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公开(公告)号：CN101432594A
公开(公告)日：2009-05-13
申请号：CN200780014954.6
申请日：2007-04-26
Applicant: 旭化成电子材料元件株式会社
Abstract: 本发明涉及一种通过取得多个霍尔元件的输出电压之比来消除温度特性的偏差、除去由纵方向的晃动引起的误差的位置检测装置以及位置检测方法。当霍尔元件(22a)的霍尔电压Vhe1为A·K·Bhe1(A是前置放大器(32)的放大率、K是常数、Bhe1是霍尔元件所受到的磁通密度)时，PI调节器(41)通过反馈控制自动地改变PI输出的偏压点使得A·K·Bhe1+Vref＝AGND(＝0)。放大后的霍尔元件(22b)的霍尔电压Vhe2为A·K·Bhe2。K＝－Vref/A·Bhe1，因此霍尔元件的霍尔电压Vhe2为－Vref·Bhe2/Bhe1。霍尔电压与磁通密度成比例，因此与对霍尔元件(22a)和霍尔元件(22b)的输出电压进行除法运算是等价的。
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公开(公告)号：CN101421635B
公开(公告)日：2012-05-30
申请号：CN200780013281.2
申请日：2007-03-28
Applicant: 旭化成电子材料元件株式会社
CPC classification number: G01R33/07 , G01R33/0011 , H01L27/22 , H01L43/06
Abstract: 本发明提供磁传感器及其制造方法。该磁传感器考虑了磁性体的基底层与半导体基板的接触面积而磁特性极为稳定。在半导体基板(11)上，设有以与该半导体基板的表面处于同一平面的方式互相隔开规定间隔地埋入的多个霍尔元件(12a、12b)，在霍尔元件上以及半导体基板上，隔着保护层(15)设有基底层(14)，该基底层(14)由金属或树脂构成，具有与多个霍尔元件不同的热膨胀率，具有覆盖该多个霍尔元件的区域的至少局部的面积，在基底层上设有面积大于该基底层的面积的、具有磁放大功能的磁收敛板(15)。减小磁性体的基底层与半导体基板的接触面积而减少偏离电压的产生。
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公开(公告)号：CN101432594B
公开(公告)日：2011-02-16
申请号：CN200780014954.6
申请日：2007-04-26
Applicant: 旭化成电子材料元件株式会社
Abstract: 本发明涉及一种通过取得多个霍尔元件的输出电压之比来消除温度特性的偏差、除去由纵方向的晃动引起的误差的位置检测装置以及位置检测方法。当霍尔元件(22a)的霍尔电压Vhe1为A·K·Bhe1(A是前置放大器(32)的放大率、K是常数、Bhe1是霍尔元件所受到的磁通密度)时，PI调节器(41)通过反馈控制自动地改变PI输出的偏压点使得A·K·Bhe1+Vref＝AGND(＝0)。放大后的霍尔元件(22b)的霍尔电压Vhe2为A·K·Bhe2。K＝-Vref/A·Bhe1，因此霍尔元件的霍尔电压Vhe2为-Vref·Bhe2/Bhe1。霍尔电压与磁通密度成比例，因此与对霍尔元件(22a)和霍尔元件(22b)的输出电压进行除法运算是等价的。
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公开(公告)号：CN101421635A
公开(公告)日：2009-04-29
申请号：CN200780013281.2
申请日：2007-03-28
Applicant: 旭化成电子材料元件株式会社
CPC classification number: G01R33/07 , G01R33/0011 , H01L27/22 , H01L43/06
Abstract: 本发明提供磁传感器及其制造方法。该磁传感器考虑了磁性体的基底层与半导体基板的接触面积而磁特性极为稳定。在半导体基板(11)上，设有以与该半导体基板的表面处于同一平面的方式互相隔开规定间隔地埋入的多个霍尔元件(12a、12b)，在霍尔元件上以及半导体基板上，隔着保护层(15)设有基底层(14)，该基底层(14)由金属或树脂构成，具有与多个霍尔元件不同的热膨胀率，具有覆盖该多个霍尔元件的区域的至少局部的面积，在基底层上设有面积大于该基底层的面积的、具有磁放大功能的磁收敛板(15)。减小磁性体的基底层与半导体基板的接触面积而减少偏离电压的产生。
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