公开(公告)号：CN116145258A

公开(公告)日：2023-05-23

申请号：CN202211106371.9

申请日：2022-09-11

Applicant: 昆明理工大学 ,  北京青禾晶元半导体科技有限责任公司

Inventor： 雷云 ,  邓幻 ,  雷敏鹏 ,  李鹏 ,  马文会 ,  母凤文 ,  郭超

IPC: C30B29/36 ,  C30B27/00 ,  C30B27/02 ,  C30B28/10 ,  C30B28/06

Abstract: 本发明涉及一种低温溶液法生长SiC晶体的方法，属于晶体生长技术领域。将高纯硅、金属Fe或Cr、稀土金属混合后进行合金化熔炼，熔炼时间5‑30min得到成分均匀的Si‑Me‑RE合金；将Si‑Me‑RE合金装入到晶体生长炉中的高纯致密石墨坩埚或SiC坩埚中，在熔炼温度高于1823K以上保温至少1小时，使C或SiC往高温熔体中溶解得到SiC饱和的Si‑Me‑RE‑C熔体；在SiC饱和的Si‑Me‑RE‑C熔体进行溶液法生长SiC单晶或多晶SiC。本发明提供的低温溶液法生长SiC晶体的方法解决了溶液法生长SiC晶体时C或SiC溶解度低的问题，可在低温下（比现有的PVT方法低至少400K）大幅度提高Si熔体中C或SiC的溶解度，是一种低能耗、低成本、高效率、无污染的生长SiC晶体的方法。

公开(公告)号：CN115478324A

公开(公告)日：2022-12-16

申请号：CN202211057391.1

申请日：2022-08-31

Applicant: 昆明理工大学

Inventor： 雷云 ,  李鹏 ,  雷敏鹏 ,  邓幻 ,  马文会

IPC: C30B29/36 ,  C30B9/10 ,  C30B28/04 ,  C30B28/06 ,  C30B11/00

Abstract: 本发明涉及一种助溶剂法生长单晶或多晶SiC晶体的方法，属于半导体晶体材料技术领域。将助溶剂与高纯硅混合后，在负压下的高纯惰性气体下进行合金化熔炼，得到成分均匀的Si‑RE合金；将得到的Si‑RE合金装入晶体生长炉中的高纯石墨坩埚或SiC坩埚中，在高纯惰性气体或氢气与惰性气体的混合气体下升高温度使Si‑RE合金熔化，并在设定的晶体生长温度下保温至少1小时使C或SiC充分溶解到Si‑RE合金中，得到SiC饱和的Si‑RE‑C熔体；在得到的SiC饱和的Si‑RE‑C熔体中进行生长单晶或多晶SiC晶体。本发明能够提高硅熔体中的C溶解度，避免其他碳化物的生成，有利于生长高质量的SiC晶体。