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公开(公告)号：CN103493183B
公开(公告)日：2016-06-08
申请号：CN201280020186.6
申请日：2012-04-19
Applicant: 旭硝子株式会社
IPC: H01L21/304
CPC classification number: H01L21/30625 , C09G1/04 , H01L21/02024 , H01L29/1608
Abstract: 本发明提供一种用于以高研磨速度对碳化硅单晶基板等非氧化物单晶基板进行研磨、得到平滑且表面性状优异的高品质的表面的研磨方法。该研磨方法是向不包含磨粒的研磨垫供给研磨液、使非氧化物单晶基板的被研磨面和所述研磨垫接触、通过两者间的相对运动进行研磨的方法，其特征在于，所述研磨液含有氧化还原电势为0.5V以上的含过渡金属的氧化剂、和水，且不含磨粒。
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公开(公告)号：CN104979184B
公开(公告)日：2018-02-02
申请号：CN201510176570.0
申请日：2012-10-02
Applicant: 旭硝子株式会社
IPC: H01L21/304 , H01L21/205 , C09K3/14 , C30B29/36 , C30B33/10
CPC classification number: C09G1/04 , C30B29/36 , C30B33/00 , H01L21/02024 , H01L29/1608 , Y10T428/24355
Abstract: 本发明涉及碳化硅单晶基板，其具备具有包含来源于结晶结构的原子台阶和平台的原子台阶‑平台结构的主面，所述原子台阶‑平台结构中，所述原子台阶的前端线部的平均线粗糙度相对于所述原子台阶的高度的比例为20％以下。
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公开(公告)号：CN103857765B
公开(公告)日：2015-11-25
申请号：CN201280049471.0
申请日：2012-10-02
Applicant: 旭硝子株式会社
IPC: C09K3/14 , C30B29/36 , C30B33/10 , H01L21/205 , H01L21/304
CPC classification number: C09G1/04 , C30B29/36 , C30B33/00 , H01L21/02024 , H01L29/1608 , Y10T428/24355
Abstract: 本发明涉及碳化硅单晶基板，其具备具有包含来源于结晶结构的原子台阶和平台的原子台阶-平台结构的主面，所述原子台阶-平台结构中，所述原子台阶的前端线部的平均线粗糙度相对于所述原子台阶的高度的比例为20%以下。
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公开(公告)号：CN101346804B
公开(公告)日：2010-05-26
申请号：CN200680048728.5
申请日：2006-12-21
Applicant: 旭硝子株式会社
IPC: H01L21/304 , B24B37/00 , C09K3/14
CPC classification number: C09K3/1463 , C09G1/02 , H01L21/3212
Abstract: 本发明提供在将铜用作配线用金属的半导体集成电路中实现高度平坦的表面的技术。本发明提供包含被中和的羧酸、氧化剂和水，所述羧酸的一部分为脂环族树脂酸(A)，pH值在7.5～12的范围内的研磨用组合物。所述脂环族树脂酸(A)较好是选自枞酸、枞酸的异构体、海松酸、海松酸的异构体及它们的衍生物的至少1种或者松香。此外，本发明提供使用该研磨用组合物研磨形成于具有配线用的沟的表面的铜膜的半导体集成电路表面的研磨方法，以及通过该研磨方法形成铜配线的半导体集成电路用铜配线。
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公开(公告)号：CN104024366A
公开(公告)日：2014-09-03
申请号：CN201280065128.5
申请日：2012-12-11
Applicant: 旭硝子株式会社
CPC classification number: C09G1/02 , B24B37/044 , B24B57/02 , C09K3/1409 , H01L21/02024 , H01L29/1608
Abstract: 本发明涉及一种研磨剂用添加剂，其在反复使用的研磨剂被反复使用的期间内随时添加到该研磨剂中，由此能够抑制研磨剂的研磨特性、特别是研磨速度的降低。另外，本发明涉及一种研磨方法，其利用反复使用的研磨剂，该研磨方法能够抑制研磨剂的研磨特性、特别是研磨速度的降低。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103459089A
