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公开(公告)号：CN118016171B
公开(公告)日：2024-09-03
申请号：CN202410227919.8
申请日：2024-02-29
申请人： 昆明理工大学 , 云南云金珠宝股份有限公司
IPC分类号： G16C10/00 , G16C60/00 , G06F30/25 , G06F113/26 , G06F119/14
摘要： 本发明公开了以多晶Cu作为基体的复合材料分子动力学模拟方法，该方法包括：一、建立N i@SWCNT/Cu复合材料的分子动力学模型；二、对分子动力学模型进行拉伸、压缩和摩擦性能测试；三、对分子动力学模型进行拉伸、压缩和摩擦性能测试；四、对分子动力学模型进行纳米微区性能分析。本发明在碳纳米管/铜复合材料中引入了金属镀层界面改性和多晶晶粒、晶界，建立了更加符合实际情况的分子动力学模型，可视化观察结构破坏的过程，分析微观结构变化和应力结果。研究晶界和位错对复合材料的力学性能的影响。通过对N i@SWCNT/Cu复合材料力学性能的分析，为实验和工厂制备提供机理分析与参考价值。
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公开(公告)号：CN118016171A
公开(公告)日：2024-05-10
申请号：CN202410227919.8
申请日：2024-02-29
申请人： 昆明理工大学 , 云南云金珠宝股份有限公司
IPC分类号： G16C10/00 , G16C60/00 , G06F30/25 , G06F113/26 , G06F119/14
摘要： 本发明公开了以多晶Cu作为基体的复合材料分子动力学模拟方法，该方法包括：一、建立N i@SWCNT/Cu复合材料的分子动力学模型；二、对分子动力学模型进行拉伸、压缩和摩擦性能测试；三、对分子动力学模型进行拉伸、压缩和摩擦性能测试；四、对分子动力学模型进行纳米微区性能分析。本发明在碳纳米管/铜复合材料中引入了金属镀层界面改性和多晶晶粒、晶界，建立了更加符合实际情况的分子动力学模型，可视化观察结构破坏的过程，分析微观结构变化和应力结果。研究晶界和位错对复合材料的力学性能的影响。通过对N i@SWCNT/Cu复合材料力学性能的分析，为实验和工厂制备提供机理分析与参考价值。
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公开(公告)号：CN118345462A
公开(公告)日：2024-07-16
申请号：CN202410235584.4
申请日：2024-03-01
申请人： 昆明理工大学 , 云南云金珠宝股份有限公司
摘要： 本发明公开了一种Al2O3/Cu复合泡沫的制备方法，属于复合材料技术领域。所述Al2O3/Cu复合泡沫的制备方法包括以下步骤：将高分子泡沫在导电粘合剂溶液中浸泡处理，得到导电高分子泡沫；将水与铜盐、硫酸混合，得到电镀液；将所述导电高分子泡沫置于电镀液中，以导电高分子泡沫为阴极，金属铜为阳极，进行电镀，然后去除导电粘合剂和高分子泡沫，得到Cu金属泡沫；通过渗铝剂和氧化剂对所述Cu金属泡沫进行粉末包埋渗铝，然后内氧化，还原，得到所述Al2O3/Cu复合泡沫。本发明制备得到的铜合金复合泡沫具有连通的三维结构，表面光滑，具有优异的耐磨性能、比强度和抗冲击性，适合用于制备缓冲器和吸震器等材料。
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公开(公告)号：CN113819214B
公开(公告)日：2024-08-06
申请号：CN202111074284.5
申请日：2021-09-14
申请人： 昆明理工大学
IPC分类号： F16H55/17 , F16H55/06 , F16H55/08 , C22C38/02 , C22C38/04 , C22C38/42 , C22C38/44 , C23C30/00
摘要： 本发明公开一种高性能齿形梯度组分齿轮，包括齿轮基体，所述齿轮基体包括齿轮主盘，齿轮主盘的外侧设置有多个齿形梯度卡齿，所述卡齿上设置有不同功能梯度材料，所述梯度材料包括位于不同受力的工作层；所述工作层主要分为三个部分，由外到内依次是：高硬耐磨层、高韧耐拉层、齿芯耐剪层，所述工作区各区铬的组分含量依次递减，所述工作区各区控制单一组分变量；本发明所述齿轮通过设置三种不同工作层，在两个卡齿啮合产生接触碰撞时，可起到不同作用，可解决齿轮啮合工作过程中存在的畸变、处接触应力增加、齿轮渐开线处齿芯韧性低、齿根处弯曲应力增加、齿轮的寿命降低等问题。
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公开(公告)号：CN115747551B
公开(公告)日：2024-04-19
申请号：CN202211653107.7
申请日：2022-12-22
申请人： 昆明理工大学
IPC分类号： C22C1/05 , C22C9/00 , C22C32/00 , C22C26/00 , B22F3/105 , B22F9/04 , C01B32/949 , C01B32/168 , B82Y40/00 , B82Y30/00
