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公开(公告)号:CN115612484B
公开(公告)日:2024-08-30
申请号:CN202211302803.3
申请日:2018-02-28
申请人: 国立大学法人东海国立大学机构 , 国立大学法人大阪大学 , 日亚化学工业株式会社
摘要: 本发明提供一种半导体纳米粒子,其显示频带边缘发光,并且具有短波长的发光峰值波长。半导体纳米粒子包含Ag、In、Ga及S,Ga的原子数相对于In和Ga的总原子数之比为0.95以下。另外,半导体纳米粒子发出在500nm以上且不足590nm的范围内具有发光峰值波长、且发光峰的半值宽度为70nm以下的光,其平均粒径为10nm以下。
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公开(公告)号:CN118525024A
公开(公告)日:2024-08-20
申请号:CN202380016684.1
申请日:2023-01-12
申请人: 国立大学法人东海国立大学机构 , 日产化学株式会社
IPC分类号: C07D495/04 , C08F2/44 , C08K3/22 , C08K5/45 , C08L101/00 , C09B57/00 , C09B67/20 , G02B5/20
摘要: 作为适合作为波长转换膜用的荧光体的新型的稠环噻吩化合物,提供由式(1)表示的稠环噻吩化合物。(Ar1和Ar2各自独立地为可具有取代基的芳环或可具有取代基的杂芳环,R1~R4各自独立地为氢原子、可具有取代基的烷基等,R1~R4的全部不同时为氢原子,R1和R2可相互键合以与邻接的氮原子一起形成环,R3和R4可相互键合以与邻接的氮原子一起形成环,R1和R2的任一者或两者可与Ar1键合以与邻接的氮原子一起形成环,R3和R4的任一者或两者可与Ar2键合以与邻接的氮原子一起形成环,Y1和Y2的一者为‑SO2‑,另一者为‑S‑或‑SO2‑。)#imgabs0#
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公开(公告)号:CN118435400A
公开(公告)日:2024-08-02
申请号:CN202280085460.1
申请日:2022-12-23
申请人: 国立大学法人东海国立大学机构
IPC分类号: H01M8/1018 , C08F8/36 , C08F8/40 , C08F12/14 , C08F293/00 , C08L25/18 , C08L53/00 , C08L101/00 , C08L101/02 , H01B1/06 , H01B13/00 , H01M8/1041 , H01M8/1023 , H01M8/1044 , H01M8/1048 , H01M8/1067 , H01M8/1069 , H01M8/1072
摘要: 本发明新提供一种高分子电解质膜、表现出1.0×10‑3S/cm以上的电导率的复合聚合物膜、用于固体高分子型燃料电池的离聚物、隔着间隔基团结构具有膦酸基和/或膦酸酯的单体。高分子电解质膜、表现出1.0×10‑3S/cm以上的电导率的复合聚合物膜、用于固体高分子型燃料电池的离聚物、隔着间隔基团结构具有膦酸基和/或膦酸酯的单体。
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公开(公告)号:CN118318033A
公开(公告)日:2024-07-09
申请号:CN202280066514.X
申请日:2022-09-27
申请人: 住友制药株式会社 , 国立大学法人东海国立大学机构 , 住友化学株式会社
IPC分类号: C12N5/071 , A61K35/12 , A61K35/30 , A61K35/545 , A61P5/10 , C12N5/0735 , C12N5/079
摘要: 本发明提供从多潜能干细胞有效制备包含垂体激素产生细胞的细胞聚集体的技术。
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公开(公告)号:CN113661317B
公开(公告)日:2024-05-03
申请号:CN202080027372.7
申请日:2020-04-09
申请人: 国立大学法人东海国立大学机构 , 泽藤电机株式会社
摘要: 提供一种燃料重整装置,包括:氨罐(4);重整器(5),用于重整氨并产生氢含量至少为99%的高浓度氢气;混合罐(7),用于混合氨和氢以进行临时储存;以及控制装置(10),用于控制供应至混合罐(7)的氨和高浓度氢气的各自的供应量。控制装置(10)基于等式(1)计算混合气体相对于基准燃料的燃烧率系数C。等式(1):S0=SH×C+SA×(1‑C)。在等式(1)中,S0为基准燃料的燃烧率,SH为氢的燃烧率,SA为氨的燃烧率,C为混合气体的燃烧率系数。此外,基于等式(2),控制装置(10)确定供应至混合罐的氨和氢的体积分数。等式(2):C=1‑exp(‑A×MB)。在等式(2)中,M为混合气体中氢的体积分数,且A、B为常数。
