公开(公告)号：CN101421635B

公开(公告)日：2012-05-30

申请号：CN200780013281.2

申请日：2007-03-28

Applicant: 旭化成电子材料元件株式会社

Inventor： 片冈诚 ,  角田胜己 ,  山县曜 ,  金山裕一

IPC: G01R33/07 ,  H01L43/06

CPC classification number: G01R33/07 ,  G01R33/0011 ,  H01L27/22 ,  H01L43/06

Abstract: 本发明提供磁传感器及其制造方法。该磁传感器考虑了磁性体的基底层与半导体基板的接触面积而磁特性极为稳定。在半导体基板(11)上，设有以与该半导体基板的表面处于同一平面的方式互相隔开规定间隔地埋入的多个霍尔元件(12a、12b)，在霍尔元件上以及半导体基板上，隔着保护层(15)设有基底层(14)，该基底层(14)由金属或树脂构成，具有与多个霍尔元件不同的热膨胀率，具有覆盖该多个霍尔元件的区域的至少局部的面积，在基底层上设有面积大于该基底层的面积的、具有磁放大功能的磁收敛板(15)。减小磁性体的基底层与半导体基板的接触面积而减少偏离电压的产生。

公开(公告)号：CN101356442B

公开(公告)日：2012-02-01

申请号：CN200680050498.6

申请日：2006-12-27

Applicant: 旭化成电子材料元件株式会社

Inventor： 北村彻 ,  山下昌哉

IPC: G01P21/00 ,  G01P15/18

CPC classification number: G01P21/00 ,  G01P15/18

Abstract: 根据将由包含多轴成分的多个加速度数据构成的加速度数据群的各轴成分设为坐标值时的三维正交坐标空间上的分布、和附带在该加速度数据群中的重要度群，估计在二维或三维正交坐标空间上决定的基准点和各轴的基准长，根据其估计出的基准点和各轴的基准长来校正各加速度数据。

公开(公告)号：CN101459203B

公开(公告)日：2011-06-15

申请号：CN200810179585.2

申请日：2004-09-09

Applicant: 旭化成电子材料元件株式会社

Inventor： 上之康一郎 ,  久世直洋 ,  森安嘉贵 ,  永濑和宏

IPC: H01L31/102 ,  H01L31/103 ,  H01L31/0352 ,  H01L31/18 ,  H01L25/16 ,  G01J5/20 ,  G01J5/04

CPC classification number: H01L31/035236 ,  B82Y20/00 ,  G01J1/02 ,  G01J1/0204 ,  G01J5/02 ,  G01J5/0215 ,  G01J5/04 ,  G01J5/045 ,  G01J5/20 ,  G01J2001/0276 ,  H01L31/1035 ,  H01L2224/48137 ,  H01L2224/48145 ,  H01L2924/3011 ,  H01L2924/3025 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012

Abstract: 本发明提供一种红外线传感器，其包括基板以及在该基板上形成的、由多个化合物半导体层层叠而成的化合物半导体的层叠体，上述化合物半导体的层叠体包括：在该基板上形成的、作为包含铟及锑且n型掺杂了的材料的第六化合物半导体层；在该第六化合物半导体层上形成的、作为包含铟及锑且未掺杂或p型掺杂了的材料的第七化合物半导体层；以及在该第七化合物半导体层上形成的、作为以比上述第七化合物半导体层更高的浓度进行了p型掺杂、且具有比上述第六化合物半导体层及上述第七化合物半导体层更大的带隙的材料的第八化合物半导体层。

公开(公告)号：CN101443998B

公开(公告)日：2011-05-04

申请号：CN200780017535.8

申请日：2007-05-15

Applicant: 旭化成电子材料元件株式会社

Inventor： 海保敏夫 ,  町田纯一

IPC: H03K17/687

CPC classification number: H03K17/6872 ,  H03F3/2171 ,  H03F3/2173 ,  H03F3/45475 ,  H03F2200/129 ,  H03F2200/135 ,  H03F2200/264 ,  H03F2200/297 ,  H03F2200/301 ,  H03F2200/351 ,  H03F2203/45136 ,  H03F2203/45526 ,  H03K7/08 ,  H03K2217/0036