摘要： 本发明公开一种引入碳化钨界面相制备碳纳米管增强铜基复合材料的方法，属于金属基复合材料制备领域。本发明以碳纳米管分散液、偏钨酸铵（AMT）、甲烷（CH4）和铜粉为原料，首先采用浸渍沉积的方法在CNTs表面沉积AMT，随后利用气相渗碳合成工艺在CNTs表面合成碳化钨纳米颗粒，并结合机械球磨和放电等离子烧结（SPS）工艺制备经碳化钨修饰的碳纳米管增强的铜基复合材料（WC@CNTs/Cu）。本发明以CH4作为合成碳化钨界面相的碳源，以外加碳源的方式避免了增强体制备过程中对CNTs结构完整性的破坏，保证WC@CNTs在复合材料中增强效应的有效发挥，使通过该方法制备的铜基复合材料具备良好的综合性能。
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公开(公告)号：CN110926207B
公开(公告)日：2024-04-19
申请号：CN201911242899.7
申请日：2019-12-06
申请人： 昆明理工大学
摘要： 本发明公开了一种抽屉式低熔点金属高通量熔炼装置，属于机械设计技术领域。本发明所述装置包括中频感应熔炼炉、抽屉式托盘、大型感应线圈、坩埚等，所述的中频感应熔炼炉为多层结构，各层采用独立熔炼，且各层均可抽出或推进对熔炼情况进行观察或加入变质剂、孕育剂等，抽屉式托盘的轨道与滑轮均为耐热不锈钢制成；所述的大型感应线圈内放置有多个坩埚，线圈通感应电流时，各个坩埚中的原料均受热，直至熔融状态。本发明所述装置的结构简单、操作简便、维护方便、空间占用小、安全性高，可在短时间内可生产出大批量产品，实现了块体金属材料的高通量制备，极大提高了生产效率，同时实现了低熔点合金的高通量生产。
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公开(公告)号：CN117324825A
公开(公告)日：2024-01-02
申请号：CN202311314216.0
申请日：2023-10-11
申请人： 昆明理工大学
摘要： 本发明公开一种含Ag、Bi、Ge的Sn‑Zn系无铅焊料及其制备方法，属于电子材料类的钎焊材料领域。本发明通过控制焊料中Ag、Bi、Ge元素的含量来调控焊料合金的显微组织形貌、物相组成及熔化性能，并提供了一种含Ag、Bi、Ge的Sn‑Zn系无铅焊料的制备方法。采用三种中间合金混合法制备，相比于传统熔铸方法，焊料合金组织均匀、成分准确、工艺简单、节约成本，并改善了焊料合金的润湿性能，抗氧化性能及耐腐蚀性能。该焊料可供在高温高湿环境中服役的电器设备的微电子芯片电路板钎焊使用。
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公开(公告)号：CN116162842B
公开(公告)日：2023-12-26
申请号：CN202310142595.3
申请日：2023-02-21
申请人： 昆明理工大学
摘要： 本发明公开一种高强高熵合金及其制备方法，属于合金技术领域。本发明所述以原子百分比计，包括以下元素：24～26％Mn，24～26％Fe，24～26％Co，24～26％Ni。将球磨后的高熵合金粉体材料在真空热压烧结炉中进行固相烧结，得到初始态高强高熵合金；然后在液氮中进行深冷变形处理后得到变形态高熵合金；将变形态高熵合金在500～800℃下退火30min。本发明提供的高强高熵合金晶体结构在室温环境下为面心立方，且存在大量的亚微米尺度析出相；通过深冷变形处理过程可以细化晶粒，再经过后续的退火处理让部分合金晶粒长大而提高合金的应变硬化能力和延展性，使所提供的高强高熵合金具有极高的屈服强度和良好的塑性。
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公开(公告)号：CN117265311A
公开(公告)日：2023-12-22
申请号：CN202311190222.X
申请日：2023-09-15
申请人： 昆明理工大学
摘要： 本发明涉及一种碳纳米管类流体(CNTs‑fluid)增强新型铜基复合材料的制备方法，属于复合材料制备技术领域。本发明首先对石墨化多壁碳纳米管(MWCNT)进行酸化处理，使CNTs表面产生一定缺陷。随后采用离子交换法，通过化学接枝的方式将含氧官能团(‑OH、‑COOH)和有机分子侧链引入到CNTs缺陷处，获得可均匀分散的类液态碳纳米管类流体。将上述获得的碳纳米管类流体与铜粉通过低能球磨均匀混合，得到CNTs‑fluid/Cu预混合粉体。最后，对复合粉体压制成型后，再利用微波烧结技术进行固结，得到组织均匀的CNTs‑fluid/Cu复合材料。本发明的制备工艺简单且实用性强，该方法在实现高含量CNTs(1wt.％)均匀分散的同时，所制得的铜基复合材料仍表现出优异的力学和电学性能，在电力输送领域具有良好的应用前景。
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公开(公告)号：CN117260059A
公开(公告)日：2023-12-22
申请号：CN202311314338.X
申请日：2023-10-11
申请人： 昆明理工大学
摘要： 本发明公开一种低Ge含量的耐腐蚀Sn‑Zn系无铅焊料及其制备方法，属于电子材料类的钎焊材料领域。所述Sn‑Zn系无铅焊料化学成分包括Sn、Zn、Ge，各组分质量百分比分别为Zn：9％，Ge：0.2～1.0％，余量为Sn。本发明通过控制焊料中Ge元素的含量及分布来调控焊料合金的显微组织、腐蚀电位及腐蚀表面阻抗值来改善焊料合金的耐腐蚀性能，优选出Ge的添加量为0.4～0.6％；与传统Sn‑Pb焊料和Sn‑9Zn共晶焊料相比，本发明提供了一种具有经济、环保和耐腐蚀性能良好的低Ge含量Sn‑Zn系无铅焊料，该焊料可供在高温高湿环境中服役的电器设备的微电子芯片电路板钎焊使用。
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