公开(公告)日：2013-12-18
申请号：CN201280017990.9
申请日：2012-04-06
Applicant: 旭硝子株式会社
IPC: B24B37/00 , B24B37/20 , C09K3/14 , H01L21/304
CPC classification number: H01L21/02024 , C09G1/02 , C09K3/1463
Abstract: 本发明涉及一种研磨剂，用于对研磨对象物的被研磨面进行研磨，其中，含有平均一次粒径为5～30nm的第一氧化硅微粒、平均一次粒径为40～125nm的第二氧化硅微粒以及水，且所述第一氧化硅微粒在所述第一氧化硅微粒和第二氧化硅微粒的合计量中所占的比例为0.7质量%以上且低于60质量%。
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公开(公告)号：CN101346804A
公开(公告)日：2009-01-14
申请号：CN200680048728.5
申请日：2006-12-21
Applicant: 旭硝子株式会社
IPC: H01L21/304 , B24B37/00 , C09K3/14
CPC classification number: C09K3/1463 , C09G1/02 , H01L21/3212
Abstract: 本发明提供在将铜用作配线用金属的半导体集成电路中实现高度平坦的表面的技术。本发明提供包含被中和的羧酸、氧化剂和水，所述羧酸的一部分为脂环族树脂酸(A)，pH值在7.5～12的范围内的研磨用组合物。所述脂环族树脂酸(A)较好是选自枞酸、枞酸的异构体、海松酸、海松酸的异构体及它们的衍生物的至少1种或者松香。此外，本发明提供使用该研磨用组合物研磨形成于具有配线用的沟的表面的铜膜的半导体集成电路表面的研磨方法，以及通过该研磨方法形成铜配线的半导体集成电路用铜配线。
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公开(公告)号：CN101208781A
公开(公告)日：2008-06-25
申请号：CN200680022823.8
申请日：2006-05-12
Applicant: 旭硝子株式会社 , AGC清美化学股份有限公司
Inventor： 竹宫聪
IPC: H01L21/304 , B24B37/00 , C09K3/14
CPC classification number: H01L21/3212 , C09K3/1463
Abstract: 在半导体集成电路装置的制造中的被研磨面的研磨中可获得具有埋入金属配线的绝缘层的平坦的表面。此外，可获得具备高度平坦化的多层结构的半导体集成电路装置。使用于研磨半导体集成电路装置的被研磨面的化学机械研磨用研磨剂中含有平均一次粒径在5～300nm的范围内、研磨剂中的缔合比在1.5～5的范围内的磨粒(A)，氧化剂(B)，保护膜形成剂(C)，酸(D)，碱性化合物(E)和水(F)。
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公开(公告)号：CN103503118B
公开(公告)日：2016-01-20
申请号：CN201280020737.9
申请日：2012-05-28
Applicant: 旭硝子株式会社
CPC classification number: C09G1/02 , H01L21/02024 , H01L21/0475 , H01L21/30625
Abstract: 本发明提供一种用于以高研磨速度对碳化硅单晶基板等非氧化物单晶基板进行研磨、得到平滑的表面的研磨剂。该研磨剂的特征在于，含有氧化还原电位为0.5V以上的含过渡金属的氧化剂、氧化硅粒子和氧化铈粒子以及分散介质，所述氧化硅粒子的含量和所述氧化铈粒子的含量的质量比的值为0.2～20。
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公开(公告)号：CN103493183A
公开(公告)日：2014-01-01
申请号：CN201280020186.6
申请日：2012-04-19
Applicant: 旭硝子株式会社
IPC: H01L21/304
CPC classification number: H01L21/30625 , C09G1/04 , H01L21/02024 , H01L29/1608
Abstract: 本发明提供一种用于以高研磨速度对碳化硅单晶基板等非氧化物单晶基板进行研磨、得到平滑且表面性状优异的高品质的表面的研磨方法。该研磨方法是向不包含磨粒的研磨垫供给研磨液、使非氧化物单晶基板的被研磨面和所述研磨垫接触、通过两者间的相对运动进行研磨的方法，其特征在于，所述研磨液含有氧化还原电势为0.5V以上的含过渡金属的氧化剂、和水，且不含磨粒。
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