Abstract: 从感应性等负载中输出输入信号再现性好的输出信号的波形。将出现在负载L1两端输出端子(50，51)上的输出信号Vp-n1被反馈到输入端子(9a，9b)侧的输出信号V1a、V1b与输入信号Vin进行比较从而检测该信号之间的误差，为了抑制该检测出的信号之间的误差而生成校正该误差的第一误差抑制信号Vout1，并且，检测第一误差抑制信号Vout1的斜率，生成如通过该检测的斜率信号抑制与输入信号Vin之间的斜率误差的第二误差抑制信号Vout2，根据该误差抑制信号的误差量来变更向负载L1供给电能的期间和不供给电能的期间之间的比率。

公开(公告)号：CN101432594B

公开(公告)日：2011-02-16

申请号：CN200780014954.6

申请日：2007-04-26

Applicant: 旭化成电子材料元件株式会社

Inventor： 吉田孝志 ,  铃木胜 ,  角田胜己

IPC: G01D5/14 ,  G01B7/00 ,  G02B7/08

CPC classification number: G01D5/145 ,  G03B13/36

Abstract: 本发明涉及一种通过取得多个霍尔元件的输出电压之比来消除温度特性的偏差、除去由纵方向的晃动引起的误差的位置检测装置以及位置检测方法。当霍尔元件(22a)的霍尔电压Vhe1为A·K·Bhe1(A是前置放大器(32)的放大率、K是常数、Bhe1是霍尔元件所受到的磁通密度)时，PI调节器(41)通过反馈控制自动地改变PI输出的偏压点使得A·K·Bhe1+Vref＝AGND(＝0)。放大后的霍尔元件(22b)的霍尔电压Vhe2为A·K·Bhe2。K＝-Vref/A·Bhe1，因此霍尔元件的霍尔电压Vhe2为-Vref·Bhe2/Bhe1。霍尔电压与磁通密度成比例，因此与对霍尔元件(22a)和霍尔元件(22b)的输出电压进行除法运算是等价的。

公开(公告)号：CN1816730B9

公开(公告)日：2011-01-05

申请号：CN200480019092.2

申请日：2004-07-01

Applicant: 旭化成电子材料元件株式会社

Inventor： 北村彻 ,  佐藤正信 ,  山下昌哉 ,  御子柴宪彦

IPC: G01C17/28 ,  G01C21/08

Abstract: 本发明提供用来实现根据在方位角的测定中所取得的数据所计算的偏移的更新的方位角计测装置和方位角计测方法。通过3轴磁传感器(10)测定的地磁输出，在放大部(13)中被放大后输入到A/D转换部(14)。斩波部(11)用于切换驱动X轴磁传感器(2)和Y轴磁传感器(3)和Z轴磁传感器(4)的端子，把从驱动电源部(12)输出的驱动电压施加到X轴磁传感器(2)和Y轴磁传感器(3)和Z轴磁传感器(4)上。在放大器(13)放大的输出放大值在A/D转换部(14)从模拟信号转换成数字信号后，输入到灵敏度·偏移修正计算部(16)。该到灵敏度·偏移修正计算部(16)的输出数据，输入到方位角计算部(20)，而且其方位角信息被输出。可靠性信息计算部(19)输出可靠性信息。