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公开(公告)号:CN113784808B
公开(公告)日:2024-03-01
申请号:CN202080005041.3
申请日:2020-04-22
申请人: 国立大学法人东海国立大学机构
发明人: 王志刚
摘要: 精密锻造法具有:以金属材料(10)的周壁(10)的底部(12)与冲头(30)对置的方式,将金属材料(10)配置于冲模(20)的冲模孔(22)内。另外,精密锻造法具有:使在加工端面(31)的缘部具有切削刃(32)的冲头(30)在冲模孔(22)内移动,据此利用切削刃(32)切入壁部(14)的厚度方向的一部分,并且使该切入部分引起剪切变形。(14)的顶端面与止动部(24)对置、并且金属材料
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公开(公告)号:CN114222724B
公开(公告)日:2024-02-06
申请号:CN202080053660.X
申请日:2020-07-29
申请人: 国立大学法人东海国立大学机构
IPC分类号: C04B35/48 , C04B35/622 , C04B35/64
摘要: 烧结体的制造方法是对陶瓷粉末压坯施加电场的同时进行升温的烧结体的制造方法。该方法对流经陶瓷粉末压坯的电流进行控制而使烧结速度成为恒定。(56)对比文件Dianguang Liua et al“.Effect of theapplied electric field on themicrostructure and electrical propertiesof flash-sintered 3YSZ ceramics”.《Ceramics International》.2016,
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公开(公告)号:CN117413156A
公开(公告)日:2024-01-16
申请号:CN202280039584.6
申请日:2022-02-24
申请人: 保来得株式会社 , 国立大学法人东海国立大学机构
IPC分类号: F28D15/02
摘要: 本公开的制造方法是制造具有蒸发体的热交换器的制造方法,所述蒸发体从外部吸收热,通过毛细管力使液相的工作流体移动并且使其蒸发为气相,所述制造方法包括以下工序:在作为板状的构件的第一板构件的板面形成凹部的工序;在凹部中的预先确定的区域涂布包含粉体的材料的工序;使涂布于预先确定的区域的材料固化而形成蒸发体的工序;以及用作为板状的构件的第二板构件覆盖设有蒸发体的凹部,将第一板构件和第二板构件固定的工序。
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公开(公告)号:CN117352382A
公开(公告)日:2024-01-05
申请号:CN202310789900.8
申请日:2023-06-30
申请人: 株式会社电装 , 丰田自动车株式会社 , 未来瞻科技株式会社 , 国立大学法人东海国立大学机构
IPC分类号: H01L21/304 , H01L21/268
摘要: 半导体装置具备氮化镓基板以及设在上述氮化镓基板的表面的图案膜。上述氮化镓基板的沿着上述表面的第1方向的杨氏模量大于沿着上述表面且与上述第1方向正交的第2方向的杨氏模量。上述氮化镓基板的上述第1方向的尺寸除以上述氮化镓基板的上述第2方向的尺寸而得到的第1比率R1、和上述图案膜的上述第1方向的尺寸除以上述图案膜的上述第2方向的尺寸而得到的第2比率R2满足R1
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公开(公告)号:CN116895522A
公开(公告)日:2023-10-17
申请号:CN202310350521.9
申请日:2023-04-04
申请人: 株式会社电装 , 丰田自动车株式会社 , 未来瞻科技株式会社 , 国立大学法人东海国立大学机构 , 浜松光子学株式会社
IPC分类号: H01L21/268 , H01L21/304 , H01L21/28 , H01L21/428 , H01L21/44 , H01L21/463
摘要: 一种半导体器件的制造方法,包括:在化合物半导体衬底(12)的第一表面(12a)中沿着多个器件区域(40)之间的界面形成排气凹部(14),化合物半导体衬底包括与第一表面(12a)相邻的多个器件区域(40);通过施加激光束(112),在化合物半导体衬底内部形成改变层(16)以沿着第一表面在对应于排气凹部的深度范围的深度处延伸;在改变层处将化合物半导体衬底分割成包括第一表面(12a)的第一部分(61)和包括化合物半导体衬底的与第一表面(12a)相反的第二表面(12b)的第二部分(62);以及形成金属膜(71、81、91)以覆盖第一部分的分割面(61a),同时露出排气凹部。
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