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公开(公告)号:CN110473900B
公开(公告)日:2021-08-24
申请号:CN201910795772.1
申请日:2019-08-27
申请人: 昆山工研院新型平板显示技术中心有限公司 , 昆山国显光电有限公司
IPC分类号: H01L27/32
摘要: 本发明公开了一种显示面板及显示装置。该显示面板包括:发光器件层,包括呈阵列排布的多个发光器件;彩色滤光层,设置于发光器件层的出光侧,彩色滤光层包括多个与多个发光器件对应设置的滤光单元,各相邻的滤光单元通过光阻挡单元隔离,滤光单元包括多个初始型滤光单元及多个调整型滤光单元;光过滤层,设置于彩色滤光层背向发光器件层的一侧,包括对应多个调整型滤光单元设置的多个光过滤单元,光过滤单元配置为吸收调整型子像素对应的基色滤光单元出射的波段光。根据本发明实施例提供的显示面板,能够改善大视角下显示画面色偏的现象。
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公开(公告)号:CN109256044B
公开(公告)日:2021-01-26
申请号:CN201710567056.9
申请日:2017-07-12
申请人: 昆山工研院新型平板显示技术中心有限公司
摘要: 本申请实施例公开了一种显示屏体及其制备方法。其中,所述显示屏体包括玻璃衬底及制备在所述玻璃衬底上的显示层组,在所述显示层组上设置有可弯折区域,而所述可弯折区域下方的玻璃衬底被去除,以使所述显示屏体可弯折。本技术方案既无需将玻璃衬底剥离,直接采用玻璃衬底加强显示屏体的不可弯折部分的硬度,因此,在很大程度上节省了材料。
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公开(公告)号:CN108122991B
公开(公告)日:2020-07-31
申请号:CN201611062638.3
申请日:2016-11-28
申请人: 昆山工研院新型平板显示技术中心有限公司 , 昆山国显光电有限公司
IPC分类号: H01L29/786 , H01L21/336
摘要: 本申请公开了一种薄膜晶体管及其制作方法。该薄膜晶体管包括:第二绝缘层以及第三绝缘层,第二绝缘层位于第一电极、第二电极以及第一绝缘层的上方,第三绝缘层位于第二绝缘层、第四电极、第一绝缘层以及第三电极的上方,其中:第二绝缘层用于分隔作为电容器两个电极的第二电极和第四电极;第三绝缘层用于分隔氧化物半导体薄膜晶体管中的第三电极和半导体氧化物沟道。在该薄膜晶体管中由于通过第二绝缘层来分隔电容器的两个电极,并通过第三绝缘层来分隔氧化物半导体薄膜晶体管中的栅极和半导体氧化物沟道,因此可以通过分别控制第二绝缘层和第三绝缘层的厚度,来满足电容器和氧化物半导体薄膜晶体管对厚度调节的需要。
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公开(公告)号:CN108010922B
公开(公告)日:2020-04-21
申请号:CN201711243015.0
申请日:2017-11-30
申请人: 昆山工研院新型平板显示技术中心有限公司
IPC分类号: H01L27/12
摘要: 本发明涉及一种阵列基板,其具有显示区及非显示区;非显示区包括:柔性衬底;下子金属走线,形成于柔性衬底上;第一平坦化层,覆盖于下子金属走线上;以及上子金属走线,形成于第一平坦化层上且与显示区的第三金属层电连接;上子金属走线通过贯穿第一平坦化层的过孔与下子金属走线电接触,以构成外围金属走线。上述阵列基板,由于上子金属走线通过过孔与下子金属走线电接触,以构成外围金属走线。由于第三金属层与上子金属走线高度差小,甚至没有高度差,从而使显示区与非显示区之间不易产生断层,可以使显示区与非显示区之间金属有效连接,从而提高显示屏的良率。本发明还提供了一种阵列基板的制备方法及显示屏。
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公开(公告)号:CN106920510B
公开(公告)日:2019-05-03
申请号:CN201510990653.3
申请日:2015-12-25
申请人: 昆山工研院新型平板显示技术中心有限公司
IPC分类号: G09G3/3225 , G09G3/3258 , H01L27/32
摘要: 本发明提供了一种有机发光显示器及其驱动方法,其中,所述有机发光显示器包括:多个呈矩阵排布的像素单元和至少一个补偿电路;所述多个像素单元共用所述至少一个补偿电路,所述补偿电路用于补偿所述像素单元的驱动晶体管阈值电压。在本发明提供的有机发光显示器及其驱动方法中,采用多个像素单元共用一个补偿电路的方式,不但能够实现驱动晶体管阈值电压的补偿,避免因阈值电压偏差引起的亮度不均,而且能够减少所述像素单元中的晶体管的数量,从而实现更高的像素密度,进而提高所述有机发光显示器的分辨率。
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公开(公告)号:CN108122991A
公开(公告)日:2018-06-05
申请号:CN201611062638.3
申请日:2016-11-28
