一种低温溶液法生长SiC晶体的方法

    公开(公告)号:CN116145258A

    公开(公告)日:2023-05-23

    申请号:CN202211106371.9

    申请日:2022-09-11

    Abstract: 本发明涉及一种低温溶液法生长SiC晶体的方法,属于晶体生长技术领域。将高纯硅、金属Fe或Cr、稀土金属混合后进行合金化熔炼,熔炼时间5‑30min得到成分均匀的Si‑Me‑RE合金;将Si‑Me‑RE合金装入到晶体生长炉中的高纯致密石墨坩埚或SiC坩埚中,在熔炼温度高于1823K以上保温至少1小时,使C或SiC往高温熔体中溶解得到SiC饱和的Si‑Me‑RE‑C熔体;在SiC饱和的Si‑Me‑RE‑C熔体进行溶液法生长SiC单晶或多晶SiC。本发明提供的低温溶液法生长SiC晶体的方法解决了溶液法生长SiC晶体时C或SiC溶解度低的问题,可在低温下(比现有的PVT方法低至少400K)大幅度提高Si熔体中C或SiC的溶解度,是一种低能耗、低成本、高效率、无污染的生长SiC晶体的方法。

    一种助溶剂法生长单晶或多晶SiC晶体的方法

    公开(公告)号:CN115478324A

    公开(公告)日:2022-12-16

    申请号:CN202211057391.1

    申请日:2022-08-31

    Abstract: 本发明涉及一种助溶剂法生长单晶或多晶SiC晶体的方法,属于半导体晶体材料技术领域。将助溶剂与高纯硅混合后,在负压下的高纯惰性气体下进行合金化熔炼,得到成分均匀的Si‑RE合金;将得到的Si‑RE合金装入晶体生长炉中的高纯石墨坩埚或SiC坩埚中,在高纯惰性气体或氢气与惰性气体的混合气体下升高温度使Si‑RE合金熔化,并在设定的晶体生长温度下保温至少1小时使C或SiC充分溶解到Si‑RE合金中,得到SiC饱和的Si‑RE‑C熔体;在得到的SiC饱和的Si‑RE‑C熔体中进行生长单晶或多晶SiC晶体。本发明能够提高硅熔体中的C溶解度,避免其他碳化物的生成,有利于生长高质量的SiC晶体。

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