旭化成株式会社 , 国立大学法人东海国立大学机构
IPC: H01S5/343
Abstract: 激光二极管(1)具备：AlN单晶的基板(11)；形成在基板上且包含具有n型导电性的氮化物半导体层的n型包层(12)；形成在n型包层上且包含一个以上量子阱的发光层(14)；形成在发光层上且包含具有p型导电性的氮化物半导体层的p型包层(20)；以及，形成在p型包层上且包含含有GaN的氮化物半导体的p型接触层(18)，p型包层具备p型纵传导层(16)和p型横传导层(17)，所述p型纵传导层(16)包含AlsGa1‑sN(0.3≤s≤1)，具有随着远离基板而Al组成s变小的组成倾斜，且所述p型纵传导层的膜厚小于0.5μm，所述p型横传导层(17)包含AltGa1‑tN(0
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公开(公告)号：CN109768140B
公开(公告)日：2021-08-17
申请号：CN201811330368.9
申请日：2018-11-09
Applicant: 旭化成株式会社
Abstract: 本发明涉及氮化物半导体元件、氮化物半导体发光元件、紫外线发光元件。[课题]提供：即便在使用Al组成高的AlGaN的发光元件的情况下接触电阻的降低效果也高的氮化物半导体元件。[解决方案]氮化物半导体元件具有：基板(1)；第一导电型的第一氮化物半导体层(2)，其形成于基板上；和，第一电极层(4)，其形成于第一氮化物半导体层上。第一电极层包含铝和镍，在其与第一氮化物半导体层的接触面或接触面的附近存在有铝、以及包含铝和镍的合金这两者。
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公开(公告)号：CN114342194A
公开(公告)日：2022-04-12
申请号：CN202080059053.4
申请日：2020-09-25
Applicant: 旭化成株式会社 , 国立大学法人东海国立大学机构
IPC: H01S5/343
Abstract: 激光二极管(1)具备：AlN单晶的基板(11)；形成在基板上且包含具有n型导电性的氮化物半导体层的n型包层(12)；形成在n型包层上且包含一个以上量子阱的发光层(14)；形成在发光层上且包含具有p型导电性的氮化物半导体层的p型包层(20)；以及，形成在p型包层上且包含含有GaN的氮化物半导体的p型接触层(18)，p型包层具备p型纵传导层(16)和p型横传导层(17)，所述p型纵传导层(16)包含AlsGa1‑sN(0.3≤s≤1)，具有随着远离基板而Al组成s变小的组成倾斜，且所述p型纵传导层的膜厚小于0.5μm，所述p型横传导层(17)包含AltGa1‑tN(0
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公开(公告)号：CN109768140A
公开(公告)日：2019-05-17
申请号：CN201811330368.9
申请日：2018-11-09
Applicant: 旭化成株式会社
Abstract: 本发明涉及氮化物半导体元件、氮化物半导体发光元件、紫外线发光元件。[课题]提供：即便在使用Al组成高的AlGaN的发光元件的情况下接触电阻的降低效果也高的氮化物半导体元件。[解决方案]氮化物半导体元件具有：基板(1)；第一导电型的第一氮化物半导体层(2)，其形成于基板上；和，第一电极层(4)，其形成于第一氮化物半导体层上。第一电极层包含铝和镍，在其与第一氮化物半导体层的接触面或接触面的附近存在有铝、以及包含铝和镍的合金这两者。
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