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公开(公告)号：CN117385457A
公开(公告)日：2024-01-12
申请号：CN202311420048.3
申请日：2023-10-30
申请人： 昆明理工大学
摘要： 本发明涉及一种延缓单晶炉内籽晶变色的方法，属于半导体材料技术领域。本发明在单晶炉的副炉室内，沿中轴线竖直设置引气罩以匹配籽晶尖端位置和氩气流走向，增大籽晶尖端氩气流量以降低籽晶尖端温度，延缓籽晶变色，节省更换籽晶造成的时间成本；其中引气罩内壁沿周向均匀设置有若干条肋片，引气罩包括从上至下依次连接的引气罩S1段、引气罩S2段和引气罩S3段，引气罩S1段的顶部为微喇型进气端，引气罩S2段为圆柱形引气筒Ⅱ，引气罩S3段为漏斗型引气筒，引气罩内沿中轴线竖直设置有钼质重锤。引气罩还可提高单晶硅拉制过程中缩颈段和放肩段的气流流速，降低缩颈段和放肩段的晶体温度，增大温度梯度，缩短工序时间、提高晶体质量。
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公开(公告)号：CN117385457B
公开(公告)日：2024-05-17
申请号：CN202311420048.3
申请日：2023-10-30
申请人： 昆明理工大学
摘要： 本发明涉及一种延缓单晶炉内籽晶变色的方法，属于半导体材料技术领域。本发明在单晶炉的副炉室内，沿中轴线竖直设置引气罩以匹配籽晶尖端位置和氩气流走向，增大籽晶尖端氩气流量以降低籽晶尖端温度，延缓籽晶变色，节省更换籽晶造成的时间成本；其中引气罩内壁沿周向均匀设置有若干条肋片，引气罩包括从上至下依次连接的引气罩S1段、引气罩S2段和引气罩S3段，引气罩S1段的顶部为微喇型进气端，引气罩S2段为圆柱形引气筒Ⅱ，引气罩S3段为漏斗型引气筒，引气罩内沿中轴线竖直设置有钼质重锤。引气罩还可提高单晶硅拉制过程中缩颈段和放肩段的气流流速，降低缩颈段和放肩段的晶体温度，增大温度梯度，缩短工序时间、提高晶体质量。
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公开(公告)号：CN118727130A
公开(公告)日：2024-10-01
申请号：CN202410761197.4
申请日：2024-06-13
申请人： 昆明理工大学
摘要： 本申请提供的一种单晶硅生长温度控制方法及系统，涉及智能控制技术领域，通过获得单晶硅生长温度监测信息；根据所述单晶硅生长温度监测信息，计算单晶硅温度场分布；连接所述单晶硅生长温度控制装置，读取单晶硅生长温度控制记录集；根据所述单晶硅生长温度控制记录集对所述单晶硅温度场分布进行单晶硅生长温度控制解析，生成单晶硅生长温度控制方案；根据所述单晶硅生长温度控制方案和所述单晶硅生长温度控制装置进行单晶硅生长温度控制，解决了如何确保单晶硅的高速、高质量生长的技术问题，可有效提升单晶硅生产效率及单晶硅质量。
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公开(公告)号：CN118480864A
公开(公告)日：2024-08-13
申请号：CN202410761201.7
申请日：2024-06-13
申请人： 昆明理工大学
摘要： 本发明公开了用于连续直拉法单晶硅生长用液态连续加料装置，属于单晶硅生长领域，所述装置包括：电磁感应加热系统，所述电磁感应加热系统用于将固体硅加热融化成液态硅；供料管道与阀门自动控制系统，所述供料管道与阀门自动控制系统用于输送所述液态硅；单晶硅长晶炉内供料系统，所述单晶硅长晶炉内供料系统用于将输送的所述液态硅分配至长晶炉双坩埚外层。解决了现有单晶硅生长方法中存在加热效率低、供料控制精度低、长晶炉内供料均匀性差、自动化智能化水平低、安全性能低以及维护成本高等方面技术问题，从而导致单晶硅生产的效率、质量和稳定性差的技术问题。
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