一种ZnO@In2O3增强银基复合材料及其制备方法

    公开(公告)号:CN117026004A

    公开(公告)日:2023-11-10

    申请号:CN202311117894.8

    申请日:2023-08-31

    摘要: 本发明公开一种ZnO@In2O3增强银基复合材料及其制备方法,属于电子信息新材料技术领域。所述ZnO@In2O3增强银基复合材料中ZnO@In2O3为核壳结构,In2O3为壳层,ZnO为核层。本发明通过原位反应合成核壳结构金属氧化物ZnO@In2O3增强银基材料,一方面利用核壳结构的特殊性,增强增强相在银基体中的分布均匀性,综合提高ZnO@In2O3增强银基复合材料的力学性能和导电性。另一方面,利用In2O3为壳层ZnO为核层,将ZnO与In2O3复配协同提高复合材料的化学稳定性,在不降低导电率的基础上,显著提高材料的力学性能。

    一种ZnO@In2O3增强银基复合材料及其制备方法

    公开(公告)号:CN117026004B

    公开(公告)日:2024-01-12

    申请号:CN202311117894.8

    申请日:2023-08-31

    摘要: 本发明公开一种ZnO@In2O3增强银基复合材料及其制备方法,属于电子信息新材料技术领域。所述ZnO@In2O3增强银基复合材料中ZnO@In2O3为核壳结构,In2O3为壳层,ZnO为核层。本发明通过原位反应合成核壳结构金属氧化物ZnO@In2O3增强银基材料,一方面利用核壳结构的特殊性,增强增强相在银基体中的分布均匀性,综合提高ZnO@In2O3增强银基复合材料的力学性能和导电性。另一方面,利用In2O3为壳层ZnO为核层,将ZnO与In2O3复配协同提高复合材料的化学稳定性,在不降低导电率的基础上,显著提高材料的力学性能。

    一种核壳结构金属氧化物增强银基材料的方法

    公开(公告)号:CN117107100A

    公开(公告)日:2023-11-24

    申请号:CN202311087735.8

    申请日:2023-08-28

    摘要: 本发明公开一种核壳结构金属氧化物增强银基材料的方法;本发明采用原位反应合成制备技术获得核壳结构金属氧化物增强银基材料;本发明所述方法以纳米ZnO粉、铟粉、铜粉为原料进行球磨;再与与银粉、氧化银粉球磨,混料均匀得到复合粉体;将复合粉体装入模具中,压制压力条件下成形,并将成形锭坯放入原位反应烧结炉中,在100‑850℃条件下烧结发生原位反应,获得ZnO@In2O3CuO增强银基复合材料烧结坯。本发明所述方法能够通过原位反应合成获得ZnO@In2O3CuO核壳结构增强银基复合材料,所形成的复合材料界面清洁,界面结合牢固,极大发挥了核壳结构的协同效应,最终获得力学性能优异、导电率基本不降低的ZnO@In2O3CuO增强银基复合材料。

    一种ZnO@CuO增强银基复合材料及其制备方法

    公开(公告)号:CN117051280A

    公开(公告)日:2023-11-14

    申请号:CN202311115783.3

    申请日:2023-08-31

    IPC分类号: C22C1/051 C22C29/12

    摘要: 本发明公开一种ZnO@CuO增强银基复合材料及其制备方法,属于电子信息新材料技术领域。所述制备方法包括:将ZnO粉与铜粉混合、球磨得到ZnO@Cu粉体;将ZnO@Cu粉体与银粉、氧化银粉混合均匀并压制成锭坯后烧结,得到ZnO@CuO增强银基复合材料烧结坯;最后对所述烧结坯依次进行致密化、挤压拉拔或轧制,制备成丝材或带材;所述球磨转速为400‑800r/min,时间为0.5‑3h,气氛为惰性气体。本发明采用球磨方法制备核壳结构ZnO@CuO来增强银基材料,利用ZnO@CuO的核壳结构增强氧化物与Ag基体界面结合力,发挥核壳结构协同作用,得到力学性能优异、导电性能好的ZnO@CuO增强银基复合材料。

    一种核壳结构金属氧化物增强银基材料的方法

    公开(公告)号:CN117107100B

    公开(公告)日:2024-01-30

    申请号:CN202311087735.8

    申请日:2023-08-28

    摘要: 本发明公开一种核壳结构金属氧化物增强银基材料的方法;本发明采用原位反应合成制备技术获得核壳结构金属氧化物增强银基材料;本发明所述方法以纳米ZnO粉、铟粉、铜粉为原料进行球磨;再与与银粉、氧化银粉球磨,混料均匀得到复合粉体;将复合粉体装入模具中,压制压力条件下成形,并将成形锭坯放入原位反应烧结炉中,在100‑850℃条件下烧结发生原位反应,获得ZnO@In2O3CuO增强银基复合材料烧结坯。本发明所述方法能够通过原位反应合成获得ZnO@In2O3CuO核壳结构增强银基复合材料,所形成的复合材料界面清洁,界面结合牢固,极大发挥了核壳结构的协同效应,最终获得力学性能优异、导电率基本不降低的ZnO@In2O3CuO增强银基复合材料。