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公开(公告)号：CN109669238A
公开(公告)日：2019-04-23
申请号：CN201910035888.5
申请日：2019-01-15
申请人： 昆明理工大学
IPC分类号： G02B6/12
CPC分类号： G02B6/12009 , G02B6/12033
摘要： 本发明涉及一种低串扰的硅光子波分复用器，属于半导体光信号传输技术领域。该低串扰的硅光子波分复用器，从下至上包括晶圆的衬底、晶圆的埋氧层、波导层和波导的SiO2上包层，所述波导层分别为微环谐振滤波器110（MRR）、传输波导120和阵列波导光栅130（AWG），微环谐振滤波器110通过传输波导120与阵列波导光栅130相连。本发明通过在硅光AWG输入端增加微环谐振滤波器进行滤波，对波长调谐系统进行操作，调节微环谐振滤波器的谐振波长，使谐振波长与硅光AWG对应波长进行匹配，对所需波长信号进行进一步滤波实现低串扰特性，有效解决硅光AWG器件串扰性能不佳的问题。
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公开(公告)号：CN111785791A
公开(公告)日：2020-10-16
申请号：CN202010718274.X
申请日：2020-07-23
申请人： 昆明理工大学 , 国网上海能源互联网研究院有限公司 , 哈尔滨众达电子有限公司
IPC分类号： H01L31/024 , H01L31/105 , H01L31/18
摘要： 本发明提供一种Ge光电探测器及其制备方法，其中，Ge光电探测器包括热源层，进一步的还包括导热层；从而通过具有高阻值的热源层作为热源，以升高Ge吸收层的温度，使得Ge吸收层的禁带宽度降低，从而使得能量低于原Ge吸收层禁带宽度的光子被吸收，以增大Ge吸收层的吸收系数，实现Ge光电探测器探测范围的延伸，以扩大应用范围，以及通过位于Ge吸收层与热源层之间的具有较高热导率的导热层，有效地将热源层产生的热源传递到Ge吸收层，从而有效调整Ge光电探测器的响应度；因此，本发明可提供一种制备工艺简单，且可有效提高Ge光电探测器在长波长条件下的吸收系数，以扩大Ge光电探测器的探测范围及应用范围。
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公开(公告)号：CN109596570A
公开(公告)日：2019-04-09
申请号：CN201811242340.X
申请日：2018-10-24
申请人： 昆明理工大学
IPC分类号： G01N21/45
CPC分类号： G01N21/45
摘要： 本发明涉及一种基于硅基光电探测器的生化传感系统，属于半导体光信号传输技术领域。该基于硅基光电探测器的生化传感系统，包括光源、从下至上的SOI晶片的衬底、SOI晶片的埋氧层、硅层和SiO2上包层，所述硅层包括输入波导、传感元件、传输波导、示踪元件、输出波导以及探测器，光源输出端通过输入波导与传感元件输入端相连，传感元件输出端通过传输波导与示踪元件输入端相连，示踪元件输出端通过输出波导与探测器相连，输入波导、传感元件、传输波导、示踪元件、输出波导以及探测器外层设有SiO2上包层。本系统通过硅光子生化系统并设置硅基光电探测器，可以有效解决生化传感系统器件复杂和光谱仪昂贵的问题。
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公开(公告)号：CN111747377A
公开(公告)日：2020-10-09
申请号：CN202010705386.1
申请日：2020-07-21
申请人： 昆明理工大学 , 国网上海能源互联网研究院有限公司 , 哈尔滨众达电子有限公司
IPC分类号： B81C1/00 , B81B7/02 , H01L21/02 , H01L21/3105 , H01L21/311
摘要： 本发明公开一种基于绝缘体上硅的低应力硅基厚膜及其制备方法，属于半导体制备技术领域。本发明所述低应力硅基厚膜包括衬底硅层、硅氧化物层，包覆层和硅基厚膜层，衬底硅层上设有硅氧化物层，硅氧化物层上沉积有硅基厚膜层，硅基厚膜层上设有网格状沟槽，网格状沟槽将硅基薄膜分割成数个独立单元，网格状沟槽内填充有包覆层；本发明所述硅基厚膜可以改善厚膜内部所受应力不均匀的情况，减小厚膜应力，增大了所沉积的厚膜的最大厚度，能够实现器件的大规模生产。
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公开(公告)号：CN110824612A
公开(公告)日：2020-02-21
申请号：CN201910929900.7
申请日：2019-09-29
申请人： 昆明理工大学
摘要： 本发明涉及一种多层硅光子三维光连接结构，属于半导体光信号传输技术领域。该多层硅光子包括从下至上的SOI晶圆衬底、晶圆埋氧层、反射层、n层光波导层和波导的包层，所述n层光波导层通过多层硅光子三维光连接结构实现光在两波导层之间的传输，三维光连接结构包括2n-1个波导光栅，相邻波导层的波导光栅刻蚀面相向。该三维光连接结构由波导光栅构成，通过成对设置正向与倒置两波导光栅实现光在两波导层之间的传输，可有效解决45°反射镜放置困难或层间高度差小，工艺难度大的问题。
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公开(公告)号：CN109991700A
公开(公告)日：2019-07-09
申请号：CN201910231592.0
申请日：2019-03-26
