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公开(公告)号：CN113359231A
公开(公告)日：2021-09-07
申请号：CN202110555889.X
申请日：2021-05-21
申请人： 昆明理工大学
IPC分类号： G02B6/12
摘要： 本发明涉及基于模式分离的QPSK调制器。本发明包括氮化硅器件层和硅器件层；氮化硅器件层包括TM光栅耦合器，TM光栅耦合器中的TM偏振光将耦合入模斑转换器中，模斑转换器与氮化硅波导相连接，压缩耦合后的TM偏振光斑在氮化硅波导中传播，经过氮化硅层间耦合楔形结构将光耦合进入下层硅器件层中；硅器件层包括TE光栅耦合器，TE光栅耦合器中的TE偏振光将耦合进入模斑转换器中，模斑转换器与硅波导相连接，压缩耦合后的TE偏振光斑在硅波导中传播，同时上层氮化硅器件层的TM偏振光斑通过硅层间耦合楔形结构进入下层的硅波导中。本发明实现了偏振多样性的耦合、光源与器件的封装更为简单，减少了封装成本。
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公开(公告)号：CN113034483A
公开(公告)日：2021-06-25
申请号：CN202110373047.2
申请日：2021-04-07
申请人： 昆明理工大学
摘要： 本发明涉及基于深度迁移学习的烟支缺陷检测方法，属于烟支缺陷检测、图像处理技术领域。本发明通过CCD工业相机获取数据集，通过对图像裁剪、压缩、图像标准化等操作生成新的数据集；将数据集按7:3成训练集和测试集；获取VGG19网络模型，改进网络全连接层，将模型全连接层以前的所有网络作为瓶颈层，冻结瓶颈层的权重值并加入新的全连接层从而开始迁移学习；添加二分类Soft Max层进行检测分类、计算准确率、训练保存网络模型；获取并处理待检测烟支图片，调用已训练的网络模型进行预测分类。本发明所提供的基于深度迁移学习的烟支缺陷检测方法，对烟支缺陷检测具有更高的准确性。
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公开(公告)号：CN115390184A
公开(公告)日：2022-11-25
申请号：CN202211004586.X
申请日：2022-08-22
申请人： 昆明理工大学
摘要： 本发明涉及一种基于交错结构的大通道波分复用器。本发明从下至上包括晶圆的衬底、晶圆的埋氧层、器件层和器件的SiO2上包层，所述器件层分别为微环谐振器、移相器、传输波导和阵列波导光栅，移相器加载在微环上，微环谐振器通过传输波导与上下两个阵列波导光栅相连。本发明通过微环谐振器级联两个输出通道波峰交错的波导阵列光栅，微环直通端的谐振波峰和下阵列波导光栅的各通道输出波峰对应重合，微环谐振器下载端的谐振波峰与上阵列波导光栅的各通道输出波峰对应重合，且上阵列波导光栅与下阵列波导光栅的输出波峰交错排列，从而形成交错信道的大通道波分复用器。本发明解决了常规波分复用器波长通道数较少的问题，并在低串扰方面表现良好。
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公开(公告)号：CN111785791A
公开(公告)日：2020-10-16
申请号：CN202010718274.X
申请日：2020-07-23
申请人： 昆明理工大学 , 国网上海能源互联网研究院有限公司 , 哈尔滨众达电子有限公司
IPC分类号： H01L31/024 , H01L31/105 , H01L31/18
摘要： 本发明提供一种Ge光电探测器及其制备方法，其中，Ge光电探测器包括热源层，进一步的还包括导热层；从而通过具有高阻值的热源层作为热源，以升高Ge吸收层的温度，使得Ge吸收层的禁带宽度降低，从而使得能量低于原Ge吸收层禁带宽度的光子被吸收，以增大Ge吸收层的吸收系数，实现Ge光电探测器探测范围的延伸，以扩大应用范围，以及通过位于Ge吸收层与热源层之间的具有较高热导率的导热层，有效地将热源层产生的热源传递到Ge吸收层，从而有效调整Ge光电探测器的响应度；因此，本发明可提供一种制备工艺简单，且可有效提高Ge光电探测器在长波长条件下的吸收系数，以扩大Ge光电探测器的探测范围及应用范围。
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公开(公告)号：CN113034483B
公开(公告)日：2022-06-10
申请号：CN202110373047.2
申请日：2021-04-07
申请人： 昆明理工大学
摘要： 本发明涉及基于深度迁移学习的烟支缺陷检测方法，属于烟支缺陷检测、图像处理技术领域。本发明通过CCD工业相机获取数据集，通过对图像裁剪、压缩、图像标准化等操作生成新的数据集；将数据集按7:3成训练集和测试集；获取VGG19网络模型，改进网络全连接层，将模型全连接层以前的所有网络作为瓶颈层，冻结瓶颈层的权重值并加入新的全连接层从而开始迁移学习；添加二分类Soft Max层进行检测分类、计算准确率、训练保存网络模型；获取并处理待检测烟支图片，调用已训练的网络模型进行预测分类。本发明所提供的基于深度迁移学习的烟支缺陷检测方法，对烟支缺陷检测具有更高的准确性。
