公开(公告)号：CN118727130A

公开(公告)日：2024-10-01

申请号：CN202410761197.4

申请日：2024-06-13

申请人： 昆明理工大学

发明人： 马文会 ,  李太 ,  吕国强 ,  康家铭 ,  周翔 ,  何沛霖 ,  张奇涛 ,  肖俊 ,  李绍元 ,  任永生

IPC分类号： C30B15/20 ,  C30B29/06

摘要： 本申请提供的一种单晶硅生长温度控制方法及系统，涉及智能控制技术领域，通过获得单晶硅生长温度监测信息；根据所述单晶硅生长温度监测信息，计算单晶硅温度场分布；连接所述单晶硅生长温度控制装置，读取单晶硅生长温度控制记录集；根据所述单晶硅生长温度控制记录集对所述单晶硅温度场分布进行单晶硅生长温度控制解析，生成单晶硅生长温度控制方案；根据所述单晶硅生长温度控制方案和所述单晶硅生长温度控制装置进行单晶硅生长温度控制，解决了如何确保单晶硅的高速、高质量生长的技术问题，可有效提升单晶硅生产效率及单晶硅质量。

公开(公告)号：CN118480864A

公开(公告)日：2024-08-13

申请号：CN202410761201.7

申请日：2024-06-13

申请人： 昆明理工大学

发明人： 吕国强 ,  李太 ,  马文会 ,  康家铭 ,  周翔 ,  张奇涛 ,  何沛霖 ,  肖俊

IPC分类号： C30B29/06 ,  C30B15/02 ,  C30B15/20 ,  C30B15/14

摘要： 本发明公开了用于连续直拉法单晶硅生长用液态连续加料装置，属于单晶硅生长领域，所述装置包括：电磁感应加热系统，所述电磁感应加热系统用于将固体硅加热融化成液态硅；供料管道与阀门自动控制系统，所述供料管道与阀门自动控制系统用于输送所述液态硅；单晶硅长晶炉内供料系统，所述单晶硅长晶炉内供料系统用于将输送的所述液态硅分配至长晶炉双坩埚外层。解决了现有单晶硅生长方法中存在加热效率低、供料控制精度低、长晶炉内供料均匀性差、自动化智能化水平低、安全性能低以及维护成本高等方面技术问题，从而导致单晶硅生产的效率、质量和稳定性差的技术问题。