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公开(公告)号：CN108910890A
公开(公告)日：2018-11-30
申请号：CN201810817554.9
申请日：2018-07-24
Applicant: 昆明理工大学
IPC: C01B33/035
Abstract: 本发明公开了一种多晶硅还原炉及其使用方法，包括炉体、底盘、电极、石墨卡槽、硅棒、感应线圈，炉体与底盘固定连接构成一个中空的钟罩式腔室；炉壁和底盘为双层结构，底盘和炉壁的夹层之间均设有冷却水通道，炉壁的底部对应设有冷却水入口，顶部有冷却水出口，底盘的一侧设有冷却水入口另一侧设有冷却水出口；本发明提出的通过交流电使感应线圈产生感应电流从而加热硅棒，可以使硅棒上温度梯度减小，可增大硅棒的最大沉积半径；本发明内部结构布局合理，单台还原炉的产量比现有的还原炉提高很多，使多晶硅的综合能耗和生产成本也相应降低。
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公开(公告)号：CN108584960A
公开(公告)日：2018-09-28
申请号：CN201810756769.4
申请日：2018-07-11
Applicant: 昆明理工大学
IPC: C01B33/035
Abstract: 本发明公开了一种多晶硅还原炉，采用新颖的直流-交流混合加热方式，当硅棒直径小于14cm时，采用直流电加热；当硅棒直径大于14cm时，改为交流电加热。本发明解决了传统加热方式下因硅棒中心温度过高而发生的熔硅、因热应力的作用而产生的倒棒问题，从而提升还原炉运行的可靠性，增强多晶硅生产的稳定性，提高多晶硅的生产效率。并且应用交流电加热的趋肤效应，可增大硅棒的最大沉积半径，从而增大多晶硅的单炉产量，降低单位能耗，达到降低能耗、减少生产成本的目的。
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公开(公告)号：CN111268682B
公开(公告)日：2021-12-31
申请号：CN202010183466.5
申请日：2020-03-16
Applicant: 昆明理工大学
IPC: C01B33/035 , H01L29/16 , H01L31/0368
Abstract: 本发明属于多晶硅生产技术领域，公开了一种制备多晶硅的原料组合物、制备方法及制备系统，制备多晶硅的组合物由SiCl4(STC)和SiHCl3(TCS)组成，按质量比例STC：TCS＝(20％～50％):(80％～50％)。制备多晶硅的方法包括：以STC和TCS按质量比例混合为原料，并根据原料混合比例确定Cl/H的进料配比，在温度1323‑1473K，压强0.1‑0.6MPa的制备条件下，进行多晶硅的制备。本发明为降低TCS和STC彻底分离带来的高成本问题，进行了温度、压强以及进料配比对硅沉积率影响的分析，在硅原料中TCS所占比例为80％～50％，Cl/H为0.04‑0.1时，硅产率可达到35％以上。
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公开(公告)号：CN111268682A
公开(公告)日：2020-06-12
申请号：CN202010183466.5
申请日：2020-03-16
Applicant: 昆明理工大学
IPC: C01B33/035 , H01L29/16 , H01L31/0368
Abstract: 本发明属于多晶硅生产技术领域，公开了一种制备多晶硅的原料组合物、制备方法及制备系统，制备多晶硅的组合物由SiCl4(STC)和SiHCl3(TCS)组成，按质量比例STC：TCS＝(20％～50％):(80％～50％)。制备多晶硅的方法包括：以STC和TCS按质量比例混合为原料，并根据原料混合比例确定Cl/H的进料配比，在温度1323-1473K，压强0.1-0.6MPa的制备条件下，进行多晶硅的制备。本发明为降低TCS和STC彻底分离带来的高成本问题，进行了温度、压强以及进料配比对硅沉积率影响的分析，在硅原料中TCS所占比例为80％～50％，Cl/H为0.04-0.1时，硅产率可达到35％以上。
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公开(公告)号：CN208995147U
公开(公告)日：2019-06-18
申请号：CN201821173373.9
申请日：2018-07-24
Applicant: 昆明理工大学
IPC: C01B33/035
Abstract: 本实用新型公开了一种多晶硅还原炉，包括炉体、底盘、电极、石墨卡槽、硅棒、感应线圈，炉体与底盘固定连接构成一个中空的钟罩式腔室；炉壁和底盘为双层结构，底盘和炉壁的夹层之间均设有冷却水通道，炉壁的底部对应设有冷却水入口，顶部有冷却水出口，底盘的一侧设有冷却水入口另一侧设有冷却水出口；本实用新型提出的通过交流电使感应线圈产生感应电流从而加热硅棒，可以使硅棒上温度梯度减小，可增大硅棒的最大沉积半径；本实用新型内部结构布局合理，单台还原炉的产量比现有的还原炉提高很多，使多晶硅的综合能耗和生产成本也相应降低。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
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