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公开(公告)号：CN113376871A
公开(公告)日：2021-09-10
申请号：CN202110687791.X
申请日：2021-06-21
申请人： 昆明理工大学
摘要： 本发明涉及一种基于分光比可调MMI的高消光比的硅基MZI调制器。本发明包括光输入通道、与光输入通道相连接的多模干涉分路器、光输出通道、与光输出通道相连接的多模干涉耦合器；多模干涉分路器及多模干涉耦合器通过光传输波导连接，且光传输波导上附有能负载信号的调制移相臂；多模干涉分路器还包括位于顶部的第一附载电极、第一多模干涉波导及两个多模干涉分路器输出端口，多模干涉耦合器同样包括位于顶部的第二附载电极、第二多模干涉波导及两个多模干涉耦合器输入端口。本发明使MZI在调制时两个臂的光强保持在同一水平上，提高了器件输出时的消光比。有效的解决了当前MZI光调制器的消光比低的问题。
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公开(公告)号：CN111747377A
公开(公告)日：2020-10-09
申请号：CN202010705386.1
申请日：2020-07-21
申请人： 昆明理工大学 , 国网上海能源互联网研究院有限公司 , 哈尔滨众达电子有限公司
IPC分类号： B81C1/00 , B81B7/02 , H01L21/02 , H01L21/3105 , H01L21/311
摘要： 本发明公开一种基于绝缘体上硅的低应力硅基厚膜及其制备方法，属于半导体制备技术领域。本发明所述低应力硅基厚膜包括衬底硅层、硅氧化物层，包覆层和硅基厚膜层，衬底硅层上设有硅氧化物层，硅氧化物层上沉积有硅基厚膜层，硅基厚膜层上设有网格状沟槽，网格状沟槽将硅基薄膜分割成数个独立单元，网格状沟槽内填充有包覆层；本发明所述硅基厚膜可以改善厚膜内部所受应力不均匀的情况，减小厚膜应力，增大了所沉积的厚膜的最大厚度，能够实现器件的大规模生产。
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公开(公告)号：CN110824612A
公开(公告)日：2020-02-21
申请号：CN201910929900.7
申请日：2019-09-29
申请人： 昆明理工大学
摘要： 本发明涉及一种多层硅光子三维光连接结构，属于半导体光信号传输技术领域。该多层硅光子包括从下至上的SOI晶圆衬底、晶圆埋氧层、反射层、n层光波导层和波导的包层，所述n层光波导层通过多层硅光子三维光连接结构实现光在两波导层之间的传输，三维光连接结构包括2n-1个波导光栅，相邻波导层的波导光栅刻蚀面相向。该三维光连接结构由波导光栅构成，通过成对设置正向与倒置两波导光栅实现光在两波导层之间的传输，可有效解决45°反射镜放置困难或层间高度差小，工艺难度大的问题。
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公开(公告)号：CN215067593U
公开(公告)日：2021-12-07
申请号：CN202121096306.3
申请日：2021-05-21
申请人： 昆明理工大学
IPC分类号： G02F1/03
摘要： 本实用新型涉及一种与偏振无关的硅基电光调制器，属于半导体硅基光电子通信器件集成技术领域。本实用新型包括旋转偏振分束器，与旋转偏振分束器相连接的是MZI结构中的光传输波导，在MZI结构中设有进行光信号调节的移相臂，移相臂与光传输波导相连接；光传输波导末端光通过光功分比可调的MMI合束器进行合束，光输出通道输出调制光信号。本实用新型通过旋转偏振分束器及光功分比可调的MMI结构，可以有效的解决当前调制器偏振敏感性及消光比低的问题。
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公开(公告)号：CN214845872U
公开(公告)日：2021-11-23
申请号：CN202121096338.3
申请日：2021-05-21
申请人： 昆明理工大学
IPC分类号： G02B6/12
摘要： 本实用新型涉及基于模式分离的QPSK调制器。本实用新型包括氮化硅器件层和硅器件层；氮化硅器件层包括TM光栅耦合器，TM光栅耦合器中的TM偏振光将耦合入模斑转换器中，模斑转换器与氮化硅波导相连接，压缩耦合后的TM偏振光斑在氮化硅波导中传播，经过氮化硅层间耦合楔形结构将光耦合进入下层硅器件层中；硅器件层包括TE光栅耦合器，TE光栅耦合器中的TE偏振光将耦合进入模斑转换器中，模斑转换器与硅波导相连接，压缩耦合后的TE偏振光斑在硅波导中传播，同时上层氮化硅器件层的TM偏振光斑通过硅层间耦合楔形结构进入下层的硅波导中。本实用新型实现了偏振多样性的耦合、光源与器件的封装更为简单，减少了封装成本。
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