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公开(公告)号:CN113073385A
公开(公告)日:2021-07-06
申请号:CN202110348420.9
申请日:2021-03-31
Applicant: 昆明理工大学
Abstract: 本发明属于多晶硅生产技术领域,公开了一种多晶硅还原炉布棒方法、环状布棒多晶硅及用途,硅棒排布呈圆环状排布,圆环排布中任一圆环中任一硅棒距离该圆环的几何中心距离为R;每一圆环形成的几何图形在底盘呈正n边形分布;圆环排布中任一圆环中任一硅棒距离该圆环的几何中心距离R可以表示为与硅棒形成的正多边形相关的几何参数的代数式。本发明的布棒方式在相同数目的情况下排列更紧密,硅棒布置符合工艺参数的要求,且应用该排布方式时降低还原炉造价成本,降低生产能耗,达到减少生产成本的目的;能够在不改变还原炉内硅棒数的基础上,减小多晶硅还原炉的直径,并降低生产电耗,降低设备制造成本和多晶硅生产成本。
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公开(公告)号:CN111268682A
公开(公告)日:2020-06-12
申请号:CN202010183466.5
申请日:2020-03-16
Applicant: 昆明理工大学
IPC: C01B33/035 , H01L29/16 , H01L31/0368
Abstract: 本发明属于多晶硅生产技术领域,公开了一种制备多晶硅的原料组合物、制备方法及制备系统,制备多晶硅的组合物由SiCl4(STC)和SiHCl3(TCS)组成,按质量比例STC:TCS=(20%~50%):(80%~50%)。制备多晶硅的方法包括:以STC和TCS按质量比例混合为原料,并根据原料混合比例确定Cl/H的进料配比,在温度1323-1473K,压强0.1-0.6MPa的制备条件下,进行多晶硅的制备。本发明为降低TCS和STC彻底分离带来的高成本问题,进行了温度、压强以及进料配比对硅沉积率影响的分析,在硅原料中TCS所占比例为80%~50%,Cl/H为0.04-0.1时,硅产率可达到35%以上。
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公开(公告)号:CN113073385B
公开(公告)日:2024-04-09
申请号:CN202110348420.9
申请日:2021-03-31
Applicant: 昆明理工大学
Abstract: 本发明属于多晶硅生产技术领域,公开了一种多晶硅还原炉布棒方法、环状布棒多晶硅及用途,硅棒排布呈圆环状排布,圆环排布中任一圆环中任一硅棒距离该圆环的几何中心距离为R;每一圆环形成的几何图形在底盘呈正n边形分布;圆环排布中任一圆环中任一硅棒距离该圆环的几何中心距离R可以表示为与硅棒形成的正多边形相关的几何参数的代数式。本发明的布棒方式在相同数目的情况下排列更紧密,硅棒布置符合工艺参数的要求,且应用该排布方式时降低还原炉造价成本,降低生产能耗,达到减少生产成本的目的;能够在不改变还原炉内硅棒数的基础上,减小多晶硅还原炉的直径,并降低生产电耗,降低设备制造成本和多晶硅生产成本。
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公开(公告)号:CN111268682B
公开(公告)日:2021-12-31
申请号:CN202010183466.5
申请日:2020-03-16
Applicant: 昆明理工大学
IPC: C01B33/035 , H01L29/16 , H01L31/0368
Abstract: 本发明属于多晶硅生产技术领域,公开了一种制备多晶硅的原料组合物、制备方法及制备系统,制备多晶硅的组合物由SiCl4(STC)和SiHCl3(TCS)组成,按质量比例STC:TCS=(20%~50%):(80%~50%)。制备多晶硅的方法包括:以STC和TCS按质量比例混合为原料,并根据原料混合比例确定Cl/H的进料配比,在温度1323‑1473K,压强0.1‑0.6MPa的制备条件下,进行多晶硅的制备。本发明为降低TCS和STC彻底分离带来的高成本问题,进行了温度、压强以及进料配比对硅沉积率影响的分析,在硅原料中TCS所占比例为80%~50%,Cl/H为0.04‑0.1时,硅产率可达到35%以上。
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公开(公告)号:CN118319954A
公开(公告)日:2024-07-12
申请号:CN202410457214.5
申请日:2024-04-16
Applicant: 昆明理工大学
Abstract: 本发明公开了线粒体移植在治疗中枢神经系统疾病中的应用,涉及线粒体移植领域,通过星形胶质细胞来源的线粒体移植用于保护缺血性脑卒中以及线粒体突变修复;本发明通过构建了缺血性脑卒中的小鼠模型以及糖氧剥夺细胞模型,有效证实线粒体移植对神经细胞有保护作用并降低炎症反应,从而改善缺血性脑卒中小鼠的行为学表现。此外,本发明还发现线粒体移植mtDNA碱基突变的细胞系有降低突变率的治疗作用;本发明所述线粒体移植的应用,为该治疗策略应用于临床治疗中枢神经疾病提供参考。
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