公开(公告)号：CN100535593C

公开(公告)日：2009-09-02

申请号：CN03815813.2

申请日：2003-06-30

Applicant: 旭化成电子材料元件株式会社

Inventor： 疋田浩一 ,  山下昌哉

IPC: G01C17/38

CPC classification number: G01C17/28 ,  G01C17/38

Abstract: 提供了一种能够校准一磁性传感器而不会增加用户的工作量的方位角测量装置。当将一具有在进行灵敏度修正后得到的放大的输出值Sx、Sy、Sz的点设置在一xyz坐标系中作为x、y、z分量时，一偏差信息计算部分8计算其表面位于每个点的附近的球体的中心坐标，并计算该球体的中心坐标的x分量作为一x-轴霍耳元件HEx的当前的偏差Cx，该球体的中心坐标的y分量作为一y-轴霍耳元件HEy的当前的偏差Cy，和该球体的中心坐标的z分量作为一z-轴霍耳元件HEz的当前的偏差Cz。因此可校准该磁性传感器而不会增加用户的工作量。

公开(公告)号：CN100533966C

公开(公告)日：2009-08-26

申请号：CN03810537.3

申请日：2003-05-16

Applicant: 旭化成电子材料元件株式会社

Inventor： 小林诚 ,  富冈幸治 ,  佐佐木一成

IPC: H03G11/00 ,  G11B7/005 ,  G11B7/095

CPC classification number: G11B20/20 ,  G11B7/0053 ,  G11B7/24082

Abstract: 在一种转换速率限制器中，通过限制转换速率可以阻止比包含在由差分放大器产生的差分信号中的摆动信号改变更剧烈的信号通过，并且该差分信号被用该转换速率进行处理后输出。即，比包含在差分信号DIFO中的摆动信号改变更剧烈的信号被去除，因此使得只有该摆动信号从所述转换速率限制器中输出。由DAC产生的偏置电压也被加法器加到来自所述转换速率限制器的摆动信号上并随后所述差分信号在比较器中与作为限幅电平的加成信号相比较以复制LPP信号。

公开(公告)号：CN101495919A

公开(公告)日：2009-07-29

申请号：CN200780028199.7

申请日：2007-08-10

Applicant: 旭化成电子材料元件株式会社

Inventor： 涩井智史

IPC: G03F7/023 ,  G03F7/004 ,  H01L21/027

CPC classification number: G03F7/0233 ,  G03F7/0045 ,  G03F7/022 ,  Y10T428/24802

Abstract: 本发明提供了具有优异感光度和分辨率的正型感光性树脂组合物。所述树脂组合物，其特征在于，相对于100质量份的(A)具有下述通式(1)表示的重复单元的羟基聚酰胺，包含1～50质量份的(B)光产酸剂，5～20质量份的(C)下述通式(2)表示的碳原子数6～18的羧酸化合物和0.01～70质量份的(D)下述通式(3)表示的碳原子数4～14的醇。

公开(公告)号：CN101483080A

公开(公告)日：2009-07-15

申请号：CN200910117908.X

申请日：2004-12-02

Applicant: 旭化成电子材料元件株式会社

Inventor： 大谷章 ,  松浦航也

IPC: H01B5/16 ,  H01B13/00 ,  H01R11/01 ,  H01R43/00 ,  C09J7/00

CPC classification number: H05K3/323 ,  H01R4/04 ,  H05K2201/10378 ,  H05K2203/0191 ,  H05K2203/0271 ,  Y10T428/25 ,  Y10T428/254 ,  Y10T428/256

Abstract: 一种各向异性的导电粘合片材，该片材至少包含固化剂、固化性绝缘树脂和导电性颗粒，其中，个数大于或等于90％的所述导电性颗粒存在于从所述各向异性的导电粘合片材的一侧表面沿厚度方向延伸的厚度小于或等于所述导电性颗粒的平均粒径的2.0倍的区域中，个数大于或等于90％的所述导电性颗粒不与其它导电性颗粒相接触而存在；所述导电性颗粒的平均直径为1μm～8μm，相邻导电性颗粒之间的平均颗粒间距在所述平均粒径的1～5倍范围且小于或等于20μm；所述各向异性的导电粘合片材的厚度至少为所述平均颗粒间距的1.5倍但小于或等于40μm。