公开(公告)号：CN1256010A

公开(公告)日：2000-06-07

申请号：CN99800044.2

申请日：1999-01-22

Applicant: 时至准钟表股份有限公司

Inventor： 桝町信三 ,  中山谕

IPC: H01L31/04

CPC classification number: H01L31/075 ,  H01L31/1884 ,  Y02E10/548

Abstract: 太阳能电池装置(2)的制造方法,包括下列工序:在绝缘基极(10)的表面上形成透明氧化物电极(12)的工序;利用比设置该透明氧化物电极(12)时的刻蚀气体的饱和蒸汽压高的卤素气体,清洗绝缘基极(10)和透明氧化物电极(12)的表面的工序;依次层叠表面处理层(14)、氮化硅膜(16)、p型半导体层(18)、缓冲层(20)、本征半导体层(22)、n型半导体层(24)、金属电极(26),形成重叠结构的工序。如果采用该制造方法。则由于有清洗绝缘基板(10)和透明氧化物电极(12)的表面的工序,所以其表面清洁,透明性好,能获得所希望的光透射量。

公开(公告)号：CN1145222C

公开(公告)日：2004-04-07

申请号：CN99800044.2

申请日：1999-01-22

Applicant: 时至准钟表股份有限公司

Inventor： 栁町信三 ,  中山谕

IPC: H01L31/04

CPC classification number: H01L31/075 ,  H01L31/1884 ,  Y02E10/548

Abstract: 太阳能电池装置(2)的制造方法，包括下列工序：在绝缘基板(10)的表面上形成透明氧化物电极(12)的工序；利用比设置该透明氧化物电极(12)时的刻蚀气体的饱和蒸汽压高的卤素气体，清洗绝缘基板(10)和透明氧化物电极(12)的表面的工序；依次层叠表面处理层(14)、氮化硅膜(16)、p型半导体层(18)、缓冲层(20)、本征半导体层(22)、n型半导体层(24)、金属电极(26)，形成重叠结构的工序。如果采用该制造方法，则由于有清洗绝缘基板(10)和透明氧化物电极(12)的表面的工序，所以其表面清洁，透明性好，能获得所希望的光透射量。

公开(公告)号：CN1312592A

公开(公告)日：2001-09-12

申请号：CN01104997.9

申请日：1999-01-22

Applicant: 时至准钟表股份有限公司

Inventor： 栁町信三 ,  中山谕

IPC: H01L31/18 ,  H01L31/105

CPC classification number: H01L31/075 ,  H01L31/1884 ,  Y02E10/548

Abstract: 太阳能电池装置(2)的制造方法,包括下列工序:在绝缘基板(10)的表面上形成透明氧化物电极(12)的工序;利用纯水清洗绝缘基板(10)和透明氧化物电极(12)的表面的工序;依次层叠表面处理层(14)、氮化硅膜(16)、p型半导体层(18)、缓冲层(20)、本征半导体层(22)、n型半导体层(24)、金属电极(26),形成重叠结构的工序。如果采用该制造方法,则由于有清洗绝缘基板(10)和透明氧化物电极(12)的表面的工序,所以其表面清洁,透明性好,能获得所希望的光透射量。