申请人： 昆明理工大学
摘要： 本发明涉及一种微环集成的阵列波导光栅波分复用器，属于半导体光信号传输技术领域。该微环集成的阵列波导光栅波分复用器，从下至上包括硅衬底、隔离层、波导层、上包层、加热电极和电极引线，所述波导层包括阵列波导光栅、若干个传输波导和若干个微环谐振滤波器，阵列波导光栅中设有若干个输出波导，每个输出波导均通过一个传输波导连接一个微环谐振滤波器，阵列波导光栅中若干个输出波导依次通过若干个传输波导连接若干个微环谐振滤波器组成微环集成的阵列波导光栅波分复用器。本发明不但能够通过AWG进行一次滤波、微环谐振滤波器进行二次滤波得到优异的串扰特性，同时确保器件的总损耗与单个AWG相当。
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公开(公告)号：CN212257412U
公开(公告)日：2020-12-29
申请号：CN202021470805.X
申请日：2020-07-23
申请人： 昆明理工大学 , 国网上海能源互联网研究院有限公司 , 哈尔滨众达电子有限公司
IPC分类号： H01L31/024 , H01L31/105 , H01L31/18
摘要： 本实用新型提供一种Ge光电探测器，其中，Ge光电探测器包括热源层，进一步的还包括导热层；从而通过具有高阻值的热源层作为热源，以升高Ge吸收层的温度，使得Ge吸收层的禁带宽度降低，从而使得能量低于原Ge吸收层禁带宽度的光子被吸收，以增大Ge吸收层的吸收系数，实现Ge光电探测器探测范围的延伸，以扩大应用范围，以及通过位于Ge吸收层与热源层之间的具有较高热导率的导热层，有效地将热源层产生的热源传递到Ge吸收层，从而有效调整Ge光电探测器的响应度；因此，本实用新型可提供一种制备工艺简单，且可有效提高Ge光电探测器在长波长条件下的吸收系数，以扩大Ge光电探测器的探测范围及应用范围。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
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公开(公告)号：CN209296572U
公开(公告)日：2019-08-23
申请号：CN201821727962.7
申请日：2018-10-24
申请人： 昆明理工大学
IPC分类号： G01N21/45
摘要： 本实用新型涉及一种基于硅基光电探测器的生化传感系统，属于半导体光信号传输技术领域。该基于硅基光电探测器的生化传感系统，包括光源、从下至上的SOI晶片的衬底、SOI晶片的埋氧层、硅层和SiO2上包层，所述硅层包括输入波导、传感元件、传输波导、示踪元件、输出波导以及探测器，光源输出端通过输入波导与传感元件输入端相连，传感元件输出端通过传输波导与示踪元件输入端相连，示踪元件输出端通过输出波导与探测器相连，输入波导、传感元件、传输波导、示踪元件、输出波导以及探测器外层设有SiO2上包层。本系统通过硅光子生化系统并设置硅基光电探测器，可以有效解决生化传感系统器件复杂和光谱仪昂贵的问题。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
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公开(公告)号：CN209446819U
公开(公告)日：2019-09-27
申请号：CN201920062736.X
申请日：2019-01-15
申请人： 昆明理工大学
IPC分类号： G02B6/12
摘要： 本实用新型涉及一种低串扰的硅光子波分复用器，属于半导体光信号传输技术领域。该低串扰的硅光子波分复用器，从下至上包括晶圆的衬底、晶圆的埋氧层、波导层和波导的SiO2上包层，所述波导层分别为微环谐振滤波器（MRR）、传输波导和阵列波导光栅（AWG），微环谐振滤波器通过传输波导与阵列波导光栅相连。本实用新型通过在硅光AWG输入端增加微环谐振滤波器进行滤波，对波长调谐系统进行操作，调节微环谐振滤波器的谐振波长，使谐振波长与硅光AWG对应波长进行匹配，对所需波长信号进行进一步滤波实现低串扰特性，有效解决硅光AWG器件串扰性能不佳的问题。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
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公开(公告)号：CN212609552U
公开(公告)日：2021-02-26
申请号：CN202021442683.3
申请日：2020-07-21
申请人： 昆明理工大学 , 国网上海能源互联网研究院有限公司 , 哈尔滨众达电子有限公司
IPC分类号： B81C1/00 , B81B7/02 , H01L21/02 , H01L21/3105 , H01L21/311
摘要： 本实用新型公开一种基于绝缘体上硅的低应力硅基厚膜，属于半导体制备技术领域。本实用新型所述低应力硅基厚膜包括衬底硅层、硅氧化物层，包覆层和硅基厚膜层，衬底硅层上设有硅氧化物层，硅氧化物层上沉积有硅基厚膜层，硅基厚膜层上设有网格状沟槽，网格状沟槽将硅基薄膜分割成数个独立单元，网格状沟槽内填充有包覆层；本实用新型所述硅基厚膜可以改善厚膜内部所受应力不均匀的情况，减小厚膜应力，增大了所沉积的厚膜的最大厚度，能够实现器件的大规模生产。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
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