申请人: 昆山工研院新型平板显示技术中心有限公司 , 昆山国显光电有限公司
IPC分类号: H01L29/786 , H01L21/336
摘要: 本申请公开了一种薄膜晶体管及其制作方法。该薄膜晶体管包括:第二绝缘层以及第三绝缘层,第二绝缘层位于第一电极、第二电极以及第一绝缘层的上方,第三绝缘层位于第二绝缘层、第四电极、第一绝缘层以及第三电极的上方,其中:第二绝缘层用于分隔作为电容器两个电极的第二电极和第四电极;第三绝缘层用于分隔氧化物半导体薄膜晶体管中的第三电极和半导体氧化物沟道。在该薄膜晶体管中由于通过第二绝缘层来分隔电容器的两个电极,并通过第三绝缘层来分隔氧化物半导体薄膜晶体管中的栅极和半导体氧化物沟道,因此可以通过分别控制第二绝缘层和第三绝缘层的厚度,来满足电容器和氧化物半导体薄膜晶体管对厚度调节的需要。
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公开(公告)号:CN108122927A
公开(公告)日:2018-06-05
申请号:CN201611075649.5
申请日:2016-11-29
申请人: 昆山工研院新型平板显示技术中心有限公司
IPC分类号: H01L27/12 , H01L29/786 , H01L21/77
摘要: 本发明提供一种薄膜晶体管及其制造方法、显示面板及显示装置,所述薄膜晶体管包括依次位于衬底之上的有机层、阻挡层、缓冲层、沟道区、栅极绝缘层、栅极、层间绝缘层以及源极、漏极,还包括形成于所述阻挡层与所述缓冲层之间或者位于所述阻挡层内的保护层,所述保护层在朝向所述沟道区方向上的投影覆盖所述沟道区,所述保护层用于分散薄膜晶体管部分材料在弯曲过程中受到的应力,避免薄膜晶体管器件在弯曲过程中可能会造成的沟道或接触孔的断裂,提高薄膜晶体管的可靠性。
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公开(公告)号:CN107978611A
公开(公告)日:2018-05-01
申请号:CN201711243021.6
申请日:2017-11-30
申请人: 昆山工研院新型平板显示技术中心有限公司
摘要: 本发明涉及一种阵列基板,其具有显示区及非显示区;非显示区包括衬底及外围金属走线;外围金属走线包括:下子层金属,形成于衬底上;下子层金属与显示区的第一金属层同层且绝缘;中子层金属,直接形成于下子层金属上,并且与显示区的第二金属层同层且绝缘;以及上子层金属,直接形成于中子层金属上;并且与显示区的第三金属层同层且电连接以使信号引出。上述阵列基板,由于用与下、中子层金属、承托与第三金属层同层且电连接的上子层金属,故第三金属层与上子层金属高度差小,从而使显示区与非显示区之间不易产生断层,可以使显示区与非显示区之间金属有效连接,从而提高显示屏的良率。本发明还公开了一种阵列基板的制备方法及显示屏。
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公开(公告)号:CN104733536B
公开(公告)日:2018-02-13
申请号:CN201310713363.5
申请日:2013-12-20
申请人: 昆山工研院新型平板显示技术中心有限公司 , 昆山国显光电有限公司
IPC分类号: H01L29/786 , H01L29/423 , H01L21/336
摘要: 本发明提供一种薄膜晶体管及其制造方法。该薄膜晶体管包括基板、形成于基板上的多晶硅层、形成于多晶硅层上的栅极绝缘层及形成于栅极绝缘层上的栅极层,多晶硅层上形成有沟道区、源极区和漏极区,栅极绝缘层包括第一栅极绝缘层区、第二栅极绝缘层区和第三栅极绝缘层区,第二栅极绝缘层区的厚度小于第一栅极绝缘层区和第三栅极绝缘层区的厚度,栅极层覆盖第二栅极绝缘层区并部分覆盖第一栅极绝缘层区和第三栅极绝缘层区。该薄膜晶体管采用不同厚度的栅极绝缘层来减小沟道区与源极区或漏极区接触部分的电场,从而达到降低关闭时的漏电流的目的。相对于采用LDD结构的薄膜晶体管,其在制造时就无需两次离子注入过程,从而简化了制程,降低了成本。
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公开(公告)号:CN106876261A
公开(公告)日:2017-06-20
申请号:CN201510917796.1
申请日:2015-12-10
申请人: 昆山工研院新型平板显示技术中心有限公司 , 昆山国显光电有限公司
IPC分类号: H01L21/288 , H01L29/417 , H01L29/423 , H01L27/12 , H01L21/77 , H01L27/32
摘要: 本发明涉及一种柔性导电线的制备方法,包括下述步骤:S11:制备微球分散液,将微球加入到溶剂中,分散均匀得到微球分散液;S12:制备微球模板阵列,将微球分散液涂覆在基板上,干燥去除溶剂,得到微球模板阵列;S13:沉积金属线,向微球模板上沉积金属层,所述微球表面及微球之间的缝隙内填充的金属层形成具有网状结构的金属膜;S14、形成柔性导电线,去除基板和微球后,再将具有网状结构的金属膜刻蚀成预定形状的柔性导电线。本发明提供的柔性导电线弯曲过程中电阻率能够保持稳定,延长了柔性背板的寿命。
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