磁传感器及其制造方法
    2.
    发明授权

    公开(公告)号:CN101421635B

    公开(公告)日:2012-05-30

    申请号:CN200780013281.2

    申请日:2007-03-28

    CPC classification number: G01R33/07 G01R33/0011 H01L27/22 H01L43/06

    Abstract: 本发明提供磁传感器及其制造方法。该磁传感器考虑了磁性体的基底层与半导体基板的接触面积而磁特性极为稳定。在半导体基板(11)上,设有以与该半导体基板的表面处于同一平面的方式互相隔开规定间隔地埋入的多个霍尔元件(12a、12b),在霍尔元件上以及半导体基板上,隔着保护层(15)设有基底层(14),该基底层(14)由金属或树脂构成,具有与多个霍尔元件不同的热膨胀率,具有覆盖该多个霍尔元件的区域的至少局部的面积,在基底层上设有面积大于该基底层的面积的、具有磁放大功能的磁收敛板(15)。减小磁性体的基底层与半导体基板的接触面积而减少偏离电压的产生。

    磁传感器及其制造方法
    3.
    发明公开

    公开(公告)号:CN101421635A

    公开(公告)日:2009-04-29

    申请号:CN200780013281.2

    申请日:2007-03-28

    CPC classification number: G01R33/07 G01R33/0011 H01L27/22 H01L43/06

    Abstract: 本发明提供磁传感器及其制造方法。该磁传感器考虑了磁性体的基底层与半导体基板的接触面积而磁特性极为稳定。在半导体基板(11)上,设有以与该半导体基板的表面处于同一平面的方式互相隔开规定间隔地埋入的多个霍尔元件(12a、12b),在霍尔元件上以及半导体基板上,隔着保护层(15)设有基底层(14),该基底层(14)由金属或树脂构成,具有与多个霍尔元件不同的热膨胀率,具有覆盖该多个霍尔元件的区域的至少局部的面积,在基底层上设有面积大于该基底层的面积的、具有磁放大功能的磁收敛板(15)。减小磁性体的基底层与半导体基板的接触面积而减少偏离电压的产生。

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