太阳能电池装置及其制造方法

    公开(公告)号:CN1287690A

    公开(公告)日:2001-03-14

    申请号:CN99801904.6

    申请日:1999-01-22

    Inventor: 栁町信三

    CPC classification number: H01L31/1884 H01L31/022466 H01L31/075 Y02E10/548

    Abstract: 一种太阳能电池(2),具有依次叠合绝缘透明玻璃基片(10)、透明氧化物电极(12)、通过对透明氧化物电极(12)进行氧化性等离子体处理而形成的表面处理层(14)、氮化硅膜(16)、p型半导体层(18)、缓冲层(20)、本征半导体层(22)、n型半导体层(24)、以及金属电极(26)而成的多层结构。透明氧化物电极(12)的表面通过表面处理层(14)而化学稳定化,由此提高开路端电压。

    太阳能电池装置的制造方法

    公开(公告)号:CN1145222C

    公开(公告)日:2004-04-07

    申请号:CN99800044.2

    申请日:1999-01-22

    CPC classification number: H01L31/075 H01L31/1884 Y02E10/548

    Abstract: 太阳能电池装置(2)的制造方法,包括下列工序:在绝缘基板(10)的表面上形成透明氧化物电极(12)的工序;利用比设置该透明氧化物电极(12)时的刻蚀气体的饱和蒸汽压高的卤素气体,清洗绝缘基板(10)和透明氧化物电极(12)的表面的工序;依次层叠表面处理层(14)、氮化硅膜(16)、p型半导体层(18)、缓冲层(20)、本征半导体层(22)、n型半导体层(24)、金属电极(26),形成重叠结构的工序。如果采用该制造方法,则由于有清洗绝缘基板(10)和透明氧化物电极(12)的表面的工序,所以其表面清洁,透明性好,能获得所希望的光透射量。

    太阳能电池装置的制造方法

    公开(公告)号:CN1312592A

    公开(公告)日:2001-09-12

    申请号:CN01104997.9

    申请日:1999-01-22

    CPC classification number: H01L31/075 H01L31/1884 Y02E10/548

    Abstract: 太阳能电池装置(2)的制造方法,包括下列工序:在绝缘基板(10)的表面上形成透明氧化物电极(12)的工序;利用纯水清洗绝缘基板(10)和透明氧化物电极(12)的表面的工序;依次层叠表面处理层(14)、氮化硅膜(16)、p型半导体层(18)、缓冲层(20)、本征半导体层(22)、n型半导体层(24)、金属电极(26),形成重叠结构的工序。如果采用该制造方法,则由于有清洗绝缘基板(10)和透明氧化物电极(12)的表面的工序,所以其表面清洁,透明性好,能获得所希望的光